Продукція > IDW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDWD15G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD15G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD15G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD15G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD15G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 1.2KV 49A PGTO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1050pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 49A Supplier Device Package: PG-TO247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 124 µA @ 1200 V | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD15G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 30208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD15G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 49A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD15G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE | на замовлення 467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD20E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: HOME APPLIANCES 14 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 74 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 42A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD20E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers HOME APPLIANCES 14 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD20E65E7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD20E65E7XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 42 A, Einfach, 2.1 V, 74 ns, 108 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 108A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.1V Sperrverzögerungszeit: 74ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 42A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 62A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE | на замовлення 390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 62A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 62A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD20G120C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD20G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 62 A, 106 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 106nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 62A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 62A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 62A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDWD20G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 1.2KV 62A PGTO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1368pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 62A Supplier Device Package: PG-TO247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 166 µA @ 1200 V | на замовлення 283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD25G200C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD25G200C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 2 kV, 77 A, 224 nC, TO-247 tariffCode: 85412900 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 224nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 77A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD25G200C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 2000V 77A PGTO2472U01 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 2850pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 77A Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 375 µA @ 2 kV | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD25G200C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD30E120D7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 1200V 52A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 135 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 52A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V | на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD30E120D7XKSA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes INDUSTRY | на замовлення 595 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD30E120D7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD30E120D7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 52 A, Einfach, 3 V, 135 ns, 144 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 144A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 3V Sperrverzögerungszeit: 135ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 52A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD30E65E7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD30E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 50 A, Einfach, 2.1 V, 82 ns, 126 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 126A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.1V Sperrverzögerungszeit: 82ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD30E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 650V 50A PGTO24722 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 82 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 50A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD30E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers HOME APPLIANCES | на замовлення 211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD30G120C5 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 12108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD30G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; 332W Mounting: THT Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.65V Load current: 30A Max. forward impulse current: 0.24kA Power dissipation: 332W Max. off-state voltage: 1.2kV Technology: CoolSiC™ 5G; SiC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 1.2KV 87A PGTO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1980pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 87A Supplier Device Package: PG-TO247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 248 µA @ 1200 V | на замовлення 282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD30G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 1.2KV 87A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD30G120C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD30G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 87 A, 154 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 154nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 87A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD30G120C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDWD40E120D7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 1200V 67A PGTO24722 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 155 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 67A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD40E120D7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD40E120D7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 67 A, Einfach, 3 V, 155 ns, 185 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 185A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 3V Sperrverzögerungszeit: 155ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 67A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD40E120D7XKSA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes INDUSTRY | на замовлення 136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD40E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 650V 50A PGTO24722 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 89 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 50A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD40E65E7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD40E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 50 A, Einfach, 2.1 V, 89 ns, 149 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 149A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.1V Sperrverzögerungszeit: 89ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD40E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers HOME APPLIANCES | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD40G120C5XKSA1 | Infineon | SIC SCHOTTKY 1200V 40A TO247-2 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDWD40G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 1.2KV 110A PGTO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 2592pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 110A Supplier Device Package: PG-TO247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 332 µA @ 1200 V | на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD40G120C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD40G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 110 A, 202 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 202nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 110A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD40G120C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; 402W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 40A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.65V Max. forward impulse current: 290A Power dissipation: 402W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDWD40G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE | на замовлення 984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD40G120C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDWD40G200C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD40G200C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 2 kV, 114 A, 358 nC, TO-247 tariffCode: 85412900 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 358nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 114A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD40G200C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE | на замовлення 1383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD40G200C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 2000V 114A PGTO2472U01 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 4550pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 114A Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 2 kV | на замовлення 864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD50E120D7XKSA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes INDUSTRY | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD50E120D7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying Type of diode: rectifying | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDWD50E120D7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD50E120D7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 81 A, Einfach, 3 V, 160 ns, 218 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 218A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 3V Sperrverzögerungszeit: 160ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 81A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD50E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 650V 92A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 94 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 92A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD50E65E7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD50E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 92 A, Einfach, 2.1 V, 94 ns, 228 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 228A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.1V Sperrverzögerungszeit: 94ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 92A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD50E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers INDUSTRY | на замовлення 212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD50E65E7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying Type of diode: rectifying | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDWD50G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 2890pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 131A Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1.2 kV | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD50G120C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD50G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 223 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 223nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD50G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes CoolSiC 1200 V Schottky diode G5 with .XT interconnection technology | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD50G200C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 2000V 140A PGTO2472U01 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 5700pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 140A Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 750 µA @ 2 kV | на замовлення 122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD50G200C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD50G200C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 2 kV, 140 A, 450 nC, TO-247 tariffCode: 85412900 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 450nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 140A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD50G200C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE | на замовлення 204 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD60E120D7XKSA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes INDUSTRY 14 | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD60E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers INDUSTRY 14 | на замовлення 226 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD60E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 650V 100A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 99 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 100A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V | на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD60E65E7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD60E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 100 A, Einfach, 2.1 V, 99 ns, 240 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 240A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.1V Sperrverzögerungszeit: 99ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD60G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | CoolSiC 1200 V Schottky diode G5 with .XT interconnection technology | на замовлення 196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD60G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 3580pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 153A Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 480 µA @ 1.2 kV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDWD75E120D7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 1200V 116A PGTO24722 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 195 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 116A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 75 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V | на замовлення 219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD75E65E7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: INDUSTRY 14 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD75E65E7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD75E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 100 A, Einfach, 2.1 V, 97 ns, 300 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 300A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.1V Sperrverzögerungszeit: 97ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD75G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | CoolSiC 1200 V Schottky diode G5 with .XT interconnection technology | на замовлення 947 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD75G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 4243pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 186A Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 75 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 1.2 kV | на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD80G200C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 2000V 214A PGTO2472U01 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 9100pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 214A Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 80 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 2 kV | на замовлення 219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD80G200C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 2KV 214A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDWD80G200C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDWD80G200C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 2 kV, 214 A, 716 nC, TO-247 tariffCode: 85412900 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 716nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 214A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDWD80G200C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 2KV 214A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDWD80G200C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE | на замовлення 363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|

