Продукція > MRF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MRFE6VP61K25NR6NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 133V Medical 5-Pin Case OM-1230 L T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25NR6NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM1230-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-1230-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1250W
Gain: 23dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230-4L
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25NR6NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors 1.8-600 MHz 1250 W CW 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25NR6NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM1230-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: OM-1230-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1250W
Gain: 23dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230-4L
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13792.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6300-230NXP SemiconductorsSub-GHz Development Tools MRFE6VP6300-230
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6300-230NXP USA Inc.Description: MRFE6VP6300H REF BRD 230MHZ 300W
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: MRFE6VP6300H
Frequency: 230MHz
Type: Transistor
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: MRFE6VP6300H
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+97603.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6300-230NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 130V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6300-88NXP USA Inc.Description: MRFE6VP6300H REF BRD 108MHZ 350W
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: MRFE6VP6300H
Frequency: 87.5MHz ~ 108MHz
Type: Transistor
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: MRFE6VP6300H
Supplied Contents: Board(s)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+101518.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6300-88NXP SemiconductorsSub-GHz Development Tools MRFE6VP6300-88
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6300GSR5NXP SemiconductorsBroadcast RF Power Transistors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6300GSR5NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors MOSFET 1.8-600 MHz 300 W 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6300GSR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-780GS-4L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 600MHz
Power - Output: 300W
Gain: 25dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780GS-4L
Voltage - Rated: 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6300H
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6300HNXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6300HR3NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-780-4
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 300W
Gain: 26.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780-4
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6300HR3NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors VHV6 300W50VISM NI780H-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6300HR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin NI-780 T/R
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+12847.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6300HR5NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors VHV6 300W50VISM NI780H-4
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6300HR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin NI-780 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6300HR5NXPDescription: NXP - MRFE6VP6300HR5 - HF-FET-Transistor, 130 VDC, 1.05 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-780
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 130VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
Verlustleistung: 1.05kW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: NI-780
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6300HR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-780-4
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 300W
Gain: 26.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780-4
Part Status: Active
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27867.75 грн
10+23238.98 грн
25+22341.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6300HR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin NI-780 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6300HR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-780-4
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 300W
Gain: 26.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780-4
Part Status: Active
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+22638.59 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6300HSR3NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-780S-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 300W
Gain: 26.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780S-4L
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6300HSR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin NI-780S T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6300HSR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin NI-780S T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14478.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6300HSR5NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors VHV6 300W50VISM NI780S-4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6300HSR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-780S-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 300W
Gain: 26.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780S-4L
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6600GNR3NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6600GNR3NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM780G-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-780G-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 600W
Gain: 24.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-780G-4L
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6600GNR3NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin OM-780G EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6600GNR3NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin OM-780G EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6600NNXP Semiconductors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6600NR3NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin OM-780 EP T/R
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7039.69 грн
10+6962.37 грн
25+6885.06 грн
100+6564.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6600NR3NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin OM-780 EP T/R
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+7039.69 грн
10+6962.37 грн
25+6885.06 грн
100+6564.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6600NR3NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6600NR3NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM780-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: OM-780-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 600W
Gain: 24.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-780-4L
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13064.62 грн
10+10691.45 грн
25+10219.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6600NR3NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin OM-780 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6600NR3NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM780-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-780-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 600W
Gain: 24.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-780-4L
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP6600NR3,528NXP USA Inc.Description: WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP8600HR5NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors VHV6 600W NI1230H 50V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP8600HR5NXPRF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 1.4A 860MHz 19.3dB 125W NI-1230 Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP8600HR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-1230
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 860MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 125W
Gain: 19.3dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 1.4 A
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26655.97 грн
10+22211.12 грн
25+21348.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP8600HR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 860MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 125W
Gain: 19.3dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 1.4 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP8600HR5NXP SemiconductorsDescription: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-1230
Current Rating (Amps): 20µA
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 470MHz ~ 860MHz
Configuration: Dual, Common Source
Power - Output: 600W
Gain: 19.3dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 1.4 A
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25154.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP8600HR6NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 860MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 125W
