Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN1R8-30BL,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+253.97 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30BL,118NexperiaMOSFET Std N-chanMOSFET
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30MLHXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 110A; Idm: 624A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 624A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30MLHXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.80 грн
10+96.85 грн
100+56.88 грн
500+45.36 грн
1500+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 150A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 15 V
на замовлення 20992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.81 грн
10+98.87 грн
100+76.92 грн
500+61.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 150A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 15 V
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+55.15 грн
3000+50.00 грн
7500+47.61 грн
10500+42.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30MLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 150A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 22291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+118.03 грн
500+106.23 грн
1000+97.96 грн
10000+84.23 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30PLNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30PL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+359.10 грн
104+341.38 грн
500+323.66 грн
1000+293.88 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30PL,127NexperiaMOSFET PSMN1R8-30PL/SOT78/SIL3P
на замовлення 9560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.40 грн
10+188.95 грн
50+127.02 грн
100+104.93 грн
500+102.86 грн
1000+98.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30PL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+359.10 грн
104+341.38 грн
500+323.66 грн
1000+293.88 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30PL,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R8-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+269.00 грн
10+149.80 грн
100+122.42 грн
500+97.22 грн
1000+85.60 грн
2000+83.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30PL,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1120A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1120A
Power dissipation: 270W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30PL,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 12 V
на замовлення 4886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.45 грн
10+188.76 грн
100+133.20 грн
500+102.71 грн
1000+95.53 грн
2000+93.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 20 V
на замовлення 5658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.76 грн
10+99.24 грн
100+67.47 грн
500+50.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R8-40YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
Verlustleistung: 272W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+256.92 грн
10+166.72 грн
100+103.09 грн
500+79.27 грн
1000+67.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+71.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+72.15 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 20 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+49.10 грн
3000+43.96 грн
4500+42.27 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+144.11 грн
500+135.84 грн
1000+128.76 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115NexperiaMOSFETs N-channel 40 V 1.8 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.11 грн
10+102.41 грн
100+69.72 грн
500+58.54 грн
1000+53.09 грн
1500+47.70 грн
3000+47.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-80SSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R8-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 286A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 3655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1019.63 грн
10+686.20 грн
100+440.55 грн
500+337.29 грн
1000+305.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-80SSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R8-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+686.20 грн
100+440.55 грн
500+337.29 грн
1000+305.13 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-80SSFNexperiaMOSFET MOSFET DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-80SSFJNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+526.73 грн
10+340.58 грн
100+264.40 грн
1000+249.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-80SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15319 pF @ 40 V
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+635.29 грн
10+416.79 грн
50+333.21 грн
100+287.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-80SSFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R8-80SSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1350 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+521.09 грн
5+470.35 грн
10+419.61 грн
50+366.46 грн
100+298.23 грн
250+292.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-80SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15319 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-80SSFJNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 205A; Idm: 1158A; 341W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 222nC
On-state resistance: 4.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 341W
Pulsed drain current: 1158A
Drain current: 205A
Case: LFPAK88; SOT1235
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-80SSFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R8-80SSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1350 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+419.61 грн
50+366.46 грн
100+298.23 грн
250+292.01 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-25YLC,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
на замовлення 5149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 875 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40PLNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40PL,127NexperiaPSMN1R9-40PL,127
на замовлення 24600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+361.46 грн
104+343.74 грн
500+324.84 грн
1000+296.16 грн
10000+258.40 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40PL,127NexperiaPSMN1R9-40PL,127
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+361.46 грн
104+343.74 грн
500+324.84 грн
1000+296.16 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40PL,127Nexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
на замовлення 44600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+115.36 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40PL,127NexperiaPSMN1R9-40PL,127
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+361.46 грн
104+343.74 грн
500+324.84 грн
1000+296.16 грн
10000+258.40 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40PL127NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 349W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
184+116.77 грн
Мінімальне замовлення: 184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40PL127NXP SemiconductorsPSMN1R9-40PL127
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+361.46 грн
104+343.74 грн
500+324.84 грн
1000+296.16 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40PL127NXP SemiconductorsPSMN1R9-40PL127
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+361.46 грн
104+343.74 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40PLQNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+406.35 грн
100+386.27 грн
500+366.19 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40PLQNexperiaMOSFETs PSMN1R9-40PL/SOT78/SIL3P
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+373.70 грн
10+241.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40PLQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.16 грн
10+221.37 грн
100+157.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40YSBXNexperia USA Inc.Description: PSMN1R9-40YSB/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6297 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40YSBXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40YSBXNexperia USA Inc.Description: PSMN1R9-40YSB/SOT669/LFPAK
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6297 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40YSBXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 200A
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.00 грн
10+93.68 грн
100+54.88 грн
500+43.84 грн
1000+37.28 грн
