Продукція > FDM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMS8333LNonsemiDescription: FET 40V 3.1 MOHM PQFN56
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.37 грн
10+77.85 грн
100+52.22 грн
500+38.70 грн
1000+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8350LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 47A/200A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17500 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8350Lonsemi / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET 40V, 290A, 0.85mohm
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+326.99 грн
10+270.72 грн
25+222.29 грн
100+189.84 грн
250+179.49 грн
500+169.13 грн
1000+144.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8350LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8350L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 290 A, 710 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 710µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8350LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 47A/200A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17500 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8350LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8350L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 290 A, 710 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 710µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8350LONN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8350LET40onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A/300A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.33W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16590 pF @ 20 V
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+366.57 грн
10+235.50 грн
100+168.89 грн
500+131.85 грн
1000+129.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8350LET40onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A/300A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.33W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16590 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8350LET40onsemi / FairchildMOSFET PT8 40V/20V NchPower Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+75.59 грн
210+67.78 грн
250+59.30 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+107.09 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460onsemi / FairchildMOSFETs 40V N-Channel Power Trench
на замовлення 5538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.03 грн
10+88.92 грн
100+76.63 грн
3000+68.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+109.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.60 грн
25+75.59 грн
100+65.36 грн
250+54.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+91.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.24 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+108.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+137.81 грн
5+106.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+211.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460onsemiMOSFETs 40V N-Channel Power Trench
на замовлення 3296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.39 грн
10+92.89 грн
100+54.88 грн
500+43.77 грн
6000+40.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7205 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.82 грн
10+137.46 грн
100+105.46 грн
500+83.86 грн
1000+79.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+102.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+120.00 грн
500+94.98 грн
1500+82.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+108.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+82.28 грн
174+81.51 грн
176+80.69 грн
250+75.03 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+106.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+116.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7205 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+85.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+102.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8460ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8460 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.55 грн
50+132.09 грн
100+120.00 грн
500+94.98 грн
1500+82.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8558SonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/90A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5118 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8558SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25/12V Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8558SonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/90A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5118 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8558SDCON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8558SDConsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8560SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8560S - FDMS8560S, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8560SonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8560SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8560SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25/12V Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 8785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8560SonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8570SFairchild SemiconductorDescription: 28A, 25V, 0.0028OHM, N-CHANNEL,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2825 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 425 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 7113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+39.30 грн
Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8570SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25/12V Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8570SonsemiDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 425 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2825 pF @ 13 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+39.30 грн
Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8570SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8570S - FDMS8570S, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8570SDCON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8570SDCFairchild SemiconductorDescription: 28A, 25V, 0.0028OHM, N-CHANNEL,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2825 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Dual Cool™56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 59W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 11046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 14974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+131.12 грн
1000+120.49 грн
10000+103.68 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 104W; PQFN8
Polarisation: unipolar
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 104W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101ONS/FAIMOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+152.14 грн
111+128.52 грн
112+127.58 грн
200+95.68 грн
500+82.77 грн
1000+77.36 грн
2000+76.79 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+87.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101onsemi / FairchildMOSFETs 100/20V Nch Power Trench
на замовлення 35915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.88 грн
10+130.20 грн
100+68.90 грн
500+61.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86101 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 11375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.43 грн
10+134.50 грн
100+98.26 грн
500+74.79 грн
1000+66.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101
Код товару: 198273
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+156.61 грн
109+130.78 грн
110+129.47 грн
138+99.47 грн
250+91.18 грн
500+80.29 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+187.88 грн
250+146.75 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 14589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.57 грн
10+133.12 грн
100+91.94 грн
500+69.77 грн
1000+67.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101ONN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+87.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+87.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101onsemiMOSFETs 100/20V Nch Power Trench
на замовлення 30330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.82 грн
10+135.76 грн
100+84.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+91.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+156.61 грн
10+130.78 грн
25+129.47 грн
100+99.47 грн
250+91.18 грн
500+80.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 14350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1087+98.08 грн
Мінімальне замовлення: 1087 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101-SN00155onsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101Aonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 13199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.28 грн
10+172.27 грн
100+109.76 грн
500+107.69 грн
3000+100.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 13A/60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.50 грн
10+167.08 грн
25+165.38 грн
100+156.46 грн
250+142.09 грн
500+133.65 грн
1000+130.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+174.82 грн
500+165.38 грн
1000+157.11 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101AonsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.67 грн
10+173.07 грн
100+117.36 грн
500+103.55 грн
1000+99.41 грн
3000+91.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+174.82 грн
500+165.38 грн
1000+157.11 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 13A/60A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 50 V
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.22 грн
10+193.92 грн
100+136.85 грн
500+109.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 180A; 104W; Power56
Polarisation: unipolar
Case: Power56
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 58nC
On-state resistance: 13.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 104W
Pulsed drain current: 180A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101AONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86101A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+122.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+185.50 грн
85+167.08 грн
86+165.38 грн
100+156.46 грн
250+142.09 грн
500+133.65 грн
1000+130.98 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+333.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86101DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7500 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+202.96 грн
500+160.79 грн
1500+140.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+231.52 грн
500+218.53 грн
1000+206.72 грн
10000+187.95 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+351.16 грн
10+256.85 грн
25+250.14 грн
100+214.14 грн
250+195.41 грн
500+183.71 грн
1000+170.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DConsemi / FairchildMOSFETs 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET
на замовлення 6470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.03 грн
10+191.33 грн
100+142.90 грн
500+142.21 грн
1000+140.14 грн
3000+121.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3135 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+130.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 125W; DFN8
Polarisation: unipolar
Case: DFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 13mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 125W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+193.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+351.16 грн
56+256.85 грн
57+250.14 грн
100+214.14 грн
250+195.41 грн
500+183.71 грн
1000+170.18 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86101DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7500 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+371.29 грн
50+232.76 грн
100+202.96 грн
500+160.79 грн
1500+140.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 72891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+231.52 грн
500+218.53 грн
1000+206.72 грн
10000+187.95 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DConsemiMOSFETs 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET
на замовлення 6886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+387.40 грн
10+241.34 грн
100+157.40 грн
500+142.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+250.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DCONS/FAIMOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3135 pF @ 50 V
на замовлення 30694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.89 грн
10+240.74 грн
100+172.05 грн
500+144.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+193.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 5633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+231.52 грн
500+218.53 грн
1000+206.72 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]