Продукція > STD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 35 40 45 50 53  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STD2555NLST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD25N03LST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD25N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25N10F7STMicroelectronicsMOSFETs Nchanl 100V 0027 Ohm typ 25 A Pwr MOSFET
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD25N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.22 грн
10+70.19 грн
100+47.00 грн
500+34.78 грн
1000+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD25N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.17 грн
500+48.53 грн
1000+41.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+159.35 грн
141+100.89 грн
200+91.84 грн
500+64.19 грн
1000+55.56 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD25N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.31 грн
10+85.35 грн
100+56.17 грн
500+48.53 грн
1000+41.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NE03LST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LSTTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10L-T4
на замовлення 56200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LASTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD25NF10LA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.06 грн
50+91.85 грн
100+82.10 грн
500+67.78 грн
1000+54.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LASTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+164.06 грн
112+127.29 грн
120+117.86 грн
200+82.74 грн
500+75.01 грн
1000+57.46 грн
2000+55.97 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LASTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LASTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 3592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.90 грн
10+80.38 грн
100+54.05 грн
500+40.14 грн
1000+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LASTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LASTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD25NF10LA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.10 грн
500+67.78 грн
1000+54.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LASTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LASTMicroelectronicsMOSFETs 100 V Mosfet 35 RDS 25A D2PAK
на замовлення 2599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LASTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LASTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+120.12 грн
5+92.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LASTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+121.45 грн
174+81.66 грн
500+64.62 грн
1000+61.31 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LASTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.01 грн
10+126.95 грн
100+87.76 грн
500+68.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.61 грн
25+79.33 грн
100+75.26 грн
250+68.54 грн
500+64.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+81.66 грн
10000+74.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 25 Amp
на замовлення 3991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+81.89 грн
176+80.61 грн
179+79.33 грн
182+75.26 грн
250+68.54 грн
500+64.70 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LT4
Код товару: 57765
1 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Idd, A: 25 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,035 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1710/38
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+39.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LT4 N-Kanal MOSFET, 100 V / 25 A, 100 W, DPAK (TO-252)
Код товару: 177293
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10LT4 
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 25 Amp
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD25NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12.5 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.75 грн
10+86.97 грн
100+57.96 грн
500+42.57 грн
1000+35.88 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10T4STN-MOSFET 100V 25A 100W 0.035Ω STD25NF10 DPAK TSTD25nf10
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10T4STN-MOSFET 100V 25A 100W 0.035Ω STD25NF10 DPAK TSTD25nf10
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 3931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.41 грн
10+76.38 грн
100+51.23 грн
500+37.96 грн
1000+34.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD25NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12.5 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.96 грн
500+42.57 грн
1000+35.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF20STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD25NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.97 грн
500+71.70 грн
1000+58.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+81.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.25 грн
10+88.69 грн
100+67.42 грн
500+50.73 грн
1000+49.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF20STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD25NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.19 грн
10+95.92 грн
100+86.97 грн
500+71.70 грн
1000+58.18 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+81.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF20STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 200V 0.10Ohm 18 A StripFET FET
на замовлення 13806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+95.94 грн
159+89.10 грн
189+75.08 грн
200+68.42 грн
500+63.14 грн
1000+54.76 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+81.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF20STMMOSFET N-CH 200V 18A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD25NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD25P03LT4GonsemiMOSFET PFET 30V SPCL TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD25P03LT4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2640NLST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD26NF10
Код товару: 170563
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD26NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.73 грн
10+91.00 грн
25+89.25 грн
100+65.84 грн
250+60.09 грн
500+49.32 грн
1000+42.14 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD26NF10
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD26NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD26NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD26NF10STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD26NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.69 грн
10+99.98 грн
100+67.30 грн
500+45.82 грн
1000+39.78 грн
5000+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD26NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.98 грн
10+96.24 грн
100+65.33 грн
500+48.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD26NF10STMicroelectronicsMOSFETs N Ch 100V 0.033 Ohm 25A
на замовлення 2109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD26P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 24899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.30 грн
50+82.10 грн
100+54.95 грн
500+38.19 грн
1000+31.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.81 грн
5000+33.92 грн
7500+32.65 грн
12500+29.30 грн
17500+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6STMicroelectronicsMOSFETs P-CH 30V 0.024Ohm 12A STripFET VI
на замовлення 6507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 55A; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: STD26P3LLH6 STMicroelectronics STD26P3LLH6 JSMICRO TSTD26P3LLH6 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+98.48 грн
151+94.07 грн
250+90.30 грн
500+83.93 грн
1000+75.18 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD26P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 24899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.95 грн
500+38.19 грн
1000+31.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD26P3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 31024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.82 грн
10+82.88 грн
100+55.79 грн
500+41.47 грн
1000+37.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD27GK08SIRECTIFIER05+
на замовлення 357 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD27GK12SIRECTIFIER05+
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD27GK14SIRECTIFIER05+
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD27GK16SIRECTIFIER05+
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD27GK16И«РВIXYS
на замовлення 496 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD27GK18SIRECTIFIER05+
на замовлення 357 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD27N3LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 27A DPAK
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD27N3LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 27A DPAK
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD27N3LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 27A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD27N3LH5
на замовлення 27600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2805STMicroelectronicsSTMicroelectronics Low voltage fast-switching PNP power transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD2805T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2805T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2805T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LV fast-switching PNP power trans
на замовлення 15141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD2805T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+95.39 грн
5000+94.47 грн
10000+93.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2805T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+95.39 грн
5000+94.47 грн
10000+93.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD2805T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.90 грн
10+62.04 грн
100+41.19 грн
500+30.26 грн
1000+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD28NF03L-TR
на замовлення 58700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 35 40 45 50 53  [ Наступна Сторінка >> ]