Продукція > PJD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PJD70N10SA-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70N10SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.26 грн
10+123.25 грн
100+85.07 грн
500+66.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03-L2-00001PanjitMOSFETs TO-252AA/MOS/TO/NFET-30SMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 77A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.36 грн
10+82.42 грн
100+55.67 грн
500+41.49 грн
1000+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 77A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03E-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.39 грн
10+82.56 грн
100+49.98 грн
500+40.11 грн
1000+37.49 грн
3000+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03_L2_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.66 грн
10+46.97 грн
100+30.81 грн
500+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75N04V-AU-L2PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75N04V-AU-L2-002APanjit TO252 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75N04V-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.2A (Ta), 181A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4691 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.29 грн
10+208.95 грн
100+147.82 грн
500+114.24 грн
1000+106.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75N04V-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.2A (Ta), 181A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4691 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+115.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75N04V-AU_L2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75P04E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3477 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75P04E-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+161.08 грн
10+119.08 грн
100+80.08 грн
500+67.65 грн
1000+58.13 грн
3000+48.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75P04E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3477 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.65 грн
10+112.03 грн
100+82.84 грн
500+65.65 грн
1000+56.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD7NA65_L2_00001PanjitMOSFET PJ/D7NA65/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-650SMN/NF650-QI13/PJ/TO252-AS06/TO252-AS07/TO252-AS02
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD7NA65_R2_00001PanjitMOSFET PJ/D7NA65/TR/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-650SMN/NF650-QI13/PJ/TO252-AS06/TO252-AS07/TO252-AS02
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N03-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N03_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N03_L2_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04-AU-L2-000A1PanjitMOSFETs TO252 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04-AU_L2_000A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 79.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.71 грн
10+74.71 грн
100+50.02 грн
500+37.02 грн
1000+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 79.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04S-AU-L2PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04S-AU-L2-002APanjit TO252 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04S-AU_L2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04S-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4973 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.42 грн
10+202.37 грн
100+143.19 грн
500+110.66 грн
1000+103.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04S-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4973 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+111.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04_L2_00001PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.44 грн
10+47.56 грн
100+31.16 грн
500+22.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N06-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N06SA-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N06SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N06SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.01 грн
10+90.34 грн
100+61.36 грн
500+45.94 грн
1000+44.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03-AU-L2-000A1PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03-AU_L2_000A1PanjitMOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03-L2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03_L2_00001PanjitMOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD882
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJD8NA50_L2_00001PanjitMOSFET 500V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD8NA50_R2_00001PanjitMOSFET 500V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD8NA65A_L2_00001PanjitMOSFET PJ/D8NA65A/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-650SMN//PJ/TO252-AS96/PJx8NA65A-AS20/TO252-AS02
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90N03-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90N03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.47 грн
10+79.65 грн
100+53.44 грн
500+39.60 грн
1000+36.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90N03_L2_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90N03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90P03E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90P03E-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.57 грн
10+168.31 грн
100+104.24 грн
500+96.65 грн
1000+91.12 грн
3000+77.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90P03E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.18 грн
10+159.45 грн
100+111.72 грн
500+92.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD95P04E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD95P04E-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.41 грн
10+104.00 грн
100+64.68 грн
500+53.92 грн
1000+47.43 грн
3000+43.91 грн
6000+42.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD95P04E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.79 грн
10+93.26 грн
100+66.89 грн
500+52.29 грн
1000+46.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9N10A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL MOSFET
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 152mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 9A (Tc)
на замовлення 11566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.71 грн
11+27.67 грн
100+18.86 грн
500+13.92 грн
1000+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9N10A_L2_00001PanjitMOSFETs 100V N-Channel MOSFET
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.67 грн
10+32.39 грн
100+18.09 грн
500+13.81 грн
1000+12.36 грн
3000+10.56 грн
6000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9N10A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 152mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.24 грн
6000+10.91 грн
9000+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A-AU_L2_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.49 грн
10+36.80 грн
100+28.23 грн
500+20.95 грн
1000+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A-AU_L2_000A1PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.67 грн
10+32.23 грн
100+18.02 грн
500+13.74 грн
1000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A-L2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A_L2_00001PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.91 грн
10+49.96 грн
100+38.87 грн
500+30.92 грн
1000+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05PanjitSOT23 10+
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05C-02-R1-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05C-02TB
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05C-03-R1-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05C-05-R1-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05T/R/T2SPANJITSOT-23 09+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC12PANJITSOT23
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC15
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC24
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLLLC70
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4