Продукція > IPW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 15.1A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V | на замовлення 824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 239 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R070CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPW60R070CM8XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 14.3A, 10V Power Dissipation (Max): 201W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 360µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1878 pF @ 400 V | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R070CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R070CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R070CM8XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R070CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 201W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R070CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R070CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R070P6 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R070P6 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | на замовлення 183 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R070P6 | Infineon technologies | на замовлення 41 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW60R070P6 | Infineon Technologies | Description: 600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET, Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R070P6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R070P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53.5 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 391W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V | на замовлення 1394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R070P6XKSA1 Код товару: 165846
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R070P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 53.5A Power dissipation: 391W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R075CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP | на замовлення 271 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R075CPA | Infineon Technologies | MOSFET AUTOMOTIVE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R075CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 39A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R075CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R075CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R075CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R075CPAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | на замовлення 118 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R075CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R075CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: AUTOMOTIVE Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.74mA Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R075CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R075CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R075CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R075CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R075CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R075CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R075CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 39A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 100 V | на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R075CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R075CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R075CPFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R075CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 39 A, 0.075 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R075CPXK | Infineon Technologies | Description: IPW60R075 - 600V COOLMOS N-CHANN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.7mA Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R080P7 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A Power dissipation: 129W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R080P7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R080P7XKSA1 | Infineon | N-Channel 600 V 37A (Tc) 129W (Tc) Through Hole PG-TO247-3 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R080P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 129W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 3280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 129W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V | на замовлення 10047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R080P7XKSA1 транзистор Код товару: 221393
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
очікується: 15 шт
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW60R090CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 1276 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 11.4A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V | на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R099C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6 | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099C6 Код товару: 186494
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 37.9A Power dissipation: 278W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R099C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 230mOhm; 37,9A; 278W; -55°C ~ 150°C; IPW60R099C6 TIPW60r099c6 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V | на замовлення 326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 (TO-247, Infineon) MOSFET N-ch 600V/37,9A Код товару: 88983
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||
| IPW60R099C7 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Supplier Device Package: PG-TO247 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R099C7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R099C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 110W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 110W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor | на замовлення 260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R099CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPW60R099CM8XKSA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.1A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V | на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CM8XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R099CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CP Код товару: 72969
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW60R099CP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3-1 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R099CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP | на замовлення 218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CPA | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | на замовлення 277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CPA | Infineon Technologies | Description: IPW60R099 - 600V-800V N-CHANNEL Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW60R099CPAE8222XKSA1 | Infineon Technologies | IPW60R099CPAE8222XKSA1 | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 17520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

