Продукція > NTH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTH4L040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 800 V
на замовлення 6614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1624.06 грн
30+991.56 грн
120+866.40 грн
510+796.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2389.31 грн
10+1888.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N65S3FonsemiMOSFETs FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N65S3FON Semiconductor
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 400 V
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1323.08 грн
30+796.52 грн
60+739.68 грн
120+645.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
On-state resistance: 32mΩ
Pulsed drain current: 162.5A
Polarisation: unipolar
Drain current: 45A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1597.69 грн
5+1335.97 грн
30+1180.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 400 V
на замовлення 10771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1239.21 грн
30+807.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1382.01 грн
10+1098.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
на замовлення 89683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+618.43 грн
30+497.50 грн
120+482.96 грн
510+441.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1382.01 грн
13+1098.01 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 187W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1ONN
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1082.54 грн
10+949.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+881.79 грн
30+509.83 грн
120+435.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 152A; 88W
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...22V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 88W
Gate charge: 74nC
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
On-state resistance: 50mΩ
Pulsed drain current: 152A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+943.94 грн
10+896.42 грн
25+887.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+602.42 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N090SC1ONN
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+690.58 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N090SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1022.09 грн
30+599.17 грн
60+553.36 грн
120+483.13 грн
510+439.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+690.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N090SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 32A; Idm: 211A; 110W
Transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 211A
Power dissipation: 110W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 76mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+602.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66.9 A, 900 V, 0.0531 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.09V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 320W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0531ohm
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N090SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L067N65S3HonsemiDescription: SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L067N65S3HonsemiMOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L070N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L070N120M3SonsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L070N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+702.30 грн
10+464.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L070N120M3SONN
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L075N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,57mohm,650V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L075N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+765.00 грн
30+438.10 грн
120+372.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L075N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W
Transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Pulsed drain current: 120A
On-state resistance: 68mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L075N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L075N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,57mohm,650V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+944.97 грн
10+812.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L075N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L080N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 125A; 28W
Mounting: THT
Power dissipation: 28W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 21A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -15...25V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 80mΩ
Pulsed drain current: 125A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+859.81 грн
2+784.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L080N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L080N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50.4A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50.4A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1331.75 грн
10+1222.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L080N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
на замовлення 41300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+753.25 грн
30+440.32 грн
120+417.06 грн
510+372.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L095N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+577.62 грн
28+522.27 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+615.81 грн
10+565.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART
на замовлення 2153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
на замовлення 3336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+713.27 грн
30+405.02 грн
120+343.26 грн
510+279.68 грн
1020+274.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W
Transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12.3A
On-state resistance: 224mΩ
Power dissipation: 55.5W
Gate charge: 34nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -15...25V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Mounting: THT
Pulsed drain current: 69A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+577.62 грн
10+522.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN019N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN019N65S3HonsemiMOSFETs SUPERFET3 FAST 19MOHM TO-247-4
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN019N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14.3mA
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 37.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15993 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 282 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1777.69 грн
30+1251.16 грн
120+1085.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN019N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4LN019N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 625W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN019N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN040N65S3HonsemiMOSFETs SUPERFET3 FAST 40MOHM TO-247-4
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN040N65S3HonsemiDescription: NTH4LN040N65S3H
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 6.8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6513 pF @ 400 V
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1057.37 грн
30+627.00 грн
60+580.48 грн
120+521.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN040N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4LN040N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.032 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FAST
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN041N60S5HonsemiDescription: MOSFETPOWER, SINGLE, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6213 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+363.39 грн
40+355.38 грн
100+339.16 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3HonsemiMOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4LN067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3HONN
на замовлення 435 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+363.39 грн
10+355.38 грн
100+339.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+705.43 грн
30+403.63 грн
60+370.85 грн
120+322.15 грн
510+307.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN095N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4LN095N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN095N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+686.62 грн
30+390.75 грн
120+331.53 грн
510+285.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4LN095N65S3HonsemiMOSFETs SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-247-4
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH502AANL
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH518AAT
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH557AJT
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH570ABTPULSE99/00
на замовлення 2856 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH582AA
на замовлення 809 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH582AAT
на замовлення 988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5D103KA
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5D223KA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G10P33B103F08TH
на замовлення 55768 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G10P33B103J08TH0402TEM
на замовлення 37616 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G10P35A221J08TH0402T
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G10P39B332K08TH
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G10P39B682J08TH
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G10P42B104J08TH0402T
на замовлення 18200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P30B102J07TH0603-1KMURATA
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P33B103E07TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P33B103F07T
на замовлення 23497 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH5G16P33B103F07TH
на замовлення 186921 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]