Продукція > MRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MRFE6S9201HR5Freescale Semiconductor - NXPDescription: FET RF 66V 880MHZ NI-780
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6S9201HS
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6S9201HSR3Freescale Semiconductor - NXPDescription: FET RF 66V 880MHZ NI-780S
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6S9201HSR5Freescale SemiconductorDescription: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-780S
Frequency: 880MHz
Power - Output: 40W
Gain: 20.8dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780S
Voltage - Rated: 66 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.4 A
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+8957.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6S9205H
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6S9205HR3
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6S9205HR3NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H
Current - Test: 1.4 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 66 V
Supplier Device Package: NI-880H-2L
Technology: LDMOS
Gain: 21.2dB
Power - Output: 58W
Frequency: 880MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-957A
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6S9205HR5Freescale Semiconductor - NXPDescription: FET RF 66V 880MHZ NI-880
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6S9205HS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6S9205HSR3NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 66V 3-Pin NI-880S T/R
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+2087.58 грн
251+1610.24 грн
501+1331.85 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6S9205HSR3
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6S9205HSR3NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880S
Current - Test: 1.4 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 66 V
Supplier Device Package: NI-880S
Technology: LDMOS
Gain: 21.2dB
Power - Output: 58W
Frequency: 880MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: NI-880S
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6S9205HSR5Freescale Semiconductor - NXPDescription: FET RF 66V 880MHZ NI-880S
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP100HR5NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors VHV6 100W 50V ISM
на замовлення 40 шт:
термін постачання 91-100 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP100HR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 465M-01 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP100HR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-780-4
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 512MHz
Power - Output: 100W
Gain: 26dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780-4
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP100HR5NXPDescription: NXP - MRFE6VP100HR5 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, NI-780
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: NI-780
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP100HR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 465M-01 T/R
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15086.40 грн
5+13789.91 грн
10+13082.74 грн
25+12388.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP100HR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 465M-01 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP100HR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Package / Case: NI-780-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-780-4
Technology: LDMOS
Gain: 26dB
Power - Output: 100W
Frequency: 512MHz
Mounting Type: Chassis Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP100HR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 465M-01 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+13978.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP100HSR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin NI-780S T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP100HSR5NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors VHV6 100W 50V ISM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP100HSR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin NI-780S T/R
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10517.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP100HSR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Supplier Device Package: NI-780S-4L
Technology: LDMOS
Gain: 26dB
Power - Output: 100W
Frequency: 512MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: NI-780S-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150GNNXP Semiconductors WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTORS, 1.8--600 MHz, 150 W CW, 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150GNR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull
Technology: LDMOS
Gain: 26.1dB
Power - Output: 150W
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270BB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3589.09 грн
10+2836.40 грн
25+2681.69 грн
100+2357.14 грн
250+2281.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150GNR1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W GULL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150GNR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270BB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull
Technology: LDMOS
Gain: 26.1dB
Power - Output: 150W
Configuration: Dual
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150GNR1NXPDescription: NXP - MRFE6VP5150GNR1 - HF-FET-Transistor, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBG
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 139V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 952W
Bauform - Transistor: TO-270WBG
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150GNR1NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150GNR1NXPDescription: NXP - MRFE6VP5150GNR1 - HF-FET-Transistor, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBG
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 139V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 952W
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 952W
Bauform - Transistor: TO-270WBG
Bauform - HF-Transistor: TO-270WB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150GNR1,528NXPDescription: NXP - MRFE6VP5150GNR1,528 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150GNR1,528NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-270BB
Current Rating (Amps): 5µA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 600MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 150W
Gain: 26.1dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+2530.41 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150NR1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2902.25 грн
10+2799.47 грн
25+2733.47 грн
100+2573.11 грн
250+2324.42 грн
500+2175.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150NR1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+3435.69 грн
25+3367.33 грн
100+3229.43 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150NR1NXPDescription: NXP - MRFE6VP5150NR1 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 952W
Bauform - Transistor: TO-270WB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150NR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Supplier Device Package: TO-270 WB-4
Technology: LDMOS
Gain: 26.1dB
Power - Output: 150W
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150NR1NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTORS, 1.8--600 MHz, 150 W CW, 50 V
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150NR1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150NR1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3300.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150NR1NXPDescription: NXP - MRFE6VP5150NR1 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 952W
Bauform - Transistor: TO-270WB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150NR1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3300.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150NR1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2902.25 грн
10+2799.47 грн
25+2733.47 грн
100+2573.11 грн
250+2324.42 грн
500+2175.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5150NR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Supplier Device Package: TO-270 WB-4
Technology: LDMOS
Gain: 26.1dB
Power - Output: 150W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5300GNR1NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors 1.8--600 MHz 300 W CW 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5300GNR1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W GULL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5300GNR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull
Technology: LDMOS
Gain: 27dB
Power - Output: 300W
Configuration: Dual
Frequency: 1.8MHz ~ 600MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270BB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5300GNR1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W GULL T/R
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+8248.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5300GNR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-270BB
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 600MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 300W
Gain: 27dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5300NNXP Semiconductors WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1.8--600 MHz, 300 W CW, 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5300NR1NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1.8--600 MHz, 300 W CW, 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5300NR1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
480+9269.58 грн
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5300NR1NXPDescription: NXP - MRFE6VP5300NR1 - HF-FET-Transistor, 140 V, 909 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 140V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 909W
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 909W
Bauform - Transistor: TO-270WB
Bauform - HF-Transistor: TO-270WB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5300NR1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5300NR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-270AB
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 600MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 300W
Gain: 27dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270 WB-4
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5300NR1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7672.85 грн
5+7248.54 грн
10+6529.58 грн
25+5932.69 грн
50+5366.95 грн
500+4980.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5300NR1NXPDescription: NXP - MRFE6VP5300NR1 - HF-FET-Transistor, 140 V, 909 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 140V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 909W
Bauform - Transistor: TO-270WB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600-225NXP USA Inc.Description: MRFE6VP5600 REF BOARD - 225
Packaging: Bulk
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+66049.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600-225NXP / FreescaleRF MOSFET Transistors MRFE6VP5600-225
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600-434NXP SemiconductorsSub-GHz Development Tools MRFE6VP5600-434
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600-434NXP USA Inc.Description: MRFE6VP5600H REF BRD 434MHZ 600W
Supplied Contents: Board(s)
Type: Transistor
Frequency: 434MHz
For Use With/Related Products: MRFE6VP5600H
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HNXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-979A
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 130 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Technology: LDMOS
Gain: 25dB
Power - Output: 600W
Configuration: Dual
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+51815.64 грн
10+43929.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR5NXPDescription: NXP - MRFE6VP5600HR5 - HF-FET-Transistor, 130 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 130VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.667kW
Bauform - Transistor: NI-1230
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-979A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 130 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Technology: LDMOS
Gain: 25dB
Power - Output: 600W
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+43140.86 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR5NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors VHV6 600W 50V NI1230H
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR6NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18461.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR6NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors VHV6 600W 50V NI1230H
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR6NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15903.89 грн
10+14868.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR6NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 130 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Technology: LDMOS
Gain: 25dB
Power - Output: 600W
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-979A
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+55878.93 грн
10+47464.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR6NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR6NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18461.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR6NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15180.69 грн
5+14897.82 грн
10+13012.02 грн
25+12274.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR6NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 600W
Gain: 25dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Part Status: Active
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR6NXPDescription: NXP - MRFE6VP5600HR6 - HF-FET-Transistor, 130 V, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
Drain-Source-Spannung Vds: 130V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.667kW
Bauform - Transistor: NI-1230
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 225°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR6NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18461.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HR6NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375D-05 T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15903.89 грн
10+14868.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HSR5NXPDescription: NXP - MRFE6VP5600HSR5 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HSR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375E-04 T/R
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+16563.26 грн
25+16065.79 грн
100+15569.64 грн
500+14533.96 грн
1000+13014.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HSR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230-4S
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 600W
Gain: 25dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4S
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HSR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375E-04 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HSR5NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors VHV6 600W 50V NI1230HS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HSR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-1230-4S
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 600MHz
Configuration: 2 N-Channel
Power - Output: 600W
Gain: 25dB
Technology: LDMOS (Dual)
Supplier Device Package: NI-1230-4S
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+12237.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HSR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375E-04 T/R
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+16563.26 грн
25+16065.79 грн
100+15569.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP5600HSR6NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230-4S
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 600W
Gain: 25dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4S
Voltage - Rated: 130 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25-VHFNXP SemiconductorsSub-GHz Development Tools MRFE6VP61K25H 174-230 MHz VHF Reference Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25-VHFNXP USA Inc.Description: MRFE6VP61K25H REF BRD 230MHZ
Utilized IC / Part: MRFE6VP61K25H
Contents: Board(s)
Part Status: Active
Supplied Contents: Board(s)
Type: Transistor
Frequency: 174MHz ~ 230MHz
For Use With/Related Products: MRFE6VP61K25H
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25GNNXP SemiconductorsNXP Semiconductors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25GNR6NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM1230G-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-1230G-4L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1250W
Gain: 23dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230G-4L
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25GNR6NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25GNR6NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors 1.8-600 MHz 1250 W CW 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25GSR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin NI-1230S T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25GSR5NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors VHV6 1.25KW ISM NI1230GS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25GSR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230S-4 GW
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Power - Output: 1250W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230S-4 GULL
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25HR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-1230
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1250W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28579.45 грн
10+23867.27 грн
25+22955.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25HR5NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRFE6VP61K25HR5NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 230MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1250W
Gain: 24dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+23267.76 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39  [ Наступна Сторінка >> ]