Продукція > NTT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTTFS4965NFTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 64A 5.2MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4985NFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), 22.73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4985NFTAGON Semiconductor
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4985NFTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 64A 5.2MOHM
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4985NFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.07 грн
14+55.12 грн
25+54.20 грн
100+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4985NFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), 22.73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 124330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
340+59.13 грн
Мінімальне замовлення: 340 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4985NFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4985NFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), 22.73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4985NFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), 22.73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
340+59.13 грн
Мінімальне замовлення: 340 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4985NFTWGON Semiconductor
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4985NFTWGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 64A 5.
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C025NTAGonsemiDescription: NFET U8FL 30V 65A 6.1MOH
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.60 грн
10+83.71 грн
100+65.10 грн
500+51.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C025NTAGonsemiDescription: NFET U8FL 30V 65A 6.1MOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.68 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C025NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 65A 6.1MOH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C02Nonsemionsemi AFSM T6 30V NCH U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C02NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
на замовлення 3164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
10+42.80 грн
100+40.07 грн
500+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+73.57 грн
194+73.07 грн
195+72.56 грн
197+69.47 грн
250+63.88 грн
500+60.89 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C02NTAGON Semiconductor
на замовлення 595 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C02NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.07 грн
25+72.56 грн
100+69.47 грн
250+63.88 грн
500+60.89 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C02NTAGonsemiMOSFETs AFSM T6 30V NCH U8FL
на замовлення 4883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+57.94 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET 30V 75A 3.6 mOhm Single N-Channel u8FL
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.14 грн
10+36.53 грн
100+23.64 грн
500+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+33.88 грн
3000+29.36 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.4A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTWGON Semiconductor
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.98 грн
10+84.38 грн
100+65.76 грн
500+50.99 грн
1000+40.25 грн
2000+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTWGonsemiMOSFET Power MOSFET 30V 75A 3.6 mOhm Single N-Channel u8FL
на замовлення 19964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C05NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.49 грн
10000+36.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C06NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 67 A, 4200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.72 грн
21+39.99 грн
100+27.07 грн
500+19.32 грн
1000+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAGonsemiMOSFETs Pwr MOSFET 30V 65A 4.2mOhm SGL N-CH
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+36.98 грн
100+23.95 грн
500+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C06NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 67 A, 4200 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.07 грн
500+19.32 грн
1000+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 65A 4.2mOhm SGL N-CH
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C06NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+40.29 грн
354+40.04 грн
367+38.63 грн
381+35.89 грн
500+31.97 грн
1000+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
на замовлення 5133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+33.66 грн
100+21.76 грн
500+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C08NTAG - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.40 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+13.68 грн
3000+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAGON Semiconductor
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAGonsemiMOSFET Pwr MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.17 грн
19+40.29 грн
25+40.04 грн
100+37.25 грн
250+33.23 грн
500+30.69 грн
1000+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C08NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C10NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2317+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 2317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C10NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C10NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C10NTAGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 44A; Idm: 128A; 23.6W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 44A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 23.6W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C10NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 35127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2317+15.27 грн
10000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 2317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C10NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.60 грн
11+28.68 грн
100+18.43 грн
500+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C10NTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM
на замовлення 3168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C10NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.60 грн
10+64.76 грн
100+43.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C10NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C10NTWGonsemiMOSFET Power MOSFET 30V 44A 7.4 mOhm Single N-Channel u8FL
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTAGonsemiMOSFET Pwr MOSFET 30V 38A 9.4mOhm SGL N-CH
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.22 грн
28+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTAGON Semiconductor
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 21.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.35 грн
10+36.31 грн
100+23.53 грн
500+16.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 21.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1444 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C13NTWG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTWGonsemiMOSFET Pwr MOSFET 30V 38A 9.4mOhm SGL N-CH
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTWGON Semiconductor
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C25NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.25 грн
10+38.19 грн
100+28.51 грн
500+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C25NTAGON SemiconductorMOSFET Power MOSFET 30V 27A 17 mOhm Single N-Channel u8FL
на замовлення 4839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C25NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C25NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C25NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C25NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C25NTWGON SemiconductorMOSFET Power MOSFET 30V 27A 17 mOhm Single N-Channel u8FL
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C50NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.14 грн
10+110.05 грн
100+75.62 грн
500+57.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C50NTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C50NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C50NTWGRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 558 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C50NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C53NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 35A 8WDFN
на замовлення 46500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
568+35.59 грн
Мінімальне замовлення: 568 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C53NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 35A 9.4MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C53NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C53NTAG - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 46500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C53NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 35A U8FL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C53NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 35A 9.4MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C55NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+57.08 грн
Мінімальне замовлення: 353 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C55NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C55NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOH
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C55NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 75A U8FL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C55NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C56NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 65A 4.2MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C56NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 65A U8FL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]