Продукція > FDM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 12 16 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMA520PZonsemi / FairchildMOSFET -20V P-CH PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA530PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.75 грн
10+57.36 грн
100+38.02 грн
500+27.90 грн
1000+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA530PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA530PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.91 грн
500+33.43 грн
1000+28.03 грн
5000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA530PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA530PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA530PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1238 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA530PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
929+38.16 грн
1000+36.04 грн
Мінімальне замовлення: 929 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA530PZonsemi / FairchildMOSFETs -30V P-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 14213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.87 грн
10+65.26 грн
100+37.90 грн
500+29.68 грн
1000+27.06 грн
3000+22.85 грн
6000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA530PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA530PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.23 грн
13+62.66 грн
100+45.91 грн
500+33.43 грн
1000+28.03 грн
5000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA530PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA530PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA6023PZTONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.6A; 1.4W; MicroFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
Gate charge: 17nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.17Ω
Case: MicroFET
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+73.38 грн
11+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA6023PZTON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.16 грн
11+73.36 грн
25+71.93 грн
100+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA6023PZTonsemi / FairchildMOSFET Dual P-Ch, -20V PowerTrench
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.88 грн
10+62.16 грн
100+41.77 грн
250+41.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA6023PZTFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
на замовлення 12063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
565+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 565 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA6023PZTONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 375297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.57 грн
500+26.40 грн
3000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA6023PZTON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+73.36 грн
198+71.93 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA6023PZTonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA6023PZTON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA6023PZTONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: µFET
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 1.4W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 375297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.04 грн
14+61.05 грн
100+43.57 грн
500+26.40 грн
3000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA6023PZTON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA6676PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA6676PZonsemi / FairchildMOSFETs Single P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -11A, 13.5mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA6676PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA710PZFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA7628ON Semiconductor / FairchildMOSFET Snlg PT4, N 20/8V in MLP 2.05x2.05
на замовлення 4864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA7628ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA7628 - FDMA7628, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA7628Fairchild SemiconductorDescription: FDMA7628 - SINGLE N-CHANNEL 1.5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 89038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
962+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 962 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA7630onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.87 грн
6000+14.08 грн
9000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA7630onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V
на замовлення 10130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.24 грн
10+38.89 грн
100+25.37 грн
500+18.34 грн
1000+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA7630onsemi / FairchildMOSFETs 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 22798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.59 грн
10+42.55 грн
100+33.07 грн
24000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA7632ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA7632ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 10311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA7632ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA7670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA7670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.015 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 208870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA7670onsemi / FairchildMOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA7670onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA7672onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA7672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA7672ONN
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA7672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA7672onsemi / FairchildMOSFETs 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.08 грн
10+40.01 грн
100+22.71 грн
500+17.40 грн
1000+16.02 грн
3000+12.63 грн
6000+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA7672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA7672onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
на замовлення 3739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.57 грн
10+40.38 грн
100+26.25 грн
500+18.94 грн
1000+17.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA7672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA7672onsemiMOSFETs 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.99 грн
10+42.79 грн
100+24.23 грн
500+18.64 грн
1000+16.84 грн
3000+13.53 грн
6000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA8051LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.014 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA8051LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.66 грн
6000+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA8051Lonsemi / FairchildMOSFET FET 40V 14.0 MOHM MLP22
на замовлення 14806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.14 грн
10+65.73 грн
100+46.32 грн
500+38.24 грн
1000+30.86 грн
3000+27.75 грн
6000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA8051LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.014 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA8051LON Semiconductor / FairchildMOSFET FET 40V 14.0 MOHM MLP22
на замовлення 4056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA8051LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.17 грн
10+69.93 грн
100+46.76 грн
500+34.54 грн
1000+31.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86108LZON Semiconductor / FairchildMOSFET FET 100V 243.0 MOHM MLP
на замовлення 4247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86108LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 243mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 53131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.47 грн
10+79.42 грн
100+51.56 грн
500+38.35 грн
1000+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86108LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 243mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.88 грн
6000+31.78 грн
