Продукція > Si4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4562DYT1E3VISHAY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4562EYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4562PY
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4563DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4563DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4563DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4563DYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4564DY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4564DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.86 грн
5000+51.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4564DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs SO8 NPCH 40V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4564DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.94 грн
5000+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4564DY-T1-GE3Vishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4564DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4564DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0145ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0145ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 6624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4564DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.46 грн
5000+51.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4564DY-T1-GE3
Код товару: 49736
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4564DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4564DY-T1-GE3SiliconixTransistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 22mOhm; 30A; 5,2W; -55°C~150°C; SI4564DY-VB; SI4564DY-T1-GE3 Vishay TSI4564dy
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+65.22 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4564DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4564DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0145ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0145ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 6624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4564DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 6603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.78 грн
10+78.50 грн
100+52.90 грн
500+39.37 грн
1000+36.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4564DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4564DY-TI-E3
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4564DY-VBVBsemiTransistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm; 7,6A; 3W; -55°C~150°C; Substitute: SI4564DY-T1-GE3; SI4564DY-VB; SI4564DY SOIC8 VBSEMI TSI4564dy VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4565SIEMENS01+ SOP
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4565ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 5.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4565ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4565ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4565DYVISHAY09+
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4565DY-T1
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4565DY-T1-E3
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4565DY-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4565DY-TI-E3VISHAY09+
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4565DYT1E3VISHAY
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4567DY
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4567DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 5A/4.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.75W, 2.95W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4567DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4567DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 5A/4.4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.75W, 2.95W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4567DY-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4567DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4567DYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4569
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4569DY
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4569DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 7.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4569DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 7.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4569DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4569DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4569DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4574DY
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4574DY-T1-E3
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4574DY-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI459
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4590DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 100V 5.6A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4590DY-T1-GE3SI4590DY-T1-GE3 SI4590DY MOSFET N/P-CH 100V 4.5A/2.5A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4590DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3.4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2.4W, 3.4W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.30 грн
10+60.11 грн
100+39.78 грн
500+29.13 грн
1000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4590DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4590DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4590DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 100V 5.6A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4590DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -100V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4590DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.4W, 3.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4590DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4590DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4590DY-T1-GE3
Код товару: 175518
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4593DY-T1.09+ SMD
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4596
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DYVishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-E3
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 5.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3W, 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.8/-5.8A
Power dissipation: 3.1/3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62/42.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+87.81 грн
7+64.24 грн
10+55.92 грн
50+40.19 грн
100+35.00 грн
500+26.27 грн
1000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4599DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.0295 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0295ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0295ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
на замовлення 5141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.8A/5.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3
Код товару: 85373
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W, 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 3057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.44 грн
10+52.11 грн
100+34.42 грн
500+25.17 грн
1000+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4599DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.0295 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0295ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0295ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.8A/5.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI45C-08200Утримувач для NanoSim карт (потрібна вкладка-підкладка, в комплекті немає) HOLDER
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+490.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI460AF-023
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI460AF-A26
на замовлення 893 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4610ADT-T1-E3
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4613-A10-AMRSilicon LabsDescription: RF RECEIVER AM/FM 48QFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4613-A10-AMRSilicon LabsSI4613-A10-AMR SI4613
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4613-A10-GMSkyworks Solutions Inc.Description: RF RECEIVER AM/FM 48QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Modulation or Protocol: AM, FM
Data Interface: I2C, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.71V ~ 2V
Applications: General Purpose
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1885.07 грн
10+1675.09 грн
25+1535.46 грн
80+1331.80 грн
230+1266.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4613-A10-GMRSilicon LabsSI4613-A10-GMR SI4613
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4614-A10-AMSkyworks Solutions Inc.Description: IC DAB/DAB+ FM AM AUTO 48QFN
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 1.71V ~ 2V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Interface: I2C, SPI
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tray
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4614-A10-AMSkyworks Solutions, Inc.RF Receiver LOW-POWER, HIGH-PERFORMANCE DAB/DAB+ BASEBAND PROCESSOR, 7x7x0.85 48-pin QFN, RoHS compliant
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4614-A10-AMRSkyworks Solutions Inc.Description: IC DAB/DAB+ FM AM AUTO 48QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Data Interface: I2C, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.71V ~ 2V
Applications: General Purpose
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4614-A10-AMRSkyworks Solutions, Inc.RF Receiver LOW-POWER, HIGH-PERFORMANCE DAB/DAB+ BASEBAND PROCESSOR, 7x7x0.85 48-pin QFN, RoHS compliant
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4614-A10-GMSkyworks Solutions, Inc.RF Receiver Automotive DAB Coprocessor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4614-A10-GMSkyworks Solutions Inc.Description: IC DAB/DAB+ FM AM AUTO 48QFN
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 1.71V ~ 2V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Interface: I2C, SPI
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4614-A10-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: IC DAB/DAB+ FM AM AUTO 48QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Data Interface: I2C, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.71V ~ 2V
Applications: General Purpose
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4614-A10-GMRSkyworks Solutions, Inc.RF Receiver LOW-POWER, HIGH-PERFORMANCE DAB/DAB+ BASEBAND PROCESSOR, 7x7x0.85 48-pin QFN, RoHS compliant
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4617-A10-AMSkyworks Solutions Inc.Description: LOW-POWER, HIGH-PERFORMANCE AM/F
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tray
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
RF Type: General Purpose
Function: Baseband Processor
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4617-A10-AMRSkyworks SolutionsDIGITAL SIGNAL PROCESSOR IC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4617-A10-AMRSkyworks Solutions Inc.Description: LOW-POWER, HIGH-PERFORMANCE AM/F
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
RF Type: General Purpose
Function: Baseband Processor
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4617-A10-GMSkyworks Solutions Inc.Description: LOW-POWER, HIGH-PERFORMANCE AM/F
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
RF Type: General Purpose
Function: Baseband Processor
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4617-A10-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: LOW-POWER, HIGH-PERFORMANCE AM/F
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
RF Type: General Purpose
Function: Baseband Processor
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4618DY-T1-E3
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4618DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4618DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4816BDY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4618DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4618DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]