Продукція > ZXM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ZXMC10A816N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V, 717pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.07 грн
10+63.12 грн
100+42.05 грн
500+30.99 грн
1000+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.14 грн
5000+34.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 100/-100V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 2.2/-2.1A
Pulsed drain current: 9.4A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23/0.235Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.14 грн
5000+34.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+42.33 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.23 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.235ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.23ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.59 грн
11+73.69 грн
100+48.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes Inc./ZetexMOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V, 717pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.24 грн
5000+36.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TC
Код товару: 184010
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.32 грн
5000+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDiodes IncorporatedMOSFETs 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.37 грн
10+71.69 грн
100+41.35 грн
500+32.45 грн
1000+29.62 грн
2500+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC10A816N8TCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.63 грн
500+36.72 грн
1000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16NA03+ SMD8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8QDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8QTADiodes ZetexMOSFET BVDSS, 25V to 30V SO-8 0.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8QTADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 0.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8QTADiodes ZetexMOSFET BVDSS, 25V to 30V SO-8 0.5K
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+84.93 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 5.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V, 970pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V, 48mOhm @ 4.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V, 24.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+63.10 грн
1000+56.04 грн
1500+53.64 грн
2500+48.46 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
на замовлення 44075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+49.47 грн
1000+43.67 грн
1500+41.65 грн
2500+36.95 грн
3500+35.69 грн
5000+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs N and P Channel
на замовлення 1354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.53 грн
10+87.33 грн
100+51.15 грн
500+34.52 грн
1000+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 44290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.45 грн
10+88.85 грн
100+59.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.45 грн
10+88.85 грн
100+59.99 грн
500+44.71 грн
1000+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TCDiodes IncorporatedMOSFETs Cmp 30V NP Ch UMOS
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.39 грн
10+84.15 грн
100+51.98 грн
500+43.49 грн
1000+39.90 грн
2500+35.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A16DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.89 грн
5000+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17N/A
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMC3A17DN8TA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.47 грн
10+82.15 грн
50+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A, 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+36.94 грн
1000+32.44 грн
1500+30.85 грн
2500+27.26 грн
3500+26.27 грн
5000+25.30 грн
12500+24.34 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMC3A17DN8TA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A, 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.84 грн
10+68.06 грн
100+45.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V Enhancement Mode
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.12 грн
10+66.69 грн
100+38.66 грн
500+29.41 грн
1000+25.47 грн
2500+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A17DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A18N/A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A18DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A18DN8Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3A18DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AM832ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AM832TA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AMCTADiodes IncorporatedMOSFETs 30V COMP ENH MODE 20V VGS 3.7 IDS
на замовлення 12431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.40 грн
10+61.76 грн
100+33.96 грн
250+28.72 грн
500+25.75 грн
1000+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AMCTADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AMCTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMC3AMCTA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3020B
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.45W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.96 грн
14+61.69 грн
100+36.48 грн
500+29.02 грн
1000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AMCTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.7W
на замовлення 3983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.84 грн
10+68.06 грн
100+45.38 грн
500+33.46 грн
1000+30.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AMCTADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AMCTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.7W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3AMCTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMC3AMCTA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3020B
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.45W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.48 грн
500+29.02 грн
1000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3F31DN8Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3F31DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+25.86 грн
1000+22.56 грн
1500+21.37 грн
2500+18.80 грн
3500+18.06 грн
5000+17.33 грн
12500+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3F31DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMC3F31DN8TA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3F31DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs 30V S08 Dual MOSFET 20V VBR 4.5V Gate
на замовлення 3722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.83 грн
10+42.95 грн
100+25.68 грн
500+18.16 грн
1000+16.57 грн
2500+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3F31DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMC3F31DN8TA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.96 грн
16+52.19 грн
100+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC3F31DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 23500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
10+48.99 грн
100+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+39.28 грн
1000+35.90 грн
2000+33.41 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TADIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 3.6/-2.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+117.23 грн
10+65.15 грн
25+55.67 грн
100+43.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TADiodes Inc./ZetexSOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+37.78 грн
1000+35.58 грн
2500+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.92 грн
10+79.12 грн
100+53.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.38 грн
10+91.59 грн
25+90.67 грн
100+71.36 грн
250+44.84 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Comp. 60V NP-Chnl
на замовлення 3333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.50 грн
10+84.95 грн
100+49.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+91.59 грн
157+90.67 грн
192+74.00 грн
283+48.42 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TCDiodes IncorporatedMOSFETs 60V TRENCH MOSFET 20V VGS P-Channel
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.38 грн
10+111.94 грн
100+66.48 грн
500+56.06 грн
1000+49.64 грн
2500+45.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+39.09 грн
Мінімальне замовлення: 1480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4559DN8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8ZETEX07+ SO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8TADiodes IncorporatedMOSFET 40V N/P-Channel Enhancement MOSFET
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC4A16DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A07T8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Comp. 60V NP-Chnl
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.73 грн
10+165.13 грн
100+100.79 грн
500+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.13 грн
10+108.29 грн
100+86.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8TADiodes Inc./ZetexMOSFET Comp. 60V NP-Chnl Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+186.68 грн
84+169.64 грн
85+167.94 грн
102+134.92 грн
250+123.68 грн
500+99.86 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.68 грн
10+169.64 грн
25+167.94 грн
100+134.92 грн
250+123.68 грн
500+99.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C02XZETEX07+ MSOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C02XTADiodes IncDescription: MOSFET N+P 20V 1.7A 8-MSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]