Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN2R5-60PLQNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; Idm: 1002A; 349W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 1002A
Power dissipation: 349W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-60PLQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-60PLQNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+309.49 грн
500+292.95 грн
1000+277.59 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-80SSEJNexperia USA Inc.Description: POWERMOS ASFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13485 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-80SSEJNexperia USA Inc.Description: POWERMOS ASFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13485 pF @ 40 V
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+425.60 грн
10+274.54 грн
100+197.89 грн
500+155.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-80SSEJNexperiaMOSFETs PSMN2R5-80SSE/SOT1235/LFPAK88
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+521.90 грн
10+344.55 грн
50+236.10 грн
100+216.08 грн
1000+172.59 грн
2000+167.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-100SSFNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R6-100SSF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 2600 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 341W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+499.35 грн
10+351.96 грн
100+281.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-100SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12838 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-100SSFJNexperiaMOSFETs PSMN2R6-100SSF/SOT1235/LFPAK88
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+480.02 грн
10+315.97 грн
50+216.08 грн
100+197.44 грн
1000+154.64 грн
2000+149.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-100SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12838 pF @ 50 V
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.79 грн
10+234.98 грн
100+168.52 грн
500+131.54 грн
1000+125.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-30YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R6-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00235 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.54V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.04 грн
500+24.60 грн
1000+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-30YLC,115NexperiaMOSFETs PSMN2R6-30YLC/SOT669/LFPAK
на замовлення 5481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.48 грн
10+62.16 грн
100+35.62 грн
500+27.68 грн
1000+21.95 грн
1500+20.99 грн
3000+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-30YLC,115NXPMOSFET N-CH 30V 100A LFPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2435 pF @ 15 V
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.52 грн
10+62.22 грн
100+41.35 грн
500+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-30YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R6-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2350 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.54V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.55 грн
10+89.40 грн
100+59.12 грн
500+43.53 грн
1000+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2435 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.81 грн
22+35.66 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-30YLC,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-30YLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 575A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 575A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YSNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+92.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R6-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0028 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 131W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.73 грн
500+56.61 грн
1000+50.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115NexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 6457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.80 грн
10+114.32 грн
100+67.65 грн
500+54.26 грн
1500+47.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+66.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+126.94 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115NXPТранзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 131Вт Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3776 pF @ 12 V
на замовлення 34604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.08 грн
10+105.60 грн
100+72.32 грн
500+54.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+172.46 грн
500+154.74 грн
1000+142.93 грн
10000+123.02 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+96.78 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.87 грн
44+17.20 грн
45+16.32 грн
50+14.87 грн
100+14.04 грн
250+13.80 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 131W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R6-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 131W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+310.88 грн
10+201.35 грн
100+124.84 грн
500+96.48 грн
1000+82.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+68.61 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+93.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+68.61 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3776 pF @ 12 V
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+60.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN2R6-40YS/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3776 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS/2XNexperiaMOSFETs MOSFET-LOW VOLT SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-60PS127NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-60PSQNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; Idm: 961A; 326W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 961A
Power dissipation: 326W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-60PSQNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+314.21 грн
500+297.68 грн
1000+281.14 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-60PSQNXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN2R6-60PSQ - 150
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7629 pF @ 25 V
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+231.02 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-60PSQNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 4826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+314.21 грн
500+297.68 грн
1000+281.14 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-60PSQNexperiaMOSFET PSMN2R6-60PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 4949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.23 грн
10+201.65 грн
50+135.31 грн
100+105.62 грн
500+104.93 грн
1000+102.86 грн
2500+102.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-60PSQNXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+314.21 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-60PSQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7629 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-60PSQNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+314.21 грн
500+297.68 грн
1000+281.14 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-60PSQNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+314.21 грн
500+297.68 грн
1000+281.14 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-60PSQNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-60PSQ127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-80YSFNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R6-80YSF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 231 A, 2400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 231A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.10 грн
10+144.17 грн
100+103.09 грн
500+80.02 грн
1000+72.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-80YSFXNexperia USA Inc.Description: PSMN2R6-80YSF/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 231A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8191 pF @ 40 V
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.59 грн
10+124.30 грн
100+85.56 грн
500+64.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-80YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 231A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-80YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 231A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+89.69 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-80YSFXNexperia USA Inc.Description: PSMN2R6-80YSF/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 231A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8191 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-80YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 231A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-80YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 231A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+89.46 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-80YSFXNexperiaMOSFETs PSMN2R6-80YSF/SOT1023/LFPAK56E
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.04 грн
10+136.55 грн
100+80.08 грн
500+64.68 грн
1000+57.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R7-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3954 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R7-30BL,118NexperiaMOSFETs PSMN2R7-30BL/SOT404/D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R7-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3954 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R7-30BL,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 730A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 730A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R7-30BL,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R7-30PL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+194.91 грн
500+185.46 грн
1000+174.82 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R7-30PL,127NexperiaMOSFET PSMN2R7-30PL/SOT78/SIL3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R7-30PL,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V TO220AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R7-30PL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+194.91 грн
500+185.46 грн
1000+174.82 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R7-30PL,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3954 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-25MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2432 pF @ 12.5 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.04 грн
3000+31.19 грн
4500+29.90 грн
7500+26.69 грн
10500+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-25MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-25MLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 70A; Idm: 536A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 536A
Power dissipation: 88W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-25MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2432 pF @ 12.5 V
на замовлення 14585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.38 грн
10+73.44 грн
100+49.19 грн
500+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-25MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-25MLC,115NexperiaMOSFETs PSMN2R8-25MLC/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.82 грн
10+56.60 грн
100+32.10 грн
500+24.71 грн
1000+22.30 грн
1500+20.30 грн
3000+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-25MLC115NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN2R8-25MLC 70A,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-25MLC115NXP SemiconductorsDescription: NOW NEXPERIA PSMN2R8-25MLC 70A,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40BSNexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN2R8-25MLC 70A,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40BSNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40BSNXP SemiconductorsDescription: NOW NEXPERIA PSMN2R8-25MLC 70A,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40BS,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+184.28 грн
500+174.82 грн
1000+164.19 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4491 pF @ 20 V
на замовлення 6867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+132.01 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40BS,118NXPDescription: NXP - PSMN2R8-40BS,118 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+98.26 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40BS,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+184.28 грн
500+174.82 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4491 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+184.28 грн
500+174.82 грн
1000+164.19 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40BS,118Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA PSMN2R8-40BS - 100A, 40
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4491 pF @ 20 V
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+132.01 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40BS,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+184.28 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40BS,118NexperiaMOSFET Std N-chanMOSFET
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.02 грн
10+161.95 грн
100+113.22 грн
500+93.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+149.08 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+167.65 грн
100+152.79 грн
250+147.82 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4491 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+167.87 грн
100+152.99 грн
250+148.01 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40PS,127NexperiaMOSFET PSMN2R8-40PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.32 грн
10+171.48 грн
100+120.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]