Продукція > IPW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R0706P | Infineon Technologies | Description: 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER MOS Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R070C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6 | на замовлення 317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 3068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 53A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25.8A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.72mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 100 V | на замовлення 1482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R070C6FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R070C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 391W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R070C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; 391W; PG-TO247-3 Transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 53A Power dissipation: 391W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6 | на замовлення 102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R070C6FKSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 600V 53A TO247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R070CFD7 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 156W; PG-TO247-3 Transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.129Ω Mounting: THT Power dissipation: 156W Gate charge: 67nC Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Drain current: 20A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R070CFD7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R070CFD7 : SP001617990 | Infineon | IPW60R070CFD7 : SP001617990 IPW60R070CFD7XKSA1 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 2796 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1076 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R070CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R070CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 156W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm | на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 16535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1076 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R070CFD7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 15.1A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V | на замовлення 728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R070CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R070CM8XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 37A; 201W; TO247-3 Transistor: N-MOSFET On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Power dissipation: 201W Gate charge: 43nC Technology: CoolMOS™ Drain current: 37A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Application: automotive industry Gate-source voltage: 20V Case: TO247-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R070CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPW60R070CM8XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 14.3A, 10V Power Dissipation (Max): 201W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 360µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1878 pF @ 400 V | на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R070CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R070CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R070CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R070CM8XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R070CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V Verlustleistung: 201W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm | на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R070P6 | Infineon technologies | на замовлення 41 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPW60R070P6 | Infineon Technologies | Description: 600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET, Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R070P6 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | на замовлення 181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R070P6 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R070P6XKSA1 Код товару: 165846
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPW60R070P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3 Transistor: N-MOSFET On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Power dissipation: 391W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ P6 Drain current: 53.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 3062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 3062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R070P6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R070P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53.5 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 391W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V | на замовлення 1306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | на замовлення 460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R075CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP | на замовлення 241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R075CPA | Infineon Technologies | MOSFET AUTOMOTIVE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R075CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R075CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R075CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: AUTOMOTIVE Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.74mA Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R075CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R075CPAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | на замовлення 118 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R075CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R075CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R075CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R075CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R075CPFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R075CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 39 A, 0.075 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R075CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R075CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R075CPFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; 313W; PG-TO247-3 Transistor: N-MOSFET On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Power dissipation: 313W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ CP Drain current: 39A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R075CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R075CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 39A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 100 V | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R075CPXK | Infineon Technologies | Description: IPW60R075 - 600V COOLMOS N-CHANN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.7mA Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R080P7 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-3; ESD Transistor: N-MOSFET On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Power dissipation: 129W Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 23A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R080P7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 129W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V | на замовлення 9798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 3280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R080P7XKSA1 | Infineon | N-Channel 600 V 37A (Tc) 129W (Tc) Through Hole PG-TO247-3 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R080P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 129W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm | на замовлення 178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R080P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R080P7XKSA1 транзистор Код товару: 221393
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPW60R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R090CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R090CFD7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 11.4A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099C6 Код товару: 186494
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPW60R099C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6 | на замовлення 149 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3 Transistor: N-MOSFET On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Power dissipation: 278W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ C6 Drain current: 37.9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO247-3 | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 230mOhm; 37,9A; 278W; -55°C ~ 150°C; IPW60R099C6 TIPW60r099c6 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V | на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R099C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 278W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm | на замовлення 223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

