Продукція > IPD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 12 16 20 24 28 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD05N03LAGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD05N03LBinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD05N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD05N03LBGinfineonto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03L GINFINEONDescription: INFINEON - IPD060N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 50
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03L G E8177Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LG (транзистори польові N-канал) (IPD060N03LGATMA1)
Код товару: 45565
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541 29 00 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 157736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
995+35.65 грн
1078+32.88 грн
10000+29.30 грн
100000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 995 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
877+16.17 грн
889+15.96 грн
900+15.75 грн
912+14.99 грн
1000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 877 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.57 грн
50+52.67 грн
100+34.63 грн
500+24.98 грн
1000+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
995+35.65 грн
1078+32.88 грн
Мінімальне замовлення: 995 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
995+35.65 грн
1078+32.88 грн
Мінімальне замовлення: 995 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 32652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.66 грн
10+46.97 грн
100+30.87 грн
500+22.46 грн
1000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
995+35.65 грн
1078+32.88 грн
Мінімальне замовлення: 995 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+20.01 грн
46+16.58 грн
47+15.59 грн
100+14.25 грн
250+13.50 грн
500+13.32 грн
1000+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.61 грн
5000+24.36 грн
7500+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
447+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 447 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.78 грн
500+25.43 грн
1000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.43 грн
5000+17.26 грн
7500+16.52 грн
12500+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.34 грн
5000+24.11 грн
7500+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.48 грн
10+45.37 грн
11+41.30 грн
50+32.32 грн
100+31.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2
на замовлення 5917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.18 грн
10+53.11 грн
100+30.38 грн
500+23.54 грн
1000+21.40 грн
2500+17.26 грн
5000+16.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGINCTInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3 GInfineon
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+222.33 грн
67+213.85 грн
100+206.60 грн
250+193.18 грн
500+174.00 грн
1000+162.96 грн
2500+159.36 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.87 грн
10+101.11 грн
100+69.06 грн
500+51.96 грн
1000+51.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.71 грн
10+79.98 грн
25+79.17 грн
100+72.90 грн
250+64.74 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 31177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.74 грн
10+114.32 грн
100+70.41 грн
500+61.16 грн
1000+57.85 грн
2500+57.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+87.71 грн
178+79.98 грн
180+79.17 грн
188+72.90 грн
250+64.74 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD068N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.82 грн
50+78.85 грн
100+70.07 грн
500+63.64 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD068N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.07 грн
500+63.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
на замовлення 8128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.99 грн
10+66.26 грн
100+65.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
на замовлення 6607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
на замовлення 6607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3 GInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -70A DPAK-2 OptiMOS P3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3 GInfineon
на замовлення 157500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 70A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GInfineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 70A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.76 грн
10+53.55 грн
100+35.43 грн
500+25.94 грн
1000+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.10 грн
500+37.09 грн
1000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V
на замовлення 6851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.43 грн
10+58.48 грн
100+41.13 грн
500+30.30 грн
1000+27.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1InfineonMOSFET, P-CH, -30V, -70A, TO-252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
676+52.48 грн
1000+48.38 грн
Мінімальне замовлення: 676 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+124.08 грн
165+86.36 грн
234+60.65 грн
500+47.13 грн
1000+38.66 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-CHANNEL (NEGATIVE)
на замовлення 8859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.06 грн
10+79.23 грн
100+45.42 грн
500+36.04 грн
1000+32.03 грн
2500+29.27 грн
5000+28.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Technology: OptiMOS™ P3
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -70A
Drain-source voltage: -30V
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.22 грн
11+38.06 грн
50+35.81 грн
100+34.57 грн
500+32.66 грн
1000+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.59 грн
50+74.58 грн
100+49.69 грн
500+36.20 грн
1000+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.37 грн
5000+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.49 грн
5000+39.89 грн
7500+39.49 грн
12500+37.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.44 грн
5000+39.84 грн
7500+39.44 грн
12500+37.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06N03LINF07+;
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06N03LAinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06N03LAInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06N03LA GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06N03LA GINFINEONTO-252
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06N03LAGinfineonto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06N03LAGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
на замовлення 25570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+48.30 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06N03LAGBUMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06N03LB GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06N03LBGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06P002NATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06P002NSAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06P003NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06P003NATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06P003NSAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06P004NATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06P004NSAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06P005LATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06P005LSAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06P005NATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06P005NATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06P005NSAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD06P007NATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03L GInfineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGInfineon TechnologiesDescription: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 8392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
13+24.53 грн
100+19.95 грн
500+16.97 грн
1000+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+30.43 грн
17+25.26 грн
18+23.43 грн
25+21.36 грн
50+19.86 грн
100+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD075N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.05 грн
500+21.09 грн
1000+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.21 грн
5000+16.15 грн
7500+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 12 16 20 24 28 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]