Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 45 50  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN2R4-30YLD/2XNexperiaMOSFETs PSMN2R4-30YLD/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 625A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 625A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 15 V
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.44 грн
10+51.48 грн
50+38.19 грн
100+31.80 грн
500+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
445+79.59 грн
500+71.64 грн
1000+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 445 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R4-30YLDXNexperiaMOSFETs PSMN2R4-30YLD/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-30YL,115NexperiaMOSFETs PSMN2R5-30YL/SOT669/LFPAK
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3468 pF @ 12 V
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.57 грн
10+71.70 грн
100+47.91 грн
500+35.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-30YL,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 580A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 580A
Power dissipation: 88W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3468 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-40YLBXNexperia USA Inc.Description: PSMN2R5-40YLB/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5627 pF @ 20 V
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.73 грн
10+66.95 грн
50+49.97 грн
100+41.76 грн
500+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-40YLBXNexperiaMOSFETs PSMN2R5-40YLB/SOT669/LFPAK
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-40YLBXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-40YLBXNexperia USA Inc.Description: PSMN2R5-40YLB/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5627 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-40YLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN2R5-40YLD/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5583 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-40YLD/2XNexperiaMOSFET MOSFET-LOW VOLT SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-40YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
354+100.05 грн
500+90.05 грн
1000+83.05 грн
Мінімальне замовлення: 354 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-40YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 121A; Idm: 682A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 121A
Pulsed drain current: 682A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-40YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 160A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5583 pF @ 20 V
на замовлення 3741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.52 грн
10+85.44 грн
50+64.37 грн
100+54.02 грн
500+42.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-40YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-40YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 160A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5583 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-40YLDXNexperiaMOSFETs PSMN2R5-40YLD/SOT669/LFPAK
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-60PL127Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-60PLQNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+308.80 грн
500+292.30 грн
1000+276.98 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-60PLQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+342.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-60PLQNexperiaMOSFET PSMN2R5-60PL/SOT78/SIL3P
на замовлення 4869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-60PLQNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+308.80 грн
500+292.30 грн
1000+276.98 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-60PLQNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R5-60PLQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-80SSEJNexperia USA Inc.Description: POWERMOS ASFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13485 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-80SSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R5-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 225 A, 2500 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-80SSEJNexperiaMOSFETs PSMN2R5-80SSE/SOT1235/LFPAK88
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-80SSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R5-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 225 A, 2500 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-80SSEJNexperia USA Inc.Description: POWERMOS ASFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13485 pF @ 40 V
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+432.67 грн
10+279.04 грн
50+220.16 грн
100+188.80 грн
500+157.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-100SSFNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R6-100SSF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 2600 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 341W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-100SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12838 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-100SSFJNexperiaMOSFETs PSMN2R6-100SSF/SOT1235/LFPAK88
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-100SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12838 pF @ 50 V
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.18 грн
10+255.65 грн
50+200.91 грн
100+172.03 грн
500+143.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2435 pF @ 15 V
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.60 грн
10+64.61 грн
50+48.23 грн
100+40.29 грн
500+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-30YLC,115NXPMOSFET N-CH 30V 100A LFPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-30YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R6-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2350 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.54V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
на замовлення 2361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-30YLC,115NexperiaMOSFETs PSMN2R6-30YLC/SOT669/LFPAK
на замовлення 5231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2435 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-30YLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 575A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 575A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-30YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R6-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2350 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.54V
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
на замовлення 2361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YSNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 39824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+172.08 грн
500+154.40 грн
1000+142.61 грн
10000+122.75 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R6-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 131W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3776 pF @ 12 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+62.84 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 131W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115NXPТранзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 131Вт Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R6-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 131W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115NexperiaMOSFETs PSMN2R6-40YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 4491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3776 pF @ 12 V
на замовлення 4276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.90 грн
10+117.29 грн
100+80.35 грн
500+60.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS/2XNexperiaMOSFETs MOSFET-LOW VOLT SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN2R6-40YS/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3776 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-60PS127NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-60PSQNXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN2R6-60PSQ - 150
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+266.61 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-60PSQNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+366.55 грн
102+347.69 грн
500+330.02 грн
1000+300.04 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-60PSQNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+366.55 грн
102+347.69 грн
500+330.02 грн
1000+300.04 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-60PSQNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+366.55 грн
102+347.69 грн
500+330.02 грн
1000+300.04 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-60PSQNexperiaMOSFETs PSMN2R6-60PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-60PSQNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 4826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+366.55 грн
102+347.69 грн
500+330.02 грн
1000+300.04 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-60PSQ127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-80YSFNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R6-80YSF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 231 A, 2400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 231A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 294W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-80YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 231A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-80YSFXNexperia USA Inc.Description: PSMN2R6-80YSF/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 231A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8191 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-80YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 231A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+103.69 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-80YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R6-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 231 A, 2400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 231A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 294W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-80YSFXNexperiaMOSFETs PSMN2R6-80YSF/SOT1023/4 LEADS
на замовлення 3782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-80YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 231A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+103.48 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-80YSFXNexperia USA Inc.Description: PSMN2R6-80YSF/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 231A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8191 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-80YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R6-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 231 A, 2400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 231A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 294W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R7-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3954 pF @ 15 V
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.78 грн
2400+56.23 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R7-30BL,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R7-30BL,118NexperiaMOSFETs PSMN2R7-30BL/SOT404/D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R7-30BL,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 730A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 730A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R7-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3954 pF @ 15 V
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.74 грн
10+122.05 грн
50+92.90 грн
100+73.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R7-30PL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+216.87 грн
500+206.26 грн
1000+194.47 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R7-30PL,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V TO220AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R7-30PL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+216.87 грн
500+206.26 грн
1000+194.47 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R7-30PL,127NexperiaMOSFET PSMN2R7-30PL/SOT78/SIL3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R7-30PL,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3954 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-25MLC,115NexperiaMOSFETs PSMN2R8-25MLC/SOT1210/mLFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-25MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2432 pF @ 12.5 V
на замовлення 14570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.46 грн
10+80.84 грн
50+60.67 грн
100+50.82 грн
500+37.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-25MLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 70A; Idm: 536A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 536A
Power dissipation: 88W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-25MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-25MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2432 pF @ 12.5 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.56 грн
4500+32.91 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-25MLC115NXP SemiconductorsDescription: NOW NEXPERIA PSMN2R8-25MLC 70A,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-25MLC115NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN2R8-25MLC 70A,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40BSNXP SemiconductorsDescription: NOW NEXPERIA PSMN2R8-25MLC 70A,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40BSNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40BSNexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN2R8-25MLC 70A,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40BS,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+183.87 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40BS,118NexperiaMOSFET Std N-chanMOSFET
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 45 50  [ Наступна Сторінка >> ]