Продукція > MRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MRFE6S9201HS
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6S9201HSR3Freescale Semiconductor - NXPDescription: FET RF 66V 880MHZ NI-780S
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6S9201HSR5Freescale SemiconductorDescription: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-780S
Frequency: 880MHz
Power - Output: 40W
Gain: 20.8dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780S
Voltage - Rated: 66 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.4 A
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+8875.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6S9205H
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6S9205HR3
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6S9205HR3NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H
Current - Test: 1.4 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 66 V
Supplier Device Package: NI-880H-2L
Technology: LDMOS
Gain: 21.2dB
Power - Output: 58W
Frequency: 880MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-957A
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6S9205HR5Freescale Semiconductor - NXPDescription: FET RF 66V 880MHZ NI-880
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6S9205HS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6S9205HSR3
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6S9205HSR3NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 66V 3-Pin NI-880S T/R
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+2092.23 грн
251+1613.82 грн
501+1334.81 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6S9205HSR3NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880S
Current - Test: 1.4 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 66 V
Supplier Device Package: NI-880S
Technology: LDMOS
Gain: 21.2dB
Power - Output: 58W
Frequency: 880MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: NI-880S
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6S9205HSR5Freescale Semiconductor - NXPDescription: FET RF 66V 880MHZ NI-880S
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP100HR5NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors VHV6 100W 50V ISM
на замовлення 40 шт:
термін постачання 91-100 дні (днів)
1+9954.72 грн
10+9082.92 грн
25+7611.01 грн
50+7421.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP100HR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 465M-01 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP100HR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Package / Case: NI-780-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-780-4
Technology: LDMOS
Gain: 26dB
Power - Output: 100W
Frequency: 512MHz
Mounting Type: Chassis Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP100HR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 465M-01 T/R
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15120.00 грн
5+13820.62 грн
10+13111.88 грн
25+12415.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP100HR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 465M-01 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP100HR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 465M-01 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+14009.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP100HR5NXPDescription: NXP - MRFE6VP100HR5 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, NI-780
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: NI-780
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP100HR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-780-4
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 512MHz
Power - Output: 100W
Gain: 26dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780-4
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP100HSR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Supplier Device Package: NI-780S-4L
Technology: LDMOS
Gain: 26dB
Power - Output: 100W
Frequency: 512MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: NI-780S-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP100HSR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin NI-780S T/R
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10540.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP100HSR5NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors VHV6 100W 50V ISM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP100HSR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin NI-780S T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150GNNXP Semiconductors WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTORS, 1.8--600 MHz, 150 W CW, 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150GNR1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W GULL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150GNR1NXPDescription: NXP - MRFE6VP5150GNR1 - HF-FET-Transistor, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBG
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 139V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 952W
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 952W
Bauform - Transistor: TO-270WBG
Bauform - HF-Transistor: TO-270WB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150GNR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull
Technology: LDMOS
Gain: 26.1dB
Power - Output: 150W
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270BB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3556.20 грн
10+2810.42 грн
25+2657.12 грн
100+2335.54 грн
250+2260.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150GNR1NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150GNR1NXPDescription: NXP - MRFE6VP5150GNR1 - HF-FET-Transistor, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBG
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 139V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 952W
Bauform - Transistor: TO-270WBG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150GNR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270BB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull
Technology: LDMOS
Gain: 26.1dB
Power - Output: 150W
Configuration: Dual
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150GNR1,528NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-270BB
Current Rating (Amps): 5µA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 600MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 150W
Gain: 26.1dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+2507.23 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150GNR1,528NXPDescription: NXP - MRFE6VP5150GNR1,528 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+3851.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150NR1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+3443.34 грн
25+3374.83 грн
100+3236.62 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150NR1NXPDescription: NXP - MRFE6VP5150NR1 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 952W
Bauform - Transistor: TO-270WB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+4850.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150NR1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150NR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Supplier Device Package: TO-270 WB-4
Technology: LDMOS
Gain: 26.1dB
Power - Output: 150W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150NR1NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTORS, 1.8--600 MHz, 150 W CW, 50 V
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3700.00 грн
10+2989.80 грн
25+2471.42 грн
100+2162.84 грн
500+2057.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150NR1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3307.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150NR1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3307.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150NR1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2908.71 грн
10+2805.70 грн
25+2739.56 грн
100+2578.84 грн
250+2329.59 грн
500+2180.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150NR1NXPDescription: NXP - MRFE6VP5150NR1 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 952W
Bauform - Transistor: TO-270WB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6034.85 грн
5+5477.51 грн
10+4850.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150NR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Supplier Device Package: TO-270 WB-4
Technology: LDMOS
Gain: 26.1dB
Power - Output: 150W
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150NR1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2908.71 грн
10+2805.70 грн
25+2739.56 грн
100+2578.84 грн
250+2329.59 грн
500+2180.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5300GNR1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W GULL T/R
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+8266.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5300GNR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull
Technology: LDMOS
Gain: 27dB
Power - Output: 300W
Configuration: Dual
Frequency: 1.8MHz ~ 600MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270BB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5300GNR1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W GULL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5300GNR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-270BB
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 600MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 300W
