Продукція > IPD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD053N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V
на замовлення 4587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.01 грн
10+126.80 грн
50+96.96 грн
100+81.97 грн
500+66.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+270.24 грн
10+167.49 грн
25+137.46 грн
100+115.94 грн
250+106.29 грн
500+87.75 грн
1000+71.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD053N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 7139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.86 грн
10+134.57 грн
100+122.22 грн
500+97.41 грн
1000+88.38 грн
2500+68.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+270.24 грн
85+167.49 грн
103+137.46 грн
118+115.94 грн
250+106.29 грн
500+87.75 грн
1000+71.39 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; 150W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD055N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 98 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD055N08NF2SATMA1
Код товару: 199783
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD055N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD055N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD055N08NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD055N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD055N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.57 грн
10+90.05 грн
50+67.98 грн
100+57.12 грн
500+45.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD055N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 98 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD05N03
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD05N03LAinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD05N03LA GINFINEON09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD05N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD05N03LAGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD05N03LBinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD05N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD05N03LBGinfineonto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03L GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03L GINFINEONDescription: INFINEON - IPD060N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 50
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03L G E8177Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.25 грн
10+63.40 грн
50+47.31 грн
100+39.53 грн
500+30.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LG (транзистори польові N-канал) (IPD060N03LGATMA1)
Код товару: 45565
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541 29 00 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.99 грн
7+61.56 грн
10+54.09 грн
50+40.09 грн
100+35.47 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+70.77 грн
300+47.30 грн
500+36.92 грн
1000+32.36 грн
2500+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
709+49.92 грн
1000+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 709 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.51 грн
7500+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2
на замовлення 5538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+99.27 грн
209+67.76 грн
302+46.97 грн
500+35.95 грн
1000+30.41 грн
2500+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
709+49.92 грн
1000+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 709 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.84 грн
5000+27.38 грн
7500+27.12 грн
12500+25.89 грн
17500+23.72 грн
25000+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 157736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
709+49.92 грн
1000+46.04 грн
10000+41.04 грн
100000+33.17 грн
Мінімальне замовлення: 709 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.87 грн
11+70.77 грн
100+47.30 грн
500+35.61 грн
1000+29.96 грн
2500+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.80 грн
5000+27.33 грн
7500+27.06 грн
12500+25.84 грн
17500+23.67 грн
25000+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 30327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.81 грн
10+64.69 грн
50+48.28 грн
100+40.35 грн
500+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.67 грн
12+67.35 грн
100+46.68 грн
500+35.73 грн
1000+30.23 грн
2500+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
709+49.92 грн
1000+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 709 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGINCTInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+221.84 грн
67+213.38 грн
100+206.14 грн
250+192.75 грн
500+173.61 грн
1000+162.59 грн
2500+159.01 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.38 грн
10+102.05 грн
100+69.70 грн
500+52.44 грн
1000+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD068N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+87.51 грн
178+79.80 грн
180+79.00 грн
188+72.74 грн
250+64.60 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
на замовлення 8128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.73 грн
10+66.87 грн
100+66.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 31039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.51 грн
10+79.80 грн
25+79.00 грн
100+72.74 грн
250+64.60 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
на замовлення 6607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3 GInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -70A DPAK-2 OptiMOS P3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
на замовлення 6607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 70A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.57 грн
10+54.04 грн
100+35.75 грн
500+26.18 грн
1000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 70A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
676+52.36 грн
1000+48.28 грн
Мінімальне замовлення: 676 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+123.80 грн
165+86.17 грн
234+60.52 грн
500+47.03 грн
1000+38.57 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V
на замовлення 12219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.46 грн
10+80.84 грн
50+60.76 грн
100+50.94 грн
500+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -70A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2009 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.32 грн
9+47.80 грн
10+44.03 грн
50+39.58 грн
100+38.24 грн
500+36.06 грн
1000+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.39 грн
5000+39.80 грн
7500+39.40 грн
12500+37.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1InfineonMOSFET, P-CH, -30V, -70A, TO-252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-CHANNEL (NEGATIVE)
на замовлення 7798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.35 грн
5000+39.75 грн
7500+39.36 грн
12500+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.65 грн
7500+31.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06N03LINF07+;
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06N03LAInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06N03LAinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06N03LA GINFINEONTO-252
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06N03LA GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06N03LAGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
на замовлення 25570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+49.46 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06N03LAGInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 25570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
580+61.05 грн
1000+56.30 грн
10000+50.20 грн
Мінімальне замовлення: 580 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06N03LAGBUMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06N03LB GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06N03LBGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06P002NATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06P002NSAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06P003NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06P003NATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.