Продукція > IXT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTX600N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX60N50L2IXYSMOSFETs 60 Amps 500V
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX60N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 60A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 610 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
на замовлення 1571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3064.72 грн
30+1972.20 грн
60+1869.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX60N50L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 960W; PLUS247™; 980ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 980ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX660N04T4IXYSDescription: DISC MSFT NCHTRENCHGATE-GEN4 TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PLUS247™-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX660N04T4IXYSMOSFETs Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX6N200P3HVIXYSMOSFETs PLUS247 2KV 6A N-CH HIVOLT
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX6N200P3HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2000V 6A TO247PLUSHV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4715.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX8N150LIXYSMOSFETs Standard Linear Power MOSFET
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX8N150LIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 4A, 20V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 8V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX8N150LIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 8A; 700W; PLUS247™; 1.7us
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PLUS247™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 250nC
Reverse recovery time: 1.7µs
On-state resistance: 3.6Ω
Power dissipation: 700W
Drain current: 8A
Drain-source voltage: 1.5kV
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2583.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90N25L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; PLUS247™; 266ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 90A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 640nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 266ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90N25L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 90A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2621.92 грн
10+2409.39 грн
25+2309.63 грн
100+1686.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90N25L2IXYSMOSFETs 90 Amps 250V
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90N25L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 90A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2891.49 грн
30+1860.57 грн
60+1763.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90P20PIXYSMOSFETs -90.0 Amps -200V 0.044 Rds
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90P20PIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 90A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX90P20PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns
Mounting: THT
Power dissipation: 890W
Gate charge: 205nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Drain current: -90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
On-state resistance: 44mΩ
Reverse recovery time: 315ns
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1648.27 грн
5+1309.97 грн
10+1186.69 грн
30+1040.76 грн
120+1021.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 25 V
на замовлення 12684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.01 грн
70+135.10 грн
140+122.88 грн
560+97.57 грн
1050+91.34 грн
2030+85.78 грн
5040+81.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.58 грн
10+173.77 грн
25+170.31 грн
50+146.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.21 грн
10+86.12 грн
25+85.43 грн
50+78.42 грн
100+72.08 грн
500+59.35 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100IXYSMOSFETs 0.1 Amps 1000V 80 Rds
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY01N100 TRL
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY01N100. - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.1A, TO-252
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Startech Laptop Privacy Filter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 60ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100DIXYSMOSFETs MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 12950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+224.81 грн
560+195.56 грн
1050+185.53 грн
2030+173.96 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100DIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTY01N100D - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 400 mA, 50 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 50ohm
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100DIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 9912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+414.64 грн
10+266.14 грн
70+199.73 грн
140+171.57 грн
560+147.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100DIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO252; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO252
On-state resistance: 80Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 2ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 12950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+223.52 грн
560+194.44 грн
1050+184.47 грн
2030+172.97 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D TRIxys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY01N100D-TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 400 mA, 80 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+399.75 грн
10+256.48 грн
50+201.44 грн
100+172.42 грн
500+155.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D-TRLIXYSMOSFETs TO-252 1000V .4A N-CH MOSFET
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY01N100D-TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 400 mA, 80 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 100MA TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N80IXYSMOSFETs 0.1 Amps 800V 50 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY02N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.39 грн
10+158.43 грн
70+116.27 грн
140+99.04 грн
560+83.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY02N120PIXYSMOSFETs 0.2Amps 1200V
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY02N120PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 0.2A; 33W; TO252; 1.6us
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 33W
Case: TO252
Mounting: SMD
Drain current: 0.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
On-state resistance: 75Ω
Reverse recovery time: 1.6µs
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY02N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY02N120P-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY02N120P TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY02N120P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY02N120P. - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 0.2A, TO-252
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 75ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY02N50DIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 200MA TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.44 грн
70+91.94 грн
140+83.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY02N50DIXYSMOSFETs 0.2 Amps 500V 30 Rds
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY02N50D_TRLIXYSMOSFET 0.2 A 500V 30 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY03N90PHVIXYSDescription: MOSFET N-CH TO252AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY06N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 90A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2IXYSMOSFETs 8mAmps 1000V
на замовлення 4417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY08N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+382.82 грн
42+341.90 грн
70+306.25 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+414.64 грн
10+266.14 грн
70+199.73 грн
140+171.57 грн
560+147.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2 TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY08N100D2 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY08N100D2. - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.8A, TO-252
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100PIXYSMOSFETs 0.8 Amps 1000V 20 Rds
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+124.88 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100P-TRLIXYSDescription: IXTY08N100P TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100P-TRLIXYSMOSFET Modules IXTY08N100P TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N120PIXYSMOSFET 0.8 Amps 1200V 25 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N50D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS 500V 800MA
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N50D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO252; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 800MA TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.36 грн
10+185.00 грн
70+136.75 грн
140+116.80 грн
560+98.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N50D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTY08N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 800 mA, 4.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N50D2-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 500V; 800mA; 60W; DPAK; 400ns; module
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Version: module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N50D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 800MA TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+94.69 грн
5000+89.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N50D2-TRLIXYSMOSFET Modules DISCRETE SEMICONDUCTOR MODULES
на замовлення 2224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N50D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 800MA TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.15 грн
10+185.15 грн
100+130.25 грн
500+103.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY10P15TIXYSMOSFETs TrenchP Power MOSFET
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY10P15TIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 10A TO-252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY12N06TIXYSMOSFETs 12 Amps 6V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY12N06TIXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 12A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY12N06TTRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 12A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY12N06TTRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 12A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTY14N60X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.25 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2IXYSMOSFETs TO252 600V 14A N-CH X2CLASS
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
на замовлення 342 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+347.72 грн
10+249.08 грн
25+218.89 грн
70+214.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2-TRLLittelfuseMOSFETs Discrete MOSFET 14A 600V X2 TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY14N60X2-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; 600V; 14A; 180W; TO252/DPAK; 320ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 180W
Case: TO252/DPAK
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 320ns
Gate charge: 16.7nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY15N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 15A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY15N20TIXYSMOSFETs 15 Amps 200V 180 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY15P15TIXYSMOSFETs TrenchP Power MOSFET
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY15P15TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 150V 15A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
на замовлення 2774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.44 грн
70+220.05 грн
140+188.62 грн
560+157.34 грн
1050+134.72 грн
2030+126.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY18P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 18A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.47 грн
70+159.80 грн
140+146.00 грн
560+116.97 грн
1050+110.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY18P10TIXYSMOSFETs -100V -18A
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY18P10T-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY18P10T-TRLIXYSDiscrete Semiconductor Modules DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.