Продукція > IPD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD78CN10NGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD78CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.078 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 2847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.70 грн
5000+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.27 грн
5000+24.87 грн
7500+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V
на замовлення 5244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.98 грн
10+59.33 грн
50+44.12 грн
100+36.81 грн
500+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 8775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGBUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGBUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD800N06NGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD800N06NGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 16A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80N04S3-06Infineon TechnologiesDescription: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80N04S3-06Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 80A DPAK-2 OptiMOS-T
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80N04S306ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80N04S306ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80N04S306ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+98.15 грн
500+93.96 грн
1000+88.74 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80N04S306ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80N04S306BATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80N06S3-09Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L-07Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -80A DPAK-2 OptiMOS-P2
на замовлення 7296 шт:
термін постачання 693-702 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD80P03P4L07ATMA1 - IPD80P03 - 20V-150V P-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 435 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -80A DPAK-2 OptiMOS-P2
на замовлення 9999 шт:
термін постачання 693-702 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+58.94 грн
1000+55.67 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.76 грн
10+78.57 грн
100+52.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+58.94 грн
1000+55.67 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.22 грн
10+72.01 грн
100+53.48 грн
500+39.94 грн
1000+37.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+58.94 грн
1000+55.67 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+58.94 грн
1000+55.67 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.31 грн
5000+45.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 23509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.47 грн
5000+32.73 грн
7500+32.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.70 грн
5000+47.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+58.94 грн
1000+55.67 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+68.01 грн
212+66.83 грн
215+65.89 грн
500+63.31 грн
1000+58.51 грн
2000+55.97 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.31 грн
5000+45.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 23509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 13209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80P03P4L07ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEInfineon technologies
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 800V 5.7A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 800V 5.7A DPAK-2
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 4244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.38 грн
10+83.86 грн
100+56.65 грн
500+42.23 грн
1000+39.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.06 грн
5000+48.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.16 грн
5000+48.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2334 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.03 грн
11+39.33 грн
100+36.57 грн
500+34.47 грн
1000+33.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 1731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.92 грн
10+73.29 грн
50+54.93 грн
100+46.00 грн
500+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
708+50.01 грн
1000+47.23 грн
Мінімальне замовлення: 708 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 310000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 8670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+97.01 грн
158+90.05 грн
209+67.89 грн
221+61.83 грн
500+48.94 грн
2500+46.88 грн
5000+41.92 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
Version: ESD
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+107.48 грн
10+72.46 грн
50+50.24 грн
100+43.27 грн
250+36.23 грн
500+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
708+50.01 грн
1000+47.23 грн
Мінімальне замовлення: 708 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4CEInfineon technologies
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.90 грн
10+65.52 грн
100+49.96 грн
500+37.64 грн
1000+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.9 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 800V 3.9A DPAK-2
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.9 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7Rochester Electronics, LLCDescription: 800V, 1.4OHM, N-CHANNEL MOSFET,
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 346 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.60 грн
10+63.23 грн
50+51.16 грн
75+48.31 грн
100+46.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.70 грн
5000+34.06 грн
7500+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.91 грн
25+36.29 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+44.08 грн
323+43.84 грн
1000+43.73 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 17590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.14 грн
10+72.76 грн
50+54.45 грн
100+45.54 грн
500+35.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+44.22 грн
1000+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.35 грн
7500+27.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.77 грн
5000+34.13 грн
7500+33.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R280P7Infineon / IRMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R280P7Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+269.58 грн
55+259.31 грн
100+250.51 грн
250+234.23 грн
500+210.98 грн
1000+197.59 грн
2500+193.23 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+150.86 грн
102+139.96 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+285.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R280P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+110.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.