Продукція > FDM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMS86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.75 грн
10+159.37 грн
100+114.78 грн
500+92.76 грн
1000+85.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+79.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZONS/FAIMOSFET N-CH 100V 7A/22A PQFN-8 Транзистори
на замовлення 141 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
5+189.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305 pF @ 50 V
на замовлення 31360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.82 грн
10+138.43 грн
100+95.69 грн
500+72.66 грн
1000+70.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+153.69 грн
108+132.01 грн
133+106.55 грн
500+81.38 грн
1000+73.07 грн
2000+65.06 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+126.82 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+108.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 50 V
на замовлення 6565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.33 грн
10+90.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103Lonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 35503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86103L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 49 A, 6400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+107.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.38 грн
132+107.49 грн
134+105.60 грн
500+96.38 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+367.00 грн
59+239.86 грн
100+167.69 грн
500+135.73 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+77.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103LonsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+126.35 грн
114+124.46 грн
119+119.75 грн
500+113.65 грн
1000+101.87 грн
2000+93.93 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86103L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 49 A, 6400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+113.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+112.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+367.00 грн
10+239.86 грн
100+167.69 грн
500+137.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+120.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+169.72 грн
500+153.22 грн
1000+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+118.45 грн
130+109.12 грн
131+108.49 грн
133+103.20 грн
250+94.23 грн
500+89.19 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+152.87 грн
108+131.09 грн
109+130.41 грн
127+108.10 грн
250+97.46 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+183.86 грн
98+145.20 грн
126+113.10 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.67 грн
10+123.27 грн
100+111.41 грн
500+105.31 грн
1000+95.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 50 V
на замовлення 15284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.12 грн
10+154.20 грн
100+107.23 грн
500+81.81 грн
1000+80.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 7448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+138.90 грн
116+122.59 грн
128+110.79 грн
500+104.72 грн
1000+94.97 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+190.02 грн
95+150.11 грн
117+121.53 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+223.84 грн
89+160.56 грн
119+119.01 грн
500+92.49 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+97.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+193.12 грн
250+163.56 грн
500+160.04 грн
1000+147.58 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+174.13 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+72.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104onsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+133.29 грн
120+118.38 грн
139+102.30 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+176.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2885+174.13 грн
Мінімальне замовлення: 2885 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+336.88 грн
10+219.35 грн
100+152.53 грн
500+123.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+119.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 73W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 73W
Case: PQFN8
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+73.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+102.39 грн
250+93.96 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+123.76 грн
500+111.38 грн
1000+102.72 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
372+95.17 грн
500+91.11 грн
1000+86.05 грн
Мінімальне замовлення: 372 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+73.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.25 грн
10+118.80 грн
100+81.52 грн
500+61.54 грн
1000+57.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+123.76 грн
500+111.38 грн
1000+102.72 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.90 грн
10+114.03 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+135.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+85.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+231.84 грн
500+224.08 грн
1000+209.65 грн
3000+182.92 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+172.08 грн
6000+171.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+165.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150onsemiDescription: MOSFET N CH 100V 16A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+134.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 4850 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4850µohm
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150onsemi / FairchildMOSFETs PT5 100V/20V Nch PowerTrench MOSFET
на замовлення 17735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+165.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+173.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+130.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+158.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+173.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150onsemiMOSFETs PT5 100V/20V Nch PowerTrench MOSFET
на замовлення 6722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 187W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 187W
Case: PQFN8
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+179.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+296.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+320.87 грн
49+290.41 грн
52+274.67 грн
100+229.94 грн
250+210.81 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150onsemiDescription: MOSFET N CH 100V 16A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
на замовлення 11127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+383.29 грн
10+245.68 грн
50+192.79 грн
100+164.96 грн
500+148.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 4850 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4850µohm
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+158.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+179.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150AonsemiDescription: FET 100V 4.85 MOHM PQFN56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4665 pF @ 50 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+138.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150AonsemiMOSFETs FET 100V 4.85 MOHM PQFN56
на замовлення 5485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150AonsemiDescription: FET 100V 4.85 MOHM PQFN56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4665 pF @ 50 V
на замовлення 23950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.26 грн
10+233.61 грн
100+166.46 грн
500+129.35 грн
1000+124.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+633.32 грн
10+417.09 грн
50+334.49 грн
100+289.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+326.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+586.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100onsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+447.88 грн
100+425.48 грн
500+403.09 грн
1000+367.10 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+541.60 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+160.67 грн
90+158.22 грн
91+155.67 грн
100+147.75 грн
250+134.62 грн
500+127.05 грн
1000+124.95 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.