Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF640NLInternational RectifierN-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+40.07 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NL
Код товару: 143762
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+118.78 грн
500+106.90 грн
1000+98.59 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF640NLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+118.78 грн
500+106.90 грн
1000+98.59 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 26351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.32 грн
50+74.57 грн
100+66.83 грн
500+49.94 грн
1000+45.83 грн
2000+42.38 грн
5000+40.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBFInfineonMOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.04 грн
100+107.73 грн
500+86.12 грн
1000+76.35 грн
2000+65.48 грн
5000+61.84 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF
Код товару: 42934
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,15 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1160/67
Примітка: P=150W, -55...170 C
Монтаж: THT
у наявності: 738 шт
  • 659 шт - склад
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 17 шт
  • 17 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 158700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.69 грн
50+108.00 грн
100+96.78 грн
500+74.31 грн
1000+63.14 грн
2000+56.05 грн
5000+54.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 49599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+76.86 грн
2000+71.19 грн
5000+70.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 31818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+76.86 грн
2000+71.19 грн
5000+70.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 150 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 3624 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.56 грн
10+54.98 грн
50+36.73 грн
100+32.30 грн
250+28.45 грн
500+26.44 грн
750+25.52 грн
1000+25.02 грн
2000+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 158697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+45.89 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+120.02 грн
132+107.71 грн
500+86.11 грн
1000+76.34 грн
2000+65.47 грн
5000+61.83 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF/IRIR08+;
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSIR08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+65.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7412 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSPBFСиловой MOSFET 200V, 18A, 0.18Ом, -55...+155, D2PAK (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 200V 24A 0.15 Ohm 25nC Qg 18A ID
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 150, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+28.92 грн
100+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSPBF
Код товару: 116935
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,15 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1160/67
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
очікується: 100 шт
  • 100 шт - очікується 13.08.2026
1+53.00 грн
10+49.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLIR01+
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+160.91 грн
141+100.19 грн
225+62.75 грн
800+53.66 грн
1600+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBFInternational RectifierMOSFET 200V, 18A, D2PAK (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+160.94 грн
10+100.20 грн
100+62.77 грн
800+53.67 грн
1600+49.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+46.68 грн
1600+41.40 грн
2400+39.60 грн
4000+35.26 грн
5600+34.13 грн
8000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.46 грн
1600+60.29 грн
2400+57.65 грн
4000+52.74 грн
5600+47.28 грн
8000+43.93 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+127.96 грн
10+70.12 грн
50+55.23 грн
100+50.29 грн
250+44.85 грн
500+41.34 грн
800+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.22 грн
1600+60.07 грн
2400+57.45 грн
4000+52.56 грн
5600+47.11 грн
8000+43.77 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 11314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.46 грн
10+89.02 грн
100+60.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF/IRIR08+;
на замовлення 18550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRR
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.15 грн
27+28.59 грн
50+27.56 грн
100+24.21 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+104.76 грн
500+94.28 грн
1000+86.96 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 150mOhms 44.7nC
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+104.76 грн
500+94.28 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 70 @ 10, Rds = 180 мОм @ 11 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF640PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF
Код товару: 22635
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,18 Ом
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290090
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.57 грн
50+134.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBFVISHAYN-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220
на замовлення 69 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.74 грн
50+123.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF640PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 200V, 18A, TO-220AB
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF640 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640RHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640S
Код товару: 49257
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
очікується: 20 шт
  • 20 шт - очікується 18.07.2026
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SSiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 130W; -55°C ~ 150°C; IRF640S TIRF640s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 200 Volt 18 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640S2470Harris CorporationDescription: 18A, 200V, 0.18OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640S2497Harris CorporationDescription: 18A, 200V, 0.18OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBFСиловой MOSFET 200V, 18A, 0.18Ом, -55...+155, D2PAK (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF640SPBF - N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, D2-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 200V 18 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF
Код товару: 175573
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640STR
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 200V 18A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF640STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]