9000+31.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86108LZonsemi / FairchildMOSFETs Single N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 17402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.57 грн
10+68.04 грн
100+41.35 грн
500+33.48 грн
1000+30.17 грн
3000+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86108LZONN
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86151LON Semiconductor / FairchildMOSFET FET 100V 88.0 MOHM MLP22
на замовлення 12428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86151LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.75 грн
10+80.99 грн
100+63.11 грн
500+48.93 грн
1000+38.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86151LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.73 грн
500+36.57 грн
1000+32.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86151Lonsemi / FairchildMOSFETs 100 V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.78 грн
10+43.43 грн
100+36.93 грн
500+35.35 грн
1000+29.48 грн
3000+27.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86151LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86151LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.51 грн
12+67.81 грн
100+52.27 грн
500+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86151LonsemiMOSFETs 100 V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.76 грн
10+75.82 грн
100+47.84 грн
500+37.83 грн
1000+34.59 грн
3000+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86251onsemi / FairchildMOSFETs 150V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 15788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.90 грн
10+54.70 грн
100+34.52 грн
500+27.75 грн
1000+25.54 грн
3000+22.64 грн
6000+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86251onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.18 грн
10+64.84 грн
100+43.14 грн
500+31.73 грн
1000+28.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86251ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-Pin MicroFET EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86251ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.4A; Idm: 12A; 2.4W; MicroFET
Case: MicroFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Pulsed drain current: 12A
Drain current: 2.4A
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 0.175Ω
Power dissipation: 2.4W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86251onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.21 грн
6000+23.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86251ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-Pin MicroFET EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86265PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1 A, 1.2 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86265PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86265PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1 A, 0.86 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.96 грн
50+67.57 грн
100+52.59 грн
500+41.43 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86265Ponsemi / FairchildMOSFETs -150 P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.37 грн
10+70.97 грн
100+41.63 грн
500+32.79 грн
1000+29.89 грн
3000+26.23 грн
6000+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86265PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.93 грн
10+74.41 грн
100+49.89 грн
500+36.93 грн
1000+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86551LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA86551L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.019 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.84 грн
500+40.83 грн
1500+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86551Lonsemi / FairchildMOSFET FET 60V 23.0 MOHM MLP22
на замовлення 63647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.04 грн
10+84.15 грн
100+56.75 грн
500+46.87 грн
1000+37.42 грн
3000+34.45 грн
6000+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86551LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.14 грн
6000+31.31 грн
9000+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86551LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA86551L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.019 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.53 грн
50+60.73 грн
100+47.84 грн
500+40.83 грн
1500+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA86551LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 41265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.32 грн
10+65.06 грн
100+50.58 грн
500+40.23 грн
1000+32.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA8878onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
на замовлення 20544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.10 грн
10+96.48 грн
100+65.52 грн
500+49.05 грн
1000+45.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA8878ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.013 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.29 грн
36+22.95 грн
38+21.67 грн
100+19.44 грн
250+16.50 грн
500+15.33 грн
1000+14.15 грн
3000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA8878onsemi / FairchildMOSFETs N-CHAN 30V 9A 2.4W
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.01 грн
10+68.99 грн
100+47.56 грн
500+43.70 грн
1000+42.46 грн
3000+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA8878onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.33 грн
6000+38.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA8878ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-CHAN 30V 9A 2.4W
на замовлення 4358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA8878-F130onsemiDescription: 30V SINGLE N-CHANNEL POWER TRENC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1337705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
926+41.94 грн
Мінімальне замовлення: 926 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA8878-F130ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA8878-F130 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA8884Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA8884ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA8884ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A 6MICROFET
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA8884Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
на замовлення 527023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA8884ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A 6MICROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA905PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 6 V
на замовлення 54118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.90 грн
10+42.18 грн
100+27.48 грн
500+19.86 грн
1000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA905PONN
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA905PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 6 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.06 грн
6000+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA905Ponsemi / FairchildMOSFETs -12V Single P-Chan PowerTrench MOSFET
на замовлення 5171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.26 грн
10+39.30 грн
100+23.40 грн
500+18.71 грн
1000+16.91 грн
3000+14.98 грн
6000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA905P-SN00294onsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 10A
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA908PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA908PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.0125 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA908PZonsemi / FairchildMOSFET Single P-Channel PowerTrench MOSFET -12V, -12A, 12.5mohm
на замовлення 86094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.89 грн
10+50.81 грн
100+35.00 грн
500+27.96 грн
1000+22.37 грн
3000+18.64 грн
6000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA908PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3957 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 12A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 23650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.90 грн
6000+21.31 грн
9000+20.44 грн
15000+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 12 16 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]