Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 40 45 50  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN1R7-25YLD115Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN1R7-25YLD - POW
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-25YLDXNexperiaMOSFETs PSMN1R7-25YLD/SOT669/LFPAK
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.59 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-25YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 152A; Idm: 860A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 152A
Pulsed drain current: 860A
Power dissipation: 135W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.28 грн
10+93.29 грн
50+70.44 грн
100+59.20 грн
500+47.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+115.44 грн
500+103.90 грн
1000+95.81 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 15120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+175.62 грн
500+157.94 грн
1000+146.15 грн
10000+125.02 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-30YL,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R7-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 109W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5057 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+55.06 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+175.62 грн
500+157.94 грн
1000+146.15 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-30YL,115NexperiaMOSFETs PSMN1R7-30YL/SOT669/LFPAK
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-30YL,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R7-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 109W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5057 pF @ 12 V
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.93 грн
10+110.20 грн
50+83.78 грн
100+70.61 грн
500+56.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-40YLBXNexperia USA Inc.Description: PSMN1R7-40YLB/SOT669/LFPAK
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.92 грн
10+91.40 грн
50+69.02 грн
100+57.99 грн
500+46.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-40YLBXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-40YLBXNexperiaMOSFETs PSMN1R7-40YLB/SOT669/LFPAK
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-40YLBXNexperia USA Inc.Description: PSMN1R7-40YLB/SOT669/LFPAK
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-40YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 167A; Idm: 944A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 167A
Pulsed drain current: 944A
Power dissipation: 194W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-40YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R7-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 194W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 194W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-40YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7966 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 8240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.71 грн
10+129.14 грн
50+98.56 грн
100+83.22 грн
500+63.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-40YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R7-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 194W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-40YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7966 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+65.38 грн
4500+56.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-40YLDXNexperiaMOSFETs PSMN1R7-40YLD/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BSNXPN-MOSFET 60V 120A 306W 2mΩ PSMN1R7-60BS NXP TPSMN1r7-60bs
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+150.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+347.43 грн
10+211.95 грн
100+192.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118NexperiaMOSFETs PSMN1R7-60BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9997 pF @ 30 V
на замовлення 4639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.28 грн
10+187.79 грн
50+145.79 грн
100+124.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 354 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+263.72 грн
5+210.50 грн
10+193.73 грн
25+187.02 грн
50+175.28 грн
100+165.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R7-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1660 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1660µohm
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9997 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+107.22 грн
2400+93.03 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30BL,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+253.40 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30BL,118NexperiaMOSFET Std N-chanMOSFET
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30MLHXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 110A; Idm: 624A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 624A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30MLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 150A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 150A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 15 V
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+55.66 грн
3000+50.46 грн
7500+48.05 грн
10500+43.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30MLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 150A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 22291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+117.77 грн
500+105.99 грн
1000+97.74 грн
10000+84.04 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30MLHXNexperiaMOSFETs PSMN1R8-30MLH/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 150A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 15 V
на замовлення 20992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.98 грн
10+99.78 грн
100+77.63 грн
500+61.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30PLNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30PL,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R8-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30PL,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 12 V
на замовлення 4886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.20 грн
10+190.51 грн
100+134.43 грн
500+103.66 грн
1000+96.42 грн
2000+94.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30PL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+358.30 грн
104+340.62 грн
500+322.94 грн
1000+293.23 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30PL,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1120A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1120A
Power dissipation: 270W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30PL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+358.30 грн
104+340.62 грн
500+322.94 грн
1000+293.23 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30PL,127NexperiaMOSFETs PSMN1R8-30PL/SOT78/SIL3P
на замовлення 4474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 20 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+49.51 грн
4500+42.63 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+143.79 грн
500+135.54 грн
1000+128.47 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115NexperiaMOSFETs PSMN1R8-40YLC/SOT669/LFPAK
на замовлення 4966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 20 V
на замовлення 23309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.25 грн
10+100.08 грн
50+75.86 грн
100+63.86 грн
500+50.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+67.82 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+67.69 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R8-40YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
Verlustleistung: 272W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-80SSEJNexperia USA Inc.Description: PSMN1R8-80SSE/SOT1235/LFPAK88
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-80SSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R8-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 286A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-80SSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R8-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-80SSEJNexperia USA Inc.Description: PSMN1R8-80SSE/SOT1235/LFPAK88
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+468.72 грн
10+303.42 грн
50+239.96 грн
100+206.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-80SSFNexperiaMOSFET MOSFET DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-80SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15319 pF @ 40 V
на замовлення 3262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.40 грн
10+294.52 грн
50+232.56 грн
100+199.57 грн
500+185.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-80SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15319 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+167.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-80SSFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R8-80SSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1350 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 341W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-80SSFJNexperiaMOSFETs PSMN1R8-80SSF/SOT1235/LFPAK88
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-80SSFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R8-80SSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1350 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 341W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-80SSFJNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 205A; Idm: 1158A; 341W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 205A
Pulsed drain current: 1158A
Power dissipation: 341W
Case: LFPAK88; SOT1235
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 222nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-25YLC,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
на замовлення 5149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 875 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40PLNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40PL,127NexperiaPSMN1R9-40PL,127
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+360.66 грн
104+342.98 грн
500+324.12 грн
1000+295.50 грн
10000+257.82 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40PL,127Nexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
на замовлення 44600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+116.42 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40PL,127NexperiaPSMN1R9-40PL,127
на замовлення 24600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+360.66 грн
104+342.98 грн
500+324.12 грн
1000+295.50 грн
10000+257.82 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40PL,127NexperiaPSMN1R9-40PL,127
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+360.66 грн
104+342.98 грн
500+324.12 грн
1000+295.50 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40PL127NXP SemiconductorsPSMN1R9-40PL127
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+360.66 грн
104+342.98 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40PL127NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 349W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+262.50 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40PL127NXP SemiconductorsPSMN1R9-40PL127
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+360.66 грн
104+342.98 грн
500+324.12 грн
1000+295.50 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40PLQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.37 грн
10+223.42 грн
100+158.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40PLQNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+405.45 грн
100+385.41 грн
500+365.37 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40PLQNexperiaMOSFETs PSMN1R9-40PL/SOT78/SIL3P
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40YSBXNexperia USA Inc.Description: PSMN1R9-40YSB/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6297 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40YSBXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40YSBXNexperiaMOSFETs PSMN1R9-40YSB/SOT669/LFPAK
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40YSBXNexperia USA Inc.Description: PSMN1R9-40YSB/SOT669/LFPAK
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6297 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.71 грн
10+91.86 грн
50+69.36 грн
100+58.28 грн
500+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40YSDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 200A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40YSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6198 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40YSDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 162A; Idm: 919A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Pulsed drain current: 919A
Power dissipation: 194W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40YSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6198 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.79 грн
10+126.35 грн
50+96.31 грн
100+81.30 грн
500+61.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSEJNexperia USA Inc.Description: APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 286A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17140 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1600 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 286A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 340W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSEJNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 202A; Idm: 1142A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 202A
Pulsed drain current: 1142A
Power dissipation: 340W
Case: LFPAK88; SOT1235
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 232nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 286A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+303.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSEJNexperia USA Inc.Description: APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 286A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17140 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 286A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+306.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 286A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+522.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSEJNexperiaMOSFETs PSMN1R9-80SSE/SOT1235/LFPAK88
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1600 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 286A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 340W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 286A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 40 45 50  [ Наступна Сторінка >> ]