1500+35.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40YSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6198 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.52 грн
10+109.04 грн
100+74.76 грн
500+56.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40YSDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 162A; Idm: 919A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Pulsed drain current: 919A
Power dissipation: 194W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40YSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6198 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40YSDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 200A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 286A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+306.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1600 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 286A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 340W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+688.62 грн
50+460.69 грн
100+385.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSEJNexperiaMOSFETs SOT1235 N-CH 80V 286A
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+509.82 грн
10+338.20 грн
100+235.41 грн
500+209.17 грн
1000+198.13 грн
2000+185.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 286A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+523.44 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSEJNexperia USA Inc.Description: APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 286A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17140 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 286A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1600 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 286A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 340W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+688.62 грн
50+460.69 грн
100+385.79 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSEJNexperia USA Inc.Description: APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 286A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17140 pF @ 40 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+178.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 286A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+304.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSEJNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 202A; Idm: 1142A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 202A
Pulsed drain current: 1142A
Power dissipation: 340W
Case: LFPAK88; SOT1235
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 232nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSJJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSJJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+686.20 грн
100+440.55 грн
500+337.29 грн
1000+305.13 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSJJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSJJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 286A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1019.63 грн
10+686.20 грн
100+440.55 грн
500+337.29 грн
1000+305.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSJJNexperiaMOSFETs PSMN1R9-80SSJ/SOT1235/LFPAK88
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1RS-40ES127NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN20-150W
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-100SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 267A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.07mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16140 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-100SSFJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 267A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+254.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-100SSFJNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+512.23 грн
10+330.26 грн
100+211.93 грн
500+188.46 грн
1000+181.56 грн
2000+166.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-100SSFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R0-100SSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 0.00163 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00163ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+414.78 грн
5+379.34 грн
10+343.10 грн
50+299.90 грн
100+258.88 грн
250+254.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-100SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 267A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.07mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16140 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-100SSFJNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 189A; Idm: 1070A; 341W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 189A
Pulsed drain current: 1070A
Power dissipation: 341W
Case: LFPAK88; SOT1235
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 242nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-100SSFJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 267A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-100SSFJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 267A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+594.17 грн
100+564.64 грн
500+535.11 грн
1000+487.52 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-100SSFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R0-100SSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 0.00163 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00163ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+258.88 грн
250+254.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25MLDNXPN-MOSFET 25V 70A 4.5V,10V 74W AUTOMOTIVE PSMN2R0-25MLDX TPSMN2r0-25ml
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+64.09 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25MLD,115Nexperia USA Inc.Description: PSMN2R0-25MLD - N-CHANNEL 25V, L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25MLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 70A; Idm: 555A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 555A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.27mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 12 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.06 грн
3000+31.22 грн
4500+29.92 грн
7500+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
383+92.70 грн
500+83.42 грн
1000+76.93 грн
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
383+92.70 грн
500+83.42 грн
1000+76.93 грн
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.55 грн
42+18.13 грн
43+17.96 грн
100+11.60 грн
250+10.63 грн
500+8.22 грн
1000+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
782+18.13 грн
790+17.96 грн
1179+12.03 грн
1191+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 782 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.27mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 12 V
на замовлення 9528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.38 грн
10+73.52 грн
100+49.23 грн
500+36.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25MLDXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 25V 70A
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.00 грн
10+73.75 грн
100+42.59 грн
500+33.48 грн
1000+28.93 грн
1500+26.37 грн
3000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
383+92.70 грн
500+83.42 грн
1000+76.93 грн
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.09mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2485 pF @ 12 V
на замовлення 4299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.82 грн
10+72.39 грн
100+48.46 грн
500+35.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.09mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2485 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+34.47 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25YLDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 25V 100A
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.62 грн
10+74.39 грн
100+42.52 грн
500+33.41 грн
1000+28.58 грн
1500+25.82 грн
3000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 9375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
474+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 474 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 127A; Idm: 722A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 127A
Pulsed drain current: 722A
Power dissipation: 115W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30BL,118NexperiaMOSFET Std N-chanMOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6810 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]