Продукція > DMN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN4035L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 720mW Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 20 V | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4035LQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 720mW Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4035LQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4035LQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 720mW Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 40445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4035LQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN4035LQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 11761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4035LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 720mW Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN4035LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN4035LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 4496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4035LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 720mW Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN4036LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 8.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN4036LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 8.5A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4036LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 40V N-CHANNEL | на замовлення 199 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4036LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 8.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN4036LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 8.5A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 20 V | на замовлення 46802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4036LK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 8.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4036LK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 31V-40V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN4036LK3Q-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS, 31V to 40V TO252, 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN4040SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 9.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN4040SK3-13 | Diodes | rans MOSFET N-CH 40V 9.3A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN4040SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 6A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V | на замовлення 153674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4040SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V N-Ch Enh Mode 30mOhm 10V 13.8A | на замовлення 17864 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4040SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 9.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 53 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN4040SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 9.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4040SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 6A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V | на замовлення 152500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4040SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN4060SVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 45V 4.8A 6-Pin TSOT-26 T/R | на замовлення 2564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4060SVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 45V 4.8A 6-Pin TSOT-26 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4060SVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 45V 4.8A 6-Pin TSOT-26 T/R | на замовлення 2564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4060SVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V | на замовлення 4165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4060SVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V TSOT26 T&R 3K | на замовлення 23361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4060SVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 45V 4.8A 6-Pin TSOT-26 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4060SVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 45V 4.8A 6-Pin TSOT-26 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN4060SVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 45V 4.8A 6-Pin TSOT-26 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4060SVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4060SVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 45V 4.8A 6-Pin TSOT-26 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4060SVTQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V TSOT26 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN4060SVTQ-7 | Diodes Zetex | DMN4060SVTQ-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4060SVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V TSOT26 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN4468LSS | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN4468LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N CH 30V 10A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.52W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V | на замовлення 92500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4468LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN4468LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.95V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.52W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4468LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N CH 30V 10A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.52W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V | на замовлення 93306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4468LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN4468LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.95V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.52W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4468LSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 50A; 1.52W; SO8 Kind of package: 13 inch reel; tape Case: SO8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 18.85nC On-state resistance: 20mΩ Power dissipation: 1.52W Drain current: 9A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 50A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN4468LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-CHAN ENHNCMNT MODE | на замовлення 3104 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4800LSS | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN4800LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-CHAN ENHNCMNT MODE | на замовлення 4791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4800LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-Pin SOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN4800LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V | на замовлення 645000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4800LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN4800LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.46W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4800LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4800LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 646968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4800LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN4800LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.46W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4800LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN4800LSSL-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V | на замовлення 5005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4800LSSL-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN4800LSSL-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.46W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 4735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4800LSSL-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4800LSSL-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN4800LSSL-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.46W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 4735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4800LSSL-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 SO-8,2.5K | на замовлення 4157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4800LSSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 67014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4800LSSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 25Vgs 9A 16mOhm 1.6V | на замовлення 2704 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4800LSSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN4800LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.46W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4800LSSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SO Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN4800LSSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN4800LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.46W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN5010VAK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563 | на замовлення 152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5010VAK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5010VAK-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs Dual N-Channel | на замовлення 4490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN5040LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5040LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 5.2A 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN5040LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 5.2A 8SO T&R 2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN52D0LT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT523 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN52D0LT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | на замовлення 3862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN52D0LT-13 | Diodes Zetex | 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN52D0LT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN52D0LT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | на замовлення 161965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN52D0LT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT523 T&R 3K | на замовлення 5740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN52D0LT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | на замовлення 159000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN52D0LT-7 | Diodes Zetex | 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN52D0U-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN52D0U-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V SOT23 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN52D0U-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 500mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN52D0U-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V SOT23 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN52D0U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 500mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V | на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN52D0U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN52D0UDM-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT26 T&R Supplier Device Package: SOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Standard Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.4pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Power - Max: 490mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN52D0UDM-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT26 T&R 3K | на замовлення 1464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN52D0UDM-7 | Diodes Zetex | DMN52D0UDM-7 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN52D0UDMQ-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V SOT26 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN52D0UDMQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.41A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490µW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.4pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN52D0UDMQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT26 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN52D0UDW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V SOT363 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.3pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN52D0UDWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V SOT363 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.3pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN52D0UQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 500mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN52D0UQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN52D0UQ-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V SOT23 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN52D0UQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 500mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN52D0UQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN52D0UQ-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 41V60V SOT23 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN52D0UV-13 | Diodes Zetex | 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. |