Gain: 27dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5300GNR1NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors 1.8--600 MHz 300 W CW 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5300NNXP Semiconductors WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1.8--600 MHz, 300 W CW, 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5300NR1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
480+9290.23 грн
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5300NR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-270AB
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 600MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 300W
Gain: 27dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270 WB-4
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5300NR1NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1.8--600 MHz, 300 W CW, 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5300NR1NXPDescription: NXP - MRFE6VP5300NR1 - HF-FET-Transistor, 140 V, 909 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 140V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 909W
Bauform - Transistor: TO-270WB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5300NR1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5300NR1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7689.94 грн
5+7264.69 грн
10+6544.12 грн
25+5945.91 грн
50+5378.91 грн
500+4991.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5300NR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-270 WB-4
Technology: LDMOS
Gain: 27dB
Power - Output: 300W
Configuration: Dual
Frequency: 1.8MHz ~ 600MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5300NR1NXPDescription: NXP - MRFE6VP5300NR1 - HF-FET-Transistor, 140 V, 909 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 140V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 909W
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 909W
Bauform - Transistor: TO-270WB
Bauform - HF-Transistor: TO-270WB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600-225NXP USA Inc.Description: MRFE6VP5600 REF BOARD - 225
Packaging: Bulk
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+65444.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600-225NXP / FreescaleRF MOSFET Transistors MRFE6VP5600-225
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600-434NXP SemiconductorsSub-GHz Development Tools MRFE6VP5600-434
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600-434NXP USA Inc.Description: MRFE6VP5600H REF BRD 434MHZ 600W
Supplied Contents: Board(s)
Type: Transistor
Frequency: 434MHz
For Use With/Related Products: MRFE6VP5600H
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HNXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-979A
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 130 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Technology: LDMOS
Gain: 25dB
Power - Output: 600W
Configuration: Dual
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+51340.91 грн
10+43527.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-979A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 130 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Technology: LDMOS
Gain: 25dB
Power - Output: 600W
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+42745.61 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR5NXPDescription: NXP - MRFE6VP5600HR5 - HF-FET-Transistor, 130 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 130VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.667kW
Bauform - Transistor: NI-1230
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6663.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR5NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors VHV6 600W 50V NI1230H
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+29303.59 грн
10+24000.94 грн
50+20870.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR6NXPDescription: NXP - MRFE6VP5600HR6 - HF-FET-Transistor, 130 V, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 130V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.667kW
Bauform - Transistor: NI-1230
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11860.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR6NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors VHV6 600W 50V NI1230H
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR6NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR6NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 130 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Technology: LDMOS
Gain: 25dB
Power - Output: 600W
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-979A
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+55366.98 грн
10+47030.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR6NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18503.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR6NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15214.50 грн
5+14931.00 грн
10+13041.00 грн
25+12301.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR6NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18503.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR6NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 600W
Gain: 25dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Part Status: Active
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR6NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15939.32 грн
10+14901.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR6NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18503.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR6NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15939.32 грн
10+14901.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HSR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375E-04 T/R
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+16600.15 грн
25+16101.57 грн
100+15604.31 грн
500+14566.33 грн
1000+13043.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HSR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230-4S
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 600W
Gain: 25dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4S
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HSR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375E-04 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HSR5NXPDescription: NXP - MRFE6VP5600HSR5 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+15359.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HSR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375E-04 T/R
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+16600.15 грн
25+16101.57 грн
100+15604.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HSR5NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors VHV6 600W 50V NI1230HS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HSR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-1230-4S
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 600MHz
Configuration: 2 N-Channel
Power - Output: 600W
Gain: 25dB
Technology: LDMOS (Dual)
Supplier Device Package: NI-1230-4S
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+12125.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HSR6NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230-4S
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 600W
Gain: 25dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4S
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25-VHFNXP SemiconductorsSub-GHz Development Tools MRFE6VP61K25H 174-230 MHz VHF Reference Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25-VHFNXP USA Inc.Description: MRFE6VP61K25H REF BRD 230MHZ
Utilized IC / Part: MRFE6VP61K25H
Contents: Board(s)
Part Status: Active
Supplied Contents: Board(s)
Type: Transistor
Frequency: 174MHz ~ 230MHz
For Use With/Related Products: MRFE6VP61K25H
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25GNNXP SemiconductorsNXP Semiconductors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25GNR6NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM1230G-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-1230G-4L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1250W
Gain: 23dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230G-4L
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25GNR6NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25GNR6NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors 1.8-600 MHz 1250 W CW 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25GSR5NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors VHV6 1.25KW ISM NI1230GS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25GSR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230S-4 GW
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Power - Output: 1250W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230S-4 GULL
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25GSR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin NI-1230S T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25HR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25HR5NXPDescription: NXP - MRFE6VP61K25HR5 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230H-4S
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.333kW
Bauform - Transistor: NI-1230H-4S
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+89801.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25HR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1250W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+23054.58 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39  [ Наступна Сторінка >> ]