Продукція > BUK

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 40 45 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
BUK7Y14-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 65A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y14-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 65A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3155 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y15-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 68A LFPAK56
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y15-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+93.13 грн
500+83.82 грн
1000+77.30 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y15-100EXNexperiaMOSFET N-channel 60 V 15 mOhm MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y15-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 68A LFPAK56
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y15-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 68A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+93.13 грн
500+83.82 грн
1000+77.30 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y15-60EXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 60V 53A
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.38 грн
10+49.14 грн
100+28.17 грн
500+22.16 грн
1000+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y15-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+36.90 грн
3000+33.52 грн
7500+33.12 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y15-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+61.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y15-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
775+45.78 грн
1000+42.22 грн
Мінімальне замовлення: 775 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y15-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.89 грн
3000+34.45 грн
7500+33.88 грн
9000+31.75 грн
10500+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y15-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1838 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y15-60EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 94W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 94W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 212A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
On-state resistance: 15mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y15-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y15-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y15-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.71 грн
3000+32.73 грн
4500+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y15-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.39 грн
3000+32.44 грн
4500+31.91 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y15-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
775+45.78 грн
1000+42.22 грн
10000+37.64 грн
Мінімальне замовлення: 775 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y15-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y15-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1838 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.99 грн
10+48.39 грн
100+31.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y153-100E115NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 64400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1895 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y153-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 37.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y153-100EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7Y153-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.104 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 37.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.98 грн
15+56.54 грн
100+39.79 грн
500+32.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y153-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 10V 9.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y153-100EXNexperiaMOSFETs SOT669 100V 9.4A
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.43 грн
10+39.30 грн
100+22.23 грн
500+17.05 грн
1000+14.50 грн
1500+13.19 грн
3000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y153-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 37.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.35 грн
10+36.65 грн
100+23.75 грн
500+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y153-100EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.7A; Idm: 37.5A; 37.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.4nC
On-state resistance: 424mΩ
Drain current: 6.7A
Power dissipation: 37.3W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 37.5A
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 100V
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y18-55B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 47.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
804+44.08 грн
1000+40.66 грн
Мінімальне замовлення: 804 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y18-55B,115NexperiaMOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y18-55B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 47.4A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1263 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y18-55B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 47.4A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1263 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y18-75B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 49A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2173 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.87 грн
10+100.36 грн
50+75.68 грн
100+63.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y18-75B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 49A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2173 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+48.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y18-75B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 75V 49A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y18-75B,115NexperiaMOSFETs BUK7Y18-75B/SOT669/LFPAK
на замовлення 5674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.23 грн
10+77.80 грн
100+45.08 грн
500+36.31 грн
1000+31.76 грн
1500+29.41 грн
9000+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y19-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 56A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+52.94 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y19-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 56A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y19-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V LFPAK56-SO8
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 2552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.34 грн
10+90.72 грн
50+68.19 грн
100+57.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y19-100EXNexperiaMOSFET 100V N-CH 19 STD LEVEL
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y19-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 56A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+52.87 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y19-100EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 225A; 169W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 52.6mΩ
Drain current: 40A
Power dissipation: 169W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 225A
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 100V
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y19-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V LFPAK56-SO8
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+43.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y19-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+76.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R0-40NXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7Y1R0-40NX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 320 A, 970 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 268W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+120.81 грн
500+93.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R0-40NXNexperia USA Inc.Description: BUK7Y1R0-40N/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.97mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10622 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.05 грн
10+118.16 грн
100+80.94 грн
500+61.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R0-40NXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7Y1R0-40NX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 320 A, 970 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 268W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+302.02 грн
10+194.91 грн
100+120.81 грн
500+93.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R0-40NXNexperia USA Inc.Description: BUK7Y1R0-40N/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.97mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10622 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R0-40NXNexperiaMOSFETs BUK7Y1R0-40N/SOT669/LFPAK
