Продукція > DMC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMC3028LSDXQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3028LSDXQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3028LSDXQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3028LSDXQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3028LSDXQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5.3A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 3.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V, 336pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V, 70mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V, 7.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LFDB-13Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LFDB-7Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LSDDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3032LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404.5pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V VDSS 20V VGSS 2.5W PD COMP MOSFET
на замовлення 3610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3032LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-8.1A
On-state resistance: 0.032/0.039Ω
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+46.96 грн
14+31.37 грн
100+18.11 грн
500+13.00 грн
1000+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3032LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404.5pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+37.21 грн
25+31.10 грн
50+25.60 грн
100+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3035LSD
Код товару: 106253
Додати до обраних Обраний товар
Diodes IncorporatedТранзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3035LSDDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3035LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.9A/5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3035LSD-13Diodes IncorporatedMOSFET CMPLMNTRY PR ENHCMNT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3036LSDDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3036LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3060LVT-13Diodes ZetexDMC3060LVT-13
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3060LVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.6A TSOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), 2.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V, 324pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3060LVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3060LVT-7Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3060LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.6A TSOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), 2.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V, 324pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3060LVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K
на замовлення 4704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3060LVT-7Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3060LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.6A TSOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), 2.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V, 324pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Part Status: Active
на замовлення 4666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
12+27.02 грн
100+17.25 грн
500+12.24 грн
1000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3060LVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3060LVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), 2.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V, 324pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V, 8.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3060LVTQ-7Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3060LVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), 2.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V, 324pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V, 8.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.54 грн
6000+9.28 грн
9000+8.85 грн
15000+7.84 грн
21000+7.56 грн
30000+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3060LVTQ-7Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3060LVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3061SVTDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3061SVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT23-6
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V, 6.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 278pF @ 15V, 287pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 880mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3061SVT-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3061SVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT23-6
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V, 6.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 278pF @ 15V, 287pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 880mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3061SVT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3061SVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3061SVTQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.7A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3061SVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V, 6.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 278pF @ 15V, 287pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 880mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3061SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.7A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 2715000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3061SVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 278pF @ 15V, 287pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V, 6.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
11+28.38 грн
100+18.24 грн
500+13.01 грн
1000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3061SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.7A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.35 грн
6000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3061SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.7A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3061SVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 278pF @ 15V, 287pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V, 6.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.73 грн
6000+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3061SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.7A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3061SVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T and R 3K
на замовлення 3361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3061SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.7A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3254+4.35 грн
6000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 3254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3061SVTQ-7-52Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3061SVTQ-7-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
FET Feature: Standard
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 880mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V, 6.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 15V, 28.7pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.7A (Ta)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3071LVTDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3071LVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 3.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V, 254pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V, 95mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V, 6.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3071LVT-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.6A/3.3A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3071LVT-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.6A/3.3A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3071LVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 3.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V, 254pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V, 95mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V, 6.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.41 грн
14+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3071LVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 8271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3071LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 3.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V, 254pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V, 95mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V, 6.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
на замовлення 9615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
15+21.13 грн
100+13.44 грн
500+9.48 грн
1000+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3071LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3071LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3071LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.6A/3.3A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.69 грн
6000+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3071LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 3.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V, 254pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V, 95mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V, 6.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.71 грн
6000+6.76 грн
9000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3071LVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 287593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3071LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3071LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3071LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.6A/3.3A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3071LVT-7DiodesMOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3071LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.6A/3.3A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDA-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.4A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 370mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-6
на замовлення 4075830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
16+20.08 грн
100+10.11 грн
500+8.42 грн
1000+6.55 грн
2000+5.86 грн
5000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDA-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.22A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 4070000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.4A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 370mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-6
на замовлення 4070000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.62 грн
30000+5.34 грн
50000+4.54 грн
100000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDA-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.22A 6-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDAQ-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN0806-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDAQ-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.4A 6DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 370mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), 220mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V, 21.8pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V, 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V, 0.35nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 186323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+34.49 грн
25+28.77 грн
50+23.66 грн
100+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N & P Enh FET Low RDSon 22.2pF
на замовлення 11527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 1.5 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.65 грн
30000+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 0.22A/0.2A 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 1020000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 1.5 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 0.22A/0.2A 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 0.22A/0.2A 6-Pin SOT-963 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7BDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 490303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
13+23.25 грн
100+16.21 грн
500+11.87 грн
1000+9.65 грн
2000+8.63 грн
5000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 1.5 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963
Power - Max: 350mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-963
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
на замовлення 470000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.41 грн
30000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7B
Код товару: 182453
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 0.22A/0.2A 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 460000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 16582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC31D5UDJ-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 1.5 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3350LDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3350LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, 2.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 10V, 800pC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V, 900mOhm @ 420mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38.4pF @ 15V, 19pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta), 600mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3350LDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 T&R 3K
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3350LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, 2.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 10V, 800pC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V, 900mOhm @ 420mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38.4pF @ 15V, 19pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta), 600mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.66 грн
6000+3.18 грн
9000+3.00 грн
15000+2.63 грн
21000+2.53 грн
30000+2.42 грн
75000+2.16 грн
150000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3350LDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3350LDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V, 900mOhm @ 420mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38.4pF @ 15V, 19pF @ 15V
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, 2.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 10V, 800pC @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta), 600mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35  [ Наступна Сторінка >> ]