Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 12 16 20 24 28 32 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB018N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB018N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 176 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 176A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N10N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N10NM8ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N06L3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N06L3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 1.9mΩ
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 622 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+169.79 грн
10+133.35 грн
50+108.19 грн
100+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N06L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V
на замовлення 7156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.31 грн
10+219.11 грн
100+155.56 грн
500+120.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N06L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+127.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N06L3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3 GInfineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+587.42 грн
26+562.19 грн
50+540.76 грн
100+503.76 грн
250+452.29 грн
500+422.39 грн
1000+412.05 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 1.9mΩ
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+222.11 грн
3000+213.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+312.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB019N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+214.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+225.19 грн
3000+216.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1
Код товару: 209200
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+545.42 грн
37+382.26 грн
50+307.28 грн
100+272.43 грн
500+223.80 грн
1000+194.54 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+315.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.04 грн
10+273.23 грн
50+215.11 грн
100+184.34 грн
500+168.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+544.49 грн
10+381.60 грн
50+306.75 грн
100+271.96 грн
500+223.43 грн
1000+194.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+537.39 грн
32+454.43 грн
50+346.23 грн
200+313.00 грн
500+255.47 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+315.09 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 335000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+253.55 грн
168000+232.80 грн
252000+217.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+214.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+159.08 грн
3000+146.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrench Power Transistor IC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.55 грн
10+192.02 грн
100+135.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 224W; TO263-7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Transistor: N-MOSFET
Case: TO263-7
On-state resistance: 2.3mΩ
Power dissipation: 224W
Gate charge: 123nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+109.12 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+109.12 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+175.95 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 166A; 250W; D2PAK,TO263
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 1.95mΩ
Power dissipation: 250W
Gate charge: 124nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 166A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+92.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB019N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+325.47 грн
10+176.94 грн
100+161.33 грн
500+147.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+154.27 грн
6400+141.64 грн
9600+132.49 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+326.03 грн
80+177.25 грн
100+161.60 грн
500+147.59 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+152.51 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB019N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.09 грн
10+161.60 грн
50+124.58 грн
100+105.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+181.51 грн
500+163.83 грн
1000+150.86 грн
10000+129.56 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+148.50 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N03LF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB020N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2050 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPB020N03LF2SATMA1
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 122A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.04 грн
10+138.13 грн
50+105.88 грн
100+89.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPB020N03LF2SATMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 122A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N03LF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB020N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2050 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N03LF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N04N GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 140A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N04NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 140A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.82 грн
10+136.94 грн
25+135.16 грн
100+123.75 грн
250+111.65 грн
500+103.16 грн
1000+99.56 грн
3000+98.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N04NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N04NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 140A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N04NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Bulk
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+110.35 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V
на замовлення 6729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.07 грн
10+206.66 грн
50+160.53 грн
100+136.71 грн
500+109.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+432.22 грн
10+295.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+154.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB020N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+294.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+193.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+115.57 грн
3000+101.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+154.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+109.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+158.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+236.90 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB020N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+236.90 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+154.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2
на замовлення 4462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5Infineon
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5-VBVBSEMIIPB020N10N5-VB IPB020N10N5 MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+261.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2
на замовлення 2782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+570.18 грн
10+395.18 грн
50+386.26 грн
100+274.86 грн
500+246.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
на замовлення 14869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+537.70 грн
10+349.31 грн
50+277.19 грн
100+238.36 грн
500+214.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 176A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+523.03 грн
10+451.93 грн
25+432.70 грн
100+334.78 грн
250+298.53 грн
500+270.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+333.55 грн
500+315.87 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+265.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+196.24 грн
3000+186.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+571.15 грн
36+395.86 грн
50+386.92 грн
100+275.33 грн
500+246.61 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1InfineonIPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 12 16 20 24 28 32 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]