Продукція > IXY

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXYH40N120A4IXYSIGBTs TO247 1200V 40A IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120A4IXYSDescription: IGBT 1200V 40A GENX4 XPT TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/204ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 3.75mJ (off)
Test Condition: 600V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 275 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120A4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 600W; TO247-3
Transistor: IGBT
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 275A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3IXYSIGBTs TO247 1200V 40A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3IXYSDescription: IGBT 1200V 96A 577W TO247
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Gate Charge: 87 nC
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.6mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/177ns
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 577 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 411ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1IXYSDescription: IGBT 1200V 86A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/177ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 480 W
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1013.47 грн
30+594.39 грн
120+510.72 грн
510+440.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 20634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+644.19 грн
23+630.33 грн
25+582.62 грн
50+557.17 грн
100+485.17 грн
1000+446.45 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 411ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1IGBT 1200V 86A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1040.07 грн
25+992.04 грн
50+952.13 грн
100+885.76 грн
250+794.70 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1IXYSIGBTs TO247 1200V 40A GENX3
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 20634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+644.19 грн
10+630.33 грн
25+582.62 грн
50+557.17 грн
100+485.17 грн
1000+446.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4IXYSIGBT Transistors IGBT DISCRETE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4IXYSDescription: IGBT DISCRETE TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 136A; 680W; TO247-3
Transistor: IGBT
Power dissipation: 680W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 250A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 136A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1IXYSDescription: IGBT TRENCH 1200V 112A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 430 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/220ns
Switching Energy: 5.9mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 960V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 112 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1030.72 грн
30+605.31 грн
120+520.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 600W; TO247-3
Transistor: IGBT
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 240A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1LittelfuseIGBT Transistors IXYH40N120B4H1
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1IXYSIGBTs IXYH40N120B4H1
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3IXYSIGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3IGBT 1200V 70A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 70A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/125ns
Switching Energy: 3.9mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 115 A
Power - Max: 577 W
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+884.14 грн
30+512.17 грн
120+437.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 175A
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3D1IXYSDescription: IGBT 1200V 64A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/125ns
Switching Energy: 3.9mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 480 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1050.31 грн
30+617.64 грн
120+531.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3D1IXYSIGBTs XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4IXYSDescription: IGBT DISCRETE TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/140ns
Switching Energy: 5.55mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 960V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 680 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 120A; 680W; TO247-3
Transistor: IGBT
Power dissipation: 680W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 230A
Turn-off time: 140ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4IXYSIGBTs TO247 1200V 40A IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4H1LittelfuseIGBT Transistors IXYH40N120C4H1
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4H1IXYSDescription: IGBT TRENCH 1200V 110A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 380 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/140ns
Switching Energy: 5.55mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 960V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 680 W
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1030.72 грн
30+605.09 грн
120+520.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4H1IXYSIGBTs IXYH40N120C4H1
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65B3D1IXYSIGBTs TO247 650V 40A GENX3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65B3D1IXYSDescription: IGBT 650V 86A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns
Switching Energy: 800µJ (on), 1.25mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 195 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3IXYSIGBTs 650V/80A XPT C3-Class TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/106ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3D1IXYSDescription: IGBT PT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/110ns
Switching Energy: 830µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/106ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3H1IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH40N65C3H1 - IGBT, 40 A, 2.35 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35
DC-Kollektorstrom: 40
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 300
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3H1IXYSIGBTs 650V/80A XPT Copacked TO-247
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3IXYSIGBTs GenX3 900V XPT IGBTs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3IXYSDescription: IGBT 900V 105A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/78ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 450V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 74 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 600W; TO247-3
Transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 40A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 237ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 900V 90A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+1003.92 грн
16+891.87 грн
30+743.23 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1IXYSIGBTs XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1IXYSDescription: IGBT 900V 90A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/78ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 450V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 74 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+968.01 грн
30+565.06 грн
120+484.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 500W; TO247-3
Transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 40A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 237ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+832.71 грн
3+718.72 грн
5+681.82 грн
10+623.12 грн
30+533.38 грн
60+515.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1IXYS/LittelfuseТранзистор IGBT, Uceb, В = 900, Ic = 90 А, Pmax, Вт = 500, Uce(on), В = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247AD Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1000+200.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH40N90C3D1 - IGBT, 90 A, 2.2 V, 500 W, 900 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Verlustleistung: 500W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247AD
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 900V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 90A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 90A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N90C3D1 транзистор
Код товару: 193543
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3IXYSIGBTs XPT IGBT C3-Class 1200V/105A
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 100A TO-247
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 50A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 750 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Active
Gate Charge: 142 nC
Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 3mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/133ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+924.90 грн
