Продукція > BUK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK7S2R0-40HJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7S2R0-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.0017 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 183W Bauform - Transistor: LFPAK88 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7S2R0-40HJ | Nexperia | MOSFETs SOT1235 N-CH 40V 190A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7S2R0-40HJ | Nexperia USA Inc. | Description: BUK7S2R0-40H/SOT1235/LFPAK88 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): +20V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Power Dissipation (Max): 183W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1235 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 5660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7S2R5-40HJ | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 140A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7S2R5-40HJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7S2R5-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 140 A, 2160 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 135W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 135W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK88 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00216ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2160µohm | на замовлення 763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7S2R5-40HJ | Nexperia | MOSFETs SOT1235 N-CH 40V 140 A | на замовлення 8923 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7S2R5-40HJ | Nexperia USA Inc. | Description: BUK7S2R5-40H/SOT1235/LFPAK88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.51mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3793 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7S2R5-40HJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7S2R5-40HJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 140 A, 2160 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 135W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK88 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2160µohm | на замовлення 763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7S2R5-40HJ | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 140A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7S2R5-40HJ | Nexperia USA Inc. | Description: BUK7S2R5-40H/SOT1235/LFPAK88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.51mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3793 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7V4R2-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 98A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7V4R2-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 85W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7V4R2-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 98A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7V4R2-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 85W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7V4R2-40HX | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 69.5A; Idm: 393A; 85W Mounting: SMD Case: LFPAK33; SOT1210 Kind of package: reel; tape Gate charge: 37nC On-state resistance: 8.8mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 85W Pulsed drain current: 393A Drain current: 69.5A Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7V4R2-40HX | NXP | Transistor Dual N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,2mOhm; 98A; 85W; -55°C~150°C; BUK7V4R2-40HX TBUK7V4R2-40HX кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7V4R2-40HX | Nexperia | MOSFETs SOT1205 N-CH 40V 98A | на замовлення 2781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y07-30B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK56 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y07-30B,115 | Nexperia | MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y07-30B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK56 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y08-40B,115 | Nexperia | MOSFET BUK7Y08-40B/SOT669/LFPAK | на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y08-40B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK56 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 105W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y08-40B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK56 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 105W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y08-40B/C,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y10-30B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK | на замовлення 1306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y10-30B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK56 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y10-30B,115 | Nexperia | MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET | на замовлення 1405 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y102-100B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 15A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 25500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y102-100B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 15A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y102-100B,115 | Nexperia | MOSFETs BUK7Y102-100B/SOT669/LFPAK | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y102-100B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 15A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y102-100B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y102-100B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 15A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y102-100B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 15A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y102-100B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 15A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y102-100B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 15A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y102-100B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y102-100B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 15A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y113-100E115 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BUK7Y113-100E - POW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y113-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK56 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 113mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y113-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK56 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 113mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y113-100EX | Nexperia | MOSFETs SOT669 100V 12A N-CH MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y12-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 85A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y12-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 85A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y12-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5067 pF @ 25 V | на замовлення 1189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y12-100EX | Nexperia | MOSFETs SOT669 100V 85A | на замовлення 17947 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y12-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 85A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y12-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 85A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y12-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5067 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1189 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y12-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 85A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y12-100LX | Nexperia USA Inc. | Description: BUK7Y12-100L/SOT669/LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y12-100LX | Nexperia | MOSFETs SOT669 100V 85A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y12-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y12-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y12-40EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK56 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y12-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y12-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y12-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y12-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y12-40EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK56 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y12-40EX | Nexperia | MOSFETs N-channel 40 V, 12 mohm standard level MOSFET in LFPAK56 | на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y12-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y12-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y12-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 52A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y12-40EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y12-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52 A, 9300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 65W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm | на замовлення 4626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y12-55B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 61.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 43500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y12-55B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 61.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y12-55B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 61.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y12-55B,115 | Nexperia | MOSFETs BUK7Y12-55B/SOT669/LFPAK | на замовлення 2993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y12-55B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 105W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y12-55B,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 61.8A; Idm: 247A; 105W Polarisation: unipolar Gate charge: 35.2nC On-state resistance: 12mΩ Drain current: 61.8A Power dissipation: 105W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 247A Application: automotive industry Drain-source voltage: 55V Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y12-55B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 61.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y12-55B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 61.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y12-55B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 61.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y12-55B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 105W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y12-55B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 61.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y12-55B/DSX | Nexperia | BUK7Y12-55B/DSX | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y12-80EX | NXP Semiconductors | Description: MOSFET N-CH 80V LFPAK56 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y12-80EX | Nexperia | MOSFET BUK7Y12-80E/LFPAK/REEL 7" Q1/T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y13-40B | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y13-40B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 58A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y13-40B,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 58A; Idm: 234A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 85W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 234A Drain-source voltage: 40V Drain current: 58A On-state resistance: 13mΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y13-40B,115 | Nexperia | MOSFETs BUK7Y13-40B/SOT669/LFPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y13-40B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 58A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y13-40B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 58A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1311 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y13-40B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 58A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y13-40B,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y13-40B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 0.011 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 58 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 85 Bauform - Transistor: LFPAK56 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: TrenchMOS Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y13-40B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 58A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y13-40B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 58A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1311 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y14-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 65A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y14-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 65A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y14-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 65A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y14-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 65A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3155 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y14-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 65A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y14-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 65A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y14-80EX | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 259A; 147W Polarisation: unipolar Gate charge: 44.8nC On-state resistance: 35.1mΩ Drain current: 46A Power dissipation: 147W Pulsed drain current: 259A Application: automotive industry Drain-source voltage: 80V Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | на замовлення 1397 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y14-80EX | Nexperia | MOSFETs SOT669 N-CH 80V 65A | на замовлення 1424 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y14-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 65A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7Y14-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 65A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7Y14-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 65A LFPAK56 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3155 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. |

