Продукція > IPB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB60R180C7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm | на замовлення 826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R180C7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R180C7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R180C7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R180C7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R180C7ATMA1 Код товару: 152307
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPB60R180C7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm | на замовлення 826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R180C7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R180C7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R180C7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R180C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 1682 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R180C7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Power dissipation: 68W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 24nC | на замовлення 928 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R180P7 Код товару: 182766
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPB60R180P7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 7585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R180P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 72W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm | на замовлення 439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R180P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 72W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R180P7ATMA1 | Infineon | IPB60R180P7ATMA1 MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R180P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R180P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 72W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm | на замовлення 439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V | на замовлення 4202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R190C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6 | на замовлення 148 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R190C6 Код товару: 100834
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPB60R190C6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R190C6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R190C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R190C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6 | на замовлення 973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R190C6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R190C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 151W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm | на замовлення 142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R190C6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R190C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R190C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R190P6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R190P6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R190P6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R199C | INFINEN | SMB | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R199CP | Infineon Technologies | Description: IPB60R199CP | на замовлення 339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R199CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP | на замовлення 891 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R199CPA | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 16A D2PAK-2 CoolMOS CPA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R199CPAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET AUTOMOTIVE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R199CPAATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R199CPAATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 16A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R199CPATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V | на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R199CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R199CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP | на замовлення 1957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R199CPATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R199CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R199CPATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 139W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.199Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R199CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R210CFD7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R210CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R210CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R210CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R210CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R210CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R230P6 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R230P6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 16.8A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 6.4A, 10V Power Dissipation (Max): 126W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 530µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R230P6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_PRICE/PERFORM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R250CP | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V | на замовлення 41770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R250CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 12A D2PAK-2 CoolMOS CP | на замовлення 176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R250CPATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V | на замовлення 62900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R250CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R250CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 12A D2PAK-2 CoolMOS CP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R250CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R250CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 45845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R250CPATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R250CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R250CPATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R280C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 13.8A D2PAK-2 CoolMOS C6 | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R280C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R280C6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R280C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 13.8A D2PAK-2 CoolMOS C6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R280C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R280C6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.8A Power dissipation: 104W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R280CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO263-3-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 51W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 807 pF @ 400 V | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R280CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R280CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO263-3-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 51W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 807 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R280CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_NEW | на замовлення 1000 шт: термін постачання 700-709 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R280P6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R280P6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R280P6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R280P6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R280P6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_PRICE/PERFORM | на замовлення 802 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R280P6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V | на замовлення 944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R280P6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R280P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 53W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm | на замовлення 1241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R280P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R280P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Power dissipation: 53W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 18nC Kind of package: reel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R280P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R280P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 5488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R280P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R280P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R280P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R280P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 53W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm | на замовлення 1241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPB60R280P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPB60R280P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V | на замовлення 6042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|