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.49 грн
10+121.47 грн
100+71.80 грн
500+59.99 грн
1000+55.57 грн
1500+53.64 грн
4500+51.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R4-40HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7Y1R4-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.00106 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00106ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.70 грн
10+92.62 грн
100+91.82 грн
500+84.51 грн
1000+77.32 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R4-40HXNexperia USA Inc.Description: BUK7Y1R4-40H/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tj)
Grade: Automotive
Vgs (Max): +20V, -10V
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R4-40HXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; Idm: 600A; 395W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 395W
Case: LFPAK33; SOT1210
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 600A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
On-state resistance: 3.05mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R4-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R4-40HXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 190A
на замовлення 6467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.74 грн
10+126.23 грн
100+74.56 грн
500+63.51 грн
1000+53.16 грн
1500+50.60 грн
3000+50.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R4-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R4-40HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7Y1R4-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.00106 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00106ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.82 грн
500+84.51 грн
1000+77.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R4-40HXNexperia USA Inc.Description: BUK7Y1R4-40H/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tj)
Grade: Automotive
Vgs (Max): +20V, -10V
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.89 грн
10+180.54 грн
100+146.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R4-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 190A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+146.48 грн
500+139.39 грн
1000+131.12 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R7-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+104.38 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R7-40HXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.94 грн
10+107.97 грн
100+63.51 грн
500+50.74 грн
1000+45.42 грн
1500+43.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R7-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6142 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R7-40HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7Y1R7-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1350 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 294W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+207.79 грн
500+163.78 грн
1000+140.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R7-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+164.48 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R7-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+64.11 грн
225+63.11 грн
229+62.11 грн
250+58.92 грн
500+53.65 грн
1000+50.65 грн
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R7-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+88.23 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R7-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R7-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 127740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+171.28 грн
500+154.74 грн
1000+141.75 грн
10000+121.88 грн
100000+94.82 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R7-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6142 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.00 грн
10+94.46 грн
100+64.32 грн
500+48.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R7-40HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7Y1R7-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1350 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 294W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+438.94 грн
10+301.22 грн
100+207.79 грн
500+163.78 грн
1000+140.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R7-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+88.12 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y1R7-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.11 грн
25+63.11 грн
100+59.89 грн
250+54.56 грн
500+51.51 грн
1000+50.65 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y20-30B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 39.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1137+31.18 грн
10000+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 1137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y20-30B,115Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA BUK7Y20 - N-CHANNEL TRE
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 688 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1107+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 1107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y20-30B,115NexperiaMOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y20-30B115NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK7Y20-30B 39.5A,
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y21-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 33A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 617 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.67 грн
10+42.48 грн
100+27.70 грн
500+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y21-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 33A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+55.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y21-40EXNexperiaMOSFETs N-channel 100 V, 22 mohm standard level MOSFET in LFPAK56
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.91 грн
10+36.92 грн
100+21.95 грн
500+18.85 грн
1000+15.88 грн
1500+13.19 грн
3000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y21-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 33A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y21-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 33A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 617 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y21-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 33A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y21-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 33A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y22-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 49A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 124500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+49.45 грн
3000+44.06 грн
7500+43.38 грн
9000+40.61 грн
10500+36.34 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y22-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y22-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y22-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+33.28 грн
3000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y22-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 49A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.89 грн
3000+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y22-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y22-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 49A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 424500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.50 грн
3000+39.44 грн
4500+39.06 грн
7500+37.17 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y22-100EXNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 25 mohm standard level MOSFET in LFPAK56
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y25-40BNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y25-40B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 35.3A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 693 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y25-40B,115NexperiaMOSFET N-CH 40 V 35.3 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y25-40B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 35.3A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 693 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y25-40B/C,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 35.3A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 693 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y25-40B/C3115NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y25-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.06 грн
3000+26.48 грн
7500+26.36 грн
9000+24.56 грн
10500+22.11 грн
24000+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y25-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y25-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y25-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 34A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 40 45 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]