30+538.79 грн
120+461.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 750W; TO247-3
Transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 0.22µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 240A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3D1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH50N120C3D1 - IGBT, 90 A, 3.5 V, 625 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3D1IXYSIGBTs XPT 1200V IGBT GenX6 XPT IGBT
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3D1IXYSDescription: IGBT 1200V 90A TO-247
Power - Max: 625 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 210 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Part Status: Active
Gate Charge: 142 nC
Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 3mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/133ns
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1099.69 грн
30+650.60 грн
120+561.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 625W; TO247-3
Transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 96ns
Turn-off time: 0.22µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 210A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+890.52 грн
3+784.98 грн
5+754.78 грн
10+703.63 грн
30+690.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N120C3D1Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1200V 90A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N170CIXYSIGBT Transistors 1700V/178A High Volt
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 132A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3IXYSIGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3IXYSDescription: IGBT PT 650V 130A TO-247
Power - Max: 600 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Gate Charge: 80 nC
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3D1IXYSIGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+657.01 грн
23+627.03 грн
25+599.12 грн
50+549.90 грн
100+503.02 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3D1IXYSDescription: IGBT 650V 132A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Switching Energy: 800µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 86 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3D1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3D1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+657.01 грн
10+627.03 грн
25+599.12 грн
50+549.90 грн
100+503.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 650V 130A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1IXYSDescription: IGBT PT 650V 130A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1050.31 грн
30+617.59 грн
120+531.36 грн
510+460.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+849.87 грн
3+728.79 грн
10+602.15 грн
30+499.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1
Код товару: 189326
1 Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247AD
Напруга колектор-емітер Vces, В: 650 В
Напруга насичення Vce, В: 2,1 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 130 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 50 А
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 22/80
у наявності: 19 шт
  • 15 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+490.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1Ixys CorporationIXYH50N65C3H1
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1054.08 грн
15+966.82 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1IXYSIGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120A4IXYSIGBTs Discrete IGBT XPT Gen 4 1200V TO247
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120A4IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYH55N120A4 - IGBT, 175 A, 1.5 V, 650 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
DC-Kollektorstrom: 175
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: XPT GenX4
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120A4IXYSDescription: IGBT PT 1200V 175A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/300ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 5.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 175 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 350 A
Power - Max: 650 W
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+951.55 грн
30+554.79 грн
120+475.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120B4LittelfuseIGBTs Disc. IGBT XPT-GenX4 TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120B4H1IXYSDescription: IGBT TRENCH 1200V 138A TO-247
Power - Max: 650 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 138 A
Gate Charge: 120 nC
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 3.4mJ (on), 2.75mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/215ns
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 55A
Reverse Recovery Time (trr): 420 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1142.80 грн
30+682.15 грн
120+594.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120B4H1IXYSIGBTs IXYH55N120B4H1
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120C4IXYSIGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO247
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120C4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH55N120C4 - IGBT, 140 A, 2.1 V, 650 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT Gen 4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120C4IXYSDescription: IGBT 1200V 140A TO247
Power - Max: 650 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 290 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Part Status: Active
Gate Charge: 114 nC
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 3.5mJ (on), 1.34mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/180ns
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 55A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+681.92 грн
30+385.80 грн
120+326.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120C4H1IXYSDescription: IGBT TRENCH 1200V 126A TO247
Power - Max: 650 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 290 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 126 A
Gate Charge: 114 nC
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 3.5mJ (on), 1.34mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/180ns
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 55A
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120C4H1IXYSIGBTs IXYH55N120C4H1
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N65A5IXYSDescription: IGBT TRENCH FS 650V 134A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns
Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+525.94 грн
30+291.90 грн
120+244.81 грн
510+197.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N65A5IXYSIGBTs 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N65A5IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 395W; TO247-3
Transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 395W
Gate charge: 128nC
Pulsed collector current: 260A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N90C3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 60A; 750W; TO247-3
Transistor: IGBT
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Pulsed collector current: 310A
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 268ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
на замовлення 257 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+751.43 грн
5+607.18 грн
10+550.15 грн
30+464.61 грн
60+461.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N90C3IXYSDescription: IGBT 900V 140A TO-247
Power - Max: 750 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 310 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Part Status: Active
Gate Charge: 107 nC
Test Condition: 450V, 60A, 3Ohm, 15V
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.55mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/87ns
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 60A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+877.09 грн
30+507.74 грн
120+433.88 грн
510+364.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N90C3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYH60N90C3 - IGBT, 140 A, 2.4 V, 750 W, 900 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
Verlustleistung: 750W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AD
Dauerkollektorstrom: 140A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 900V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH60N90C3IXYSIGBTs 900V 60A 2.7V XPT IGBT GenX3
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH75N120B4IXYSDescription: IGBT 1200V 240A TO-247AD
Power - Max: 1150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 440 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Part Status: Active
Gate Charge: 157 nC
Test Condition: 600V, 50A, 3Ohm, 15V
Switching Energy: 4.5mJ (on), 2.7mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/182ns
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
Reverse Recovery Time (trr): 66 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]