Продукція > IPI
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPI147N12N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 120V 56A I2PAK-3 OptiMOS 3 | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI147N12N3G | Infineon Technologies | Description: IPI147N12 - 12V-300V N-CHANNEL P Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 56A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Bulk | на замовлення 14603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI147N12N3GAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI147N12N3GAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V | на замовлення 920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI14N03LA | INFINEON | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI14N03LA | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO262-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI16CN10N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 53A TO262-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI16CNE8N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 85V 53A TO262-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI180N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 43A I2PAK-3 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI180N10N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO262-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 43A Power dissipation: 71W Case: PG-TO262-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 | на замовлення 461 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI180N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Not For New Designs Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI180N10N3GXKSA1 транзистор Код товару: 216665
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPI200N15N3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI200N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 150V 50A I2PAK-3 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI200N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 150V 50A I2PAK-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI200N25N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 250V 64A I2PAK-3 OptiMOS 3 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI200N25N3GAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI200N25N3GAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 76 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI22N03S4L-15 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI22N03S4L-15 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 22A I2PAK-3 OptiMOS-T2 | на замовлення 286 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI22N03S4L15AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI22N03S4L15AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI25N06S3-25 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3 Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1862 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.1mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI25N06S3L-22 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 17A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI26CN10N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 39µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI26CN10NG | на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPI26CNE8N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 85V 35A TO262-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI320N203G | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI320N20N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 34A I2PAK-3 OptiMOS 3 | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI320N20N3GAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI320N20N3GAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3 Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI35CN10N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI45N06S3-16 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 45A TO262-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 23A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI45N06S3L-13 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 45A TO262-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI45N06S4-09AKSA2 | Infineon Technologies | Description: IPI45N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V | на замовлення 97500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI45N06S409AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI45N06S409AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI45N06S409AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI45N06S409AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3 Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Bulk Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | на замовлення 550500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI45N06S409AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET | на замовлення 389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI45N06S4L-08 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 45A I2PAK-3 OptiMOS-T2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI45N06S4L08AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 45A I2PAK-3 OptiMOS-T2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI45N06S4L08AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI45N06S4L08AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI45N06S4L08AKSA2 | Infineon Technologies | Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI45N06S4L08AKSA3 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_55/60V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 45A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | на замовлення 29287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI45N06S4L08AKSA3 | Infineon Technologies | MOSFET | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI45N06S4L08AKSA3 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_55/60V Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI45P03P4L-11 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -45A I2PAK-3 OptiMOS-P2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI45P03P4L11AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 45A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI47N10S-33 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 33A I2PAK-3 SIPMOS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI47N10S33AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI47N10SL-26 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 47A I2PAK-3 SIPMOS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI47N10SL26AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI50CN10NGHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI50N10S3L-16 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 50A I2PAK-3 OptiMOS-T | на замовлення 268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI50N10S3L16AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) | на замовлення 12775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI50N10S3L16AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI50N12S3L15AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_100+ Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI50N12S3L15AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 100+ | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI50R140CP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI50R140CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 23A I2PAK-3 CoolMOS CP | на замовлення 730 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_LEGACY Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_LEGACY Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Bulk | на замовлення 20374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI50R199CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 550V 17A I2PAK-3 CoolMOS CP | на замовлення 345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI50R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 17A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI50R250CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 550V 13A I2PAK-3 CoolMOS CP | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI50R250CP | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V | на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI50R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V | на замовлення 1485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI50R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO262-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Power Dissipation (Max): 114W (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI50R299CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 550V 12A I2PAK-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI50R299CP | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 9978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI50R299CPXK | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 550V 12A I2PAK-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI50R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI50R350CP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 10A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI50R350CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 10A I2PAK-3 CoolMOS CP | на замовлення 394 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI50R350CPXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPI50R350CPXKSA1 - IPI50R350 - 10A, 500V, 0.35OHM, N-CHANEL tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 238 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI50R350CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI50R350CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI50R350CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI50R350CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; 89W; PG-TO262-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A Power dissipation: 89W Case: PG-TO262-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI50R350CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI50R399CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 9A I2PAK-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI50R399CP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO-262 | на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI50R399CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 560V 9A I2PAK-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI50R399CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO262-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI50R399CPXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI50R399CPXKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO262-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI530N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 150V 21A I2PAK-3 | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI530N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: PFET, 21A I(D), 150V, 0.053OHM, | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 389 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI530N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI530N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 150V 21A I2PAK-3 | на замовлення 823 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI600N25N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 250V 25A I2PAK-3 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI600N25N3GAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO262-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI60R099CP Код товару: 124116
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPI60R099CP | Infineon Technologies | Description: PFET, 31A I(D), 600V, 0.099OHM, Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPI60R099CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 31A I2PAK-3 CoolMOS CP | на замовлення 525 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI60R099CPA | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 31A I2PAK-3 CoolMOS CPA | на замовлення 379 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI60R099CPAAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V | на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPI60R099CPAAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO262-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |