Продукція > IPD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD90N04S304ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+131.12 грн
1000+120.49 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 90A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain current: 90A
Power dissipation: 136W
Technology: OptiMOS™ T
Gate charge: 60nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+131.12 грн
1000+120.49 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S3H4ATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD90N04S3H4ATMA1 - IPD90N04 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE M
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+92.62 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S3H4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S3H4ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+106.27 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S3H4ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S3H4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+152.38 грн
500+137.02 грн
1000+126.39 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4-02Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.91 грн
10+100.03 грн
100+62.34 грн
500+49.77 грн
1000+46.25 грн
2500+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4-03Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 4021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.70 грн
10+83.36 грн
100+48.32 грн
500+39.63 грн
1000+34.66 грн
2500+31.82 грн
5000+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4-04Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.09 грн
10+75.82 грн
100+45.42 грн
500+37.00 грн
1000+33.21 грн
2500+27.68 грн
5000+27.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4-05Infineon
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4-05Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.67 грн
10+62.32 грн
100+35.97 грн
500+28.37 грн
1000+25.61 грн
2500+23.47 грн
5000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S40-4ATMA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.31 грн
10+104.40 грн
100+71.20 грн
500+53.49 грн
1000+49.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.48 грн
11+74.18 грн
25+73.45 грн
50+70.11 грн
100+58.56 грн
250+55.65 грн
500+51.53 грн
1000+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.57 грн
500+96.81 грн
1000+89.28 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD90N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.13 грн
500+49.88 грн
1000+42.80 грн
5000+42.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+74.18 грн
194+73.45 грн
195+72.71 грн
217+63.24 грн
250+57.97 грн
500+51.53 грн
1000+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.71 грн
10+89.65 грн
25+88.59 грн
100+84.41 грн
250+77.21 грн
500+73.22 грн
1000+72.31 грн
3000+71.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+89.65 грн
160+88.59 грн
162+87.54 грн
250+83.39 грн
500+76.27 грн
1000+72.31 грн
3000+71.40 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD90N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.19 грн
10+105.51 грн
100+76.19 грн
500+52.87 грн
1000+44.87 грн
5000+41.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.57 грн
500+96.81 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
477+74.35 грн
530+66.92 грн
1000+61.71 грн
Мінімальне замовлення: 477 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.92 грн
10+78.98 грн
100+53.12 грн
500+39.43 грн
1000+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+53.99 грн
270+52.67 грн
273+52.00 грн
276+49.64 грн
291+43.55 грн
320+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.40 грн
25+45.93 грн
100+42.47 грн
250+38.93 грн
500+37.00 грн
1000+36.93 грн
3000+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 17999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.00 грн
10+92.09 грн
100+52.74 грн
500+41.77 грн
1000+37.14 грн
2500+32.31 грн
5000+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.12 грн
500+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.32 грн
25+51.64 грн
50+49.31 грн
100+43.25 грн
250+37.71 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
477+74.35 грн
530+66.92 грн
Мінімальне замовлення: 477 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.73 грн
50+80.30 грн
100+54.12 грн
500+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
306+46.40 грн
309+45.93 грн
322+44.05 грн
326+42.05 грн
500+38.54 грн
1000+36.93 грн
3000+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 306 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 19434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.42 грн
145+97.90 грн
217+65.55 грн
500+55.19 грн
1000+45.33 грн
2500+42.87 грн
5000+40.02 грн
7500+38.56 грн
12500+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD90N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 57274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.76 грн
12+71.68 грн
100+47.36 грн
500+31.78 грн
1000+26.79 грн
5000+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.06 грн
5000+46.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+98.44 грн
6+71.46 грн
10+62.32 грн
25+56.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
668+53.07 грн
1000+48.94 грн
Мінімальне замовлення: 668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
668+53.07 грн
1000+48.94 грн
Мінімальне замовлення: 668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.73 грн
10+66.41 грн
100+44.27 грн
500+32.62 грн
1000+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.06 грн
5000+46.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD90N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 57274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.36 грн
500+31.78 грн
1000+26.79 грн
5000+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
668+53.07 грн
Мінімальне замовлення: 668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 19434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.45 грн
10+97.23 грн
100+65.09 грн
500+54.80 грн
1000+45.02 грн
2500+42.57 грн
5000+39.75 грн
7500+38.29 грн
12500+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 86A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
739+47.99 грн
1000+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 739 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD90N04S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 86 A, 4300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.20 грн
500+28.42 грн
1000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
739+47.99 грн
1000+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 739 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 86A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.74 грн
10+61.62 грн
100+40.93 грн
500+30.06 грн
1000+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 61A; Idm: 344A
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
Power dissipation: 65W
Pulsed drain current: 344A
Case: PG-TO252-3-313
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD90N04S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 86 A, 4300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.67 грн
13+63.55 грн
100+42.20 грн
500+28.42 грн
1000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.31 грн
10+66.21 грн
100+38.24 грн
500+29.89 грн
1000+27.27 грн
2500+24.37 грн
5000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L-04Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 4166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.75 грн
10+86.53 грн
100+49.43 грн
500+38.80 грн
1000+33.21 грн
2500+29.96 грн
5000+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L-04Infineon
на замовлення 614 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
668+53.07 грн
1000+48.94 грн
Мінімальне замовлення: 668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD90N04S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 20714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.39 грн
500+34.03 грн
1000+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 2243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.86 грн
10+73.75 грн
100+38.38 грн
500+33.41 грн
1000+30.44 грн
2500+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4690 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.21 грн
28+27.83 грн
53+14.29 грн
56+13.03 грн
100+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
668+53.07 грн
1000+48.94 грн
Мінімальне замовлення: 668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 71W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain current: 90A
Power dissipation: 71W
Application: automotive industry
Gate charge: 60nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD90N04S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 20714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.18 грн
50+63.71 грн
100+46.39 грн
500+34.03 грн
1000+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4690 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.73 грн
10+66.41 грн
100+44.27 грн
500+32.62 грн
1000+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4-04Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4-05Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4-07ATMA2Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL_55/60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+124.03 грн
500+111.63 грн
1000+102.95 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+76.50 грн
187+75.94 грн
189+75.38 грн
250+72.15 грн
500+66.30 грн
1000+63.17 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.98 грн
500+60.35 грн
1000+51.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2Infineon
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+124.03 грн
500+111.63 грн
1000+102.95 грн
10000+88.51 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.62 грн
10+68.12 грн
100+56.26 грн
500+55.78 грн
1000+52.05 грн
2500+47.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.74 грн
10+108.59 грн
100+74.51 грн
500+56.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+74.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+74.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.52 грн
10+127.25 грн
100+86.98 грн
500+60.35 грн
1000+51.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.50 грн
25+75.94 грн
100+72.69 грн
250+66.81 грн
500+63.65 грн
1000+63.17 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+124.03 грн
500+111.63 грн
1000+102.95 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+124.03 грн
500+111.63 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S405ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S405ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+95.21 грн
500+85.69 грн
1000+79.03 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42  [ Наступна Сторінка >> ]