Gain: 19.3dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 1.4 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP8600HSR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230S
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 860MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 125W
Gain: 19.3dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230S
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 1.4 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP8600HSR5NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors VHV6 600W NI1230S 50V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP8600HSR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375E-04 T/R
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23761.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP8600HSR6NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230S
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 860MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 125W
Gain: 19.3dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230S
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 1.4 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VS25GN-960NXP SemiconductorsRF Development Tools MRFE6VS25GN 960-1215 MHz Reference Circuit
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VS25GN-960NXP USA Inc.Description: MRFE6VS25GN REF BRD 1215MHZ 30W
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: MRFE6VS25N
Frequency: 960MHz ~ 1.215GHz
Type: Transistor
Supplied Contents: Board(s)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+100749.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VS25GNR1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin TO-270 GULL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VS25GNR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-270BA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 512MHz
Power - Output: 25W
Gain: 25.4dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270-2 GULL
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VS25GNR1NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors VHV6E 25W50V TO270-2G
на замовлення 178 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VS25GNR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-270BA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 512MHz
Power - Output: 25W
Gain: 25.4dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270-2 GULL
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VS25GNR1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin TO-270 GULL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VS25LR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI360
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-360
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 512MHz
Power - Output: 25W
Gain: 25.9dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-360
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VS25LR5NXPDescription: NXP - MRFE6VS25LR5 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, NI-360
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: NI-360
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VS25LR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin NI-360 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VS25LR5NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors VHV6E 25W50V NI360L
на замовлення 50 шт:
термін постачання 91-100 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VS25LR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin NI-360 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VS25LR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI360
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-360
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 512MHz
Power - Output: 25W
Gain: 25.9dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-360
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6536.23 грн
10+5255.19 грн
25+4995.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VS25NNXP Semiconductors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-2000 MHz, 25 W, 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VS25NR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-270AA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 512MHz
Power - Output: 25W
Gain: 25.4dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270-2
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VS25NR1NXPDescription: NXP - MRFE6VS25NR1 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, TO-270
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-270
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VS25NR1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin TO-270 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VS25NR1NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors The factory is currently not accepting orders for this product.
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VS25NR1
Код товару: 125687
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VS25NR1NXPDescription: NXP - MRFE6VS25NR1 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, TO-270
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-270
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VS25NR1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin TO-270 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VS25NR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-270AA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 512MHz
Power - Output: 25W
Gain: 25.4dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270-2
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VS25NR1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin TO-270 T/R
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2880.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE7S21210HS
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE8VP8600HR5NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors 140 W Avg. over 470-870 MHz, 50 V RF Power LDMOS Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE8VP8600HR5Freescale SemiconductorDescription: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-1230
Current Rating (Amps): 20µA
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 470MHz ~ 860MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 140W
Gain: 21dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230
Voltage - Rated: 115 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 1.4 A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+11124.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE8VP8600HR5NXPDescription: NXP - MRFE8VP8600HR5 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE8VP8600HSR5NXP USA Inc.Description: BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE8VP8600HSR5NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors 140 W Avg. over 470-870 MHz, 50 V RF Power LDMOS Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFEP6BT-E3
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFEP6BT-E3-45
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFF002G3K00-01R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFG305010
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFG35002N6ANXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFG35002N6AT1NXP USA Inc.Description: FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFG35002N6AT1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFG35002N6AT1NXP SemiconductorsRF JFET Transistors 1.5W 6V GAAS FET PLD1.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFG35002N6R5NXP USA Inc.Description: FET RF 8V 3.55GHZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFG35002N6R5NXP USA Inc.Description: FET RF 8V 3.55GHZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFG35002N6T1Freescale SemiconductorDescription: RF MOSFET PHEMT FET 6V PLD-1.5
Packaging: Bulk
Package / Case: PLD-1.5
Frequency: 3.55GHz
Power - Output: 1.5W
Gain: 10dB
Technology: pHEMT FET
Supplier Device Package: PLD-1.5
Part Status: Active
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 65 mA
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+842.14 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFG35002N6T1NXPDescription: NXP - MRFG35002N6T1 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFG35003ANR5
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFG35003ANR5NXP USA Inc.Description: FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFG35003ANT1FRS3.5 GHz, 3 W, 12 V POWER FET GaAs PHEMT Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFG35003ANT1Freescale SemiconductorDescription: RF MOSFET PHEMT FET 12V PLD-1.5
Packaging: Bulk
Package / Case: PLD-1.5
Frequency: 3.55GHz
Power - Output: 3W
Gain: 10.8dB
Technology: pHEMT FET
Supplier Device Package: PLD-1.5
Part Status: Active
Voltage - Rated: 15 V
Voltage - Test: 12 V
Current - Test: 55 mA
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+989.10 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFG35003M6R5NXP USA Inc.Description: FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFG35003M6T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFG35003M6T1NXP USA Inc.Description: FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFG35003MT1NXP USA Inc.Description: FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFG35003N6NXP SemiconductorsRF JFET Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.