Продукція > IPD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
на замовлення 4150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.20 грн
10+102.68 грн
100+69.92 грн
500+52.45 грн
1000+48.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.97 грн
10+92.89 грн
100+54.54 грн
500+43.49 грн
1000+40.59 грн
2500+35.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R600P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.22 грн
50+107.12 грн
100+72.49 грн
500+53.77 грн
1000+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+117.18 грн
129+110.45 грн
171+82.92 грн
200+76.21 грн
500+67.50 грн
2000+64.60 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R750P7Infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R750P7Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R750P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.82 грн
500+40.01 грн
1000+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.37 грн
10+78.23 грн
100+52.67 грн
500+39.18 грн
1000+36.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
540+65.73 грн
1000+62.09 грн
Мінімальне замовлення: 540 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 4512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.94 грн
10+88.92 грн
100+51.71 грн
500+40.94 грн
1000+37.55 грн
2500+33.69 грн
5000+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R750P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.87 грн
12+69.83 грн
100+54.53 грн
500+42.85 грн
1000+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+115.29 грн
131+108.68 грн
172+82.45 грн
200+75.75 грн
500+59.70 грн
2000+57.10 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R900P7Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R900P7Infineon
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R900P7Infineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 4413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.61 грн
10+68.80 грн
100+46.11 грн
500+34.13 грн
1000+31.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R900P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+108.28 грн
10+65.90 грн
25+56.42 грн
75+47.12 грн
100+44.87 грн
500+41.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R900P7ATMA1InfineonMOSFET N-CH 800V 6A TO252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R900P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.75 грн
500+39.79 грн
1000+31.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R900P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.39 грн
11+75.55 грн
100+50.26 грн
500+33.95 грн
1000+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P4-07Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P4-07Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 85A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+157.50 грн
100+150.45 грн
250+144.42 грн
500+134.24 грн
1000+120.24 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 85A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -40V -85A OptiMOS-P2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD85P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.53 грн
50+99.06 грн
100+88.59 грн
500+68.65 грн
1000+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+90.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.70 грн
10+85.48 грн
100+57.89 грн
500+43.22 грн
1000+40.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 17354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.86 грн
10+88.12 грн
100+53.64 грн
500+42.66 грн
1000+39.69 грн
2500+35.28 грн
5000+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD85P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.59 грн
500+68.65 грн
1000+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+113.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.33 грн
5000+78.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+151.20 грн
102+139.39 грн
113+126.39 грн
200+115.05 грн
500+95.34 грн
1000+84.75 грн
2000+84.55 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P4L-06Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P4L06ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P4L06ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD85P04P4L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 6400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
на замовлення 30477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.43 грн
50+74.18 грн
100+66.77 грн
500+45.77 грн
1000+41.42 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P4L06ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P4L06ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD85P04P4L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 6400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.06 грн
500+50.26 грн
1000+42.32 грн
5000+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P4L06ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD85P04P4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.73 грн
500+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P4L06ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P4L06ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
на замовлення 8257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.40 грн
10+111.21 грн
100+76.22 грн
500+57.44 грн
1000+52.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P4L06ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P4L06ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.09 грн
10+92.89 грн
100+56.19 грн
500+44.80 грн
1000+42.18 грн
2500+37.14 грн
5000+36.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P4L06ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD85P04P4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.25 грн
10+100.67 грн
100+67.73 грн
500+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P4L06ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+138.21 грн
123+115.41 грн
130+109.38 грн
200+100.58 грн
500+83.95 грн
1000+80.50 грн
2000+80.30 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P4L06ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P4L06ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P4L06ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD900P06NMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD900P06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16.4 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.09 грн
14+61.85 грн
100+44.22 грн
500+34.78 грн
1000+25.13 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD900P06NMATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
на замовлення 7881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.53 грн
10+58.26 грн
100+38.55 грн
500+28.26 грн
1000+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD900P06NMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD900P06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16.4 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 63W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.22 грн
500+34.78 грн
1000+25.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD900P06NMATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.40 грн
5000+22.64 грн
7500+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD900P06NMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.67 грн
10+60.73 грн
100+36.04 грн
500+28.17 грн
1000+25.61 грн
2500+22.78 грн
5000+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L-02Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.61 грн
10+66.53 грн
100+55.71 грн
500+53.43 грн
1000+47.01 грн
2500+46.25 грн
5000+46.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L-02
Код товару: 142965
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L-03Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02INFINEON
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD90N03S4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 2200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 18629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.79 грн
500+58.03 грн
1000+47.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+109.36 грн
500+98.42 грн
1000+90.77 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 53125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.19 грн
10+107.02 грн
100+73.04 грн
500+54.91 грн
1000+50.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 3684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.85 грн
10+110.35 грн
100+70.41 грн
500+58.26 грн
1000+51.57 грн
2500+46.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD90N03S4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 2200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 18629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.11 грн
50+73.53 грн
100+70.79 грн
500+58.03 грн
1000+47.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.66 грн
5000+45.66 грн
7500+44.07 грн
12500+41.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+109.36 грн
500+98.42 грн
1000+90.77 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L03ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L03ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L03ATMA1
Код товару: 135663
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L03ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
389+91.32 грн
500+82.20 грн
Мінімальне замовлення: 389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L03ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.83 грн
10+96.85 грн
100+57.02 грн
500+45.42 грн
1000+42.11 грн
2500+38.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L03ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L03ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L03ATMA1InfineonMOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L03ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.44 грн
10+93.41 грн
100+63.28 грн
500+47.28 грн
1000+43.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L03ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
389+91.32 грн
500+82.20 грн
1000+75.80 грн
10000+65.16 грн
Мінімальне замовлення: 389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L03ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+76.13 грн
45000+69.57 грн
67500+64.73 грн
90000+58.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L03ATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD90N03S4L03ATMA1 - IPD90N03 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE M
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+73.13 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S3-04Infineon TechnologiesDescription: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S3-04Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.24 грн
10+204.03 грн
100+127.02 грн
500+106.31 грн
1000+98.72 грн
2500+61.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S3-H4Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+101.65 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+131.12 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+134.22 грн
10000+122.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD90N04S304ATMA1 - IPD90N04 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE M
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+87.79 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]