Продукція > PJD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PJD60R540E_L2_00001PanjitMOSFET 600V N-Channel Super Junction MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60R620E_L2_00001PanjitMOSFET 600V N-Channel Super Junction MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60R620E_L2_00001Panjit International Inc.Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60R620E_L2_00001Panjit International Inc.Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60R900S-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60R900S-L2-00201PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60R980E_L2_00001PanjitMOSFET 600V N-Channel Super Junction MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD65N10SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD65N10SA-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD65N10SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.49 грн
10+92.84 грн
100+63.06 грн
500+47.22 грн
1000+45.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD6N10A_L2_00001PanjitMOSFETs 100V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD6NA40_L2_00001PanjitMOSFET 400V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD6NA40_R2_00001PanjitMOSFET 400V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70N06-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70N10-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70N10SA-AU-L2PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70N10SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70N10SA-AU_L2_006A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 88A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 88A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70N10SA-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70N10SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.33 грн
10+135.03 грн
100+93.22 грн
500+70.71 грн
1000+67.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03-L2-00001PanjitMOSFETs TO-252AA/MOS/TO/NFET-30SMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 77A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.57 грн
10+53.59 грн
50+39.75 грн
100+33.09 грн
500+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03E-AU_L2_006A1PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -77A; Idm: -225A; 40W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -77A
Pulsed drain current: -225A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 77A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03E-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.17 грн
10+48.00 грн
100+31.41 грн
500+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03_L2_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75N04V-AU-L2PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75N04V-AU-L2-002APanjit TO252 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75N04V-AU_L2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75N04V-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.2A (Ta), 181A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4691 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+332.34 грн
10+210.89 грн
100+149.19 грн
500+115.30 грн
1000+107.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75N04V-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.2A (Ta), 181A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4691 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+116.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75N04V-AU_L2_002A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 181A; TO252AA
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 181A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75P04E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3477 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75P04E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3477 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.17 грн
10+113.07 грн
100+83.61 грн
500+66.26 грн
1000+56.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75P04E-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJD7NA65_L2_00001PanjitMOSFET PJ/D7NA65/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-650SMN/NF650-QI13/PJ/TO252-AS06/TO252-AS07/TO252-AS02
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD7NA65_R2_00001PanjitMOSFET PJ/D7NA65/TR/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-650SMN/NF650-QI13/PJ/TO252-AS06/TO252-AS07/TO252-AS02
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N03-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N03_L2_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N03_L2_00001PanJitCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04-AU-L2-000A1PanjitMOSFETs TO252 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 79.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.84 грн
10+75.40 грн
100+50.49 грн
500+37.36 грн
1000+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04-AU_L2_000A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 79.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04S-AU-L2PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04S-AU-L2-002APanjit TO252 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04S-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4973 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+321.36 грн
10+204.24 грн
100+144.52 грн
500+111.69 грн
1000+104.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04S-AU_L2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04S-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4973 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+112.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04_L2_00001PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.17 грн
10+48.00 грн
100+31.44 грн
500+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N06-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N06SA-AU_L2_006A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 94A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 94A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N06SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N06SA-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N06SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.90 грн
10+98.42 грн
50+74.59 грн
100+62.77 грн
500+50.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03-AU-L2-000A1PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03-AU_L2_000A1PanjitMOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03-L2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03_L2_00001PanjitMOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD882
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJD8NA50_L2_00001PanjitMOSFET 500V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD8NA50_R2_00001PanjitMOSFET 500V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD8NA65A_L2_00001PanjitMOSFET PJ/D8NA65A/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-650SMN//PJ/TO252-AS96/PJx8NA65A-AS20/TO252-AS02
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90N03-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90N03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.06 грн
10+74.87 грн
100+50.10 грн
500+37.04 грн
1000+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90N03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90N03_L2_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90P03E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90P03E-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90P03E-AU_L2_006A1PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -88A; Idm: -219A; 40W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -88A
Pulsed drain current: -219A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90P03E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.54 грн
10+60.16 грн
50+44.80 грн
100+37.37 грн
500+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD95P04E-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJD95P04E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD95P04E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.09 грн
10+94.12 грн
100+67.51 грн
500+52.77 грн
1000+46.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9N10A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL MOSFET
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 152mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 9A (Tc)
на замовлення 11566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.11 грн
11+27.93 грн
100+19.04 грн
500+14.05 грн
1000+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9N10A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 152mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.35 грн
6000+11.01 грн
9000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9N10A_L2_00001PanjitMOSFETs 100V N-Channel MOSFET
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
10+37.14 грн
100+28.49 грн
500+21.14 грн
1000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A-AU_L2_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A-AU_L2_000A1PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A-L2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.49 грн
10+50.42 грн
100+39.23 грн
500+31.21 грн
1000+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A_L2_00001PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05PanjitSOT23 10+
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05C-02-R1-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05C-02TB
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05C-03-R1-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05C-05-R1-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.