Продукція > IKW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IKW30N60T | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N60T Код товару: 99658
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IKW30N60T | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW30N60T | Infineon Technologies | Description: IKW30N60 - DISCRETE IGBT WITH AN Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V Gate Charge: 167 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 187 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N60TA | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT TrnchStp w/Soft Fast recovery | на замовлення 243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns Switching Energy: 1.46mJ Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V Gate Charge: 167 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 187 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW30N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns Switching Energy: 1.46mJ Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V Gate Charge: 167 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 187 W | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N60TFKSA1 | Infineon | Transistor IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IKW30N60T TIKW30n60t кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 16 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW30N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3 Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 90A Turn-on time: 44ns Turn-off time: 0.3µs Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 39A Collector-emitter voltage: 600V Gate charge: 167nC Technology: TRENCHSTOP™ Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N60TFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW30N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 60 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: - Verlustleistung: 187W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW30N60TFKSA1 Транзистор Код товару: 221826
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IKW30N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5 | на замовлення 982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW30N65EL5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 114W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 168nC Kind of package: tube Collector current: 62A Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 44ns Turn-off time: 359ns Gate-emitter voltage: ±20V | на замовлення 225 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW30N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 7920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW30N65EL5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW30N65EL5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 85A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 7920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW30N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW30N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 85A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 33ns/308ns Switching Energy: 470µJ (on), 1.35mJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 168 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 227 W | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW30N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 57960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW30N65ES5 | Infineon Technologies | IGBTs Trenchstop 5 IGBT | на замовлення 247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N65ES5 | Infineon | на замовлення 22080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IKW30N65ES5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Collector current: 39.5A Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 29ns Turn-off time: 154ns Gate-emitter voltage: ±20V | на замовлення 11 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW30N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW30N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW30N65ES5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW30N65ES5XKSA1 - IGBT, 62 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 62A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW30N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 62A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 62 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 188 W | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW30N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW30N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW30N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT with Anti-parallel Diode | на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW30N65ET7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 60A; 188W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop; Trench Power dissipation: 188W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 180nC Collector current: 60A Collector-emitter voltage: 650V Pulsed collector current: 90A Gate-emitter voltage: ±20V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT with Anti-parallel Diode | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW30N65ET7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW30N65ET7XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/245ns Switching Energy: 590µJ (on), 500µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 180 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 188 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW30N65H5 | Infineon technologies | на замовлення 8 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IKW30N65H5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW30N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 94W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Collector current: 35A Manufacturer series: H5 Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 90A Turn-on time: 31ns Turn-off time: 209ns Gate-emitter voltage: ±20V | на замовлення 23 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW30N65H5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW30N65H5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 55A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 66 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 20ns/190ns Switching Energy: 280µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 188 W | на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N65H5XKSA1 | Infineon | IKW30N65H5XKSA1 IKW30N65H5 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N65NL5 | Infineon Technologies | Description: IKW30N65 - DISCRETE IGBT WITH AN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N65NL5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5 | на замовлення 2403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N65NL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW30N65NL5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 85A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 59 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 59ns/283ns Switching Energy: 560µJ (on), 1.35mJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 168 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 227 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N65NL5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW30N65NL5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 227 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Kollektorstrom: 85 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N65WR5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N65WR5 | Infineon technologies | на замовлення 9 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IKW30N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 95 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 39ns/367ns Switching Energy: 990µJ (on), 330µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 26Ohm, 15V Gate Charge: 155 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 185 W | на замовлення 319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW30N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW30N65WR5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW30N65WR5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.4 V, 185 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 185W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW30N65WR5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 75W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 155nC Kind of package: tube Collector current: 30A Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 90A Turn-on time: 51ns Turn-off time: 376ns Gate-emitter voltage: ±20V | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N120CH7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N120CH7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.7 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 82A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120CH7XKSA1 | Infineon | IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package | на замовлення 320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120CH7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 82A; 333W; TO247-3; 1.69mJ Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop; Trench Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Mounting: THT Pulsed collector current: 160A Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 82A Turn-on switching energy: 1.69mJ Collector-emitter voltage: 1.2kV | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 36ns/336ns Switching Energy: 1.69mJ (on), 920µJ (off) Gate Charge: 290 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 82 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 330 W | на замовлення 815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120CS6 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120CS6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 6 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 285nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon | IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies TIKW40n120cs6 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 98 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 400 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/315ns Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.55mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 9Ohm, 15V Gate Charge: 285 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 500 W | на замовлення 908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY | на замовлення 5702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N120CS6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N120CS6XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120CS6XKSA1 Код товару: 193315
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon | IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 175 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/190ns Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.75mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 4Ohm, 15V Gate Charge: 230 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 82 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 357 W | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IKW40N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package | на замовлення 928 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120CS7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 357 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 82A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120CS7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 56A; 179W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 179W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 45ns Turn-off time: 0.5µs Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 56A Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IKW40N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

