Продукція > R65

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
R6524KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+490.46 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6524KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO3
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+499.29 грн
10+432.11 грн
100+354.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6524KNZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+448.69 грн
10+371.77 грн
25+236.19 грн
100+199.26 грн
300+186.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6528-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 28.5MM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6528-00HarwinStandoffs & Spacers 28.5 LG THREADED SELF/LOCK SPACER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6530ROCKWELL01+ DIP40
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6530ENXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 30A N-CH MOSFET
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.30 грн
10+201.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6530ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 650V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.69 грн
50+199.23 грн
100+194.60 грн
500+85.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6530ENZ4C13Rohm SemiconductorDescription: 650V 30A TO-247, LOW-NOISE POWER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247G
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.88 грн
30+213.23 грн
120+208.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6530ENZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.18 грн
10+221.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6530ENZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6530ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+261.74 грн
5+260.92 грн
10+260.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6530ENZC17ROHM SemiconductorMOSFETs 650V 30A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6530ENZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.82 грн
30+220.72 грн
120+215.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6530KNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6530KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+476.33 грн
10+293.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6530KNX3C16ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+486.89 грн
10+258.00 грн
100+211.80 грн
1000+196.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6530KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 30A N-CH MOSFET
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+284.50 грн
25+222.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6530KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 650V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+555.72 грн
10+480.42 грн
100+393.63 грн
500+314.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6530KNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: 650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+570.62 грн
10+493.86 грн
100+404.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6530KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+568.71 грн
26+544.28 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6530KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6530KNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6530KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+703.92 грн
5+520.22 грн
10+453.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6530KNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+306.44 грн
25+243.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6530KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+615.78 грн
25+589.32 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6530KNZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+288.56 грн
10+233.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6530KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 960µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.82 грн
30+220.72 грн
120+112.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6530KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6530PROCKWELLDIP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6531ROCKWELL02+ DIP
на замовлення 336 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6532ROCKWELL01+ DIP40
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6532-11ROCKWELDIP
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6532-15ROCKWELL02+ DIP
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6532-23ROCKWELL01+ DIP
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6532-24ROCKWELL01+ DIP
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6532-25ROCKWELL01+ DIP
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6532-32ROCKWELL03+ DIP
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6532-34ROCKWELL01+ DIP
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6532-40ROCKWELL03+ DIP
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6532APROCKWELL
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6532GDROCKWELL02+ DIP
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6532PROCKWELL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6535
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6535-00HarwinStandoffs & Spacers 35.0 LG THREADED SELF/LOCK SPACER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6535-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP LOCK SCREW MNT 35MM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6535ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6535ENZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6535ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.115 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+340.58 грн
5+339.77 грн
10+338.96 грн
50+313.99 грн
100+289.14 грн
250+288.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6535ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+836.26 грн
50+761.41 грн
100+712.44 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6535ENZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+321.07 грн
10+296.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6535ENZ4C13Rohm SemiconductorDescription: 650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.04 грн
30+164.90 грн
120+135.80 грн
510+107.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6535ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+885.15 грн
21+693.03 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6535ENZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Low Noise
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6535ENZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+595.70 грн
30+335.70 грн
120+283.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6535ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+754.94 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6535KNX3C16Rohm SemiconductorDescription: 650V 35A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+601.19 грн
50+314.14 грн
100+288.65 грн
500+232.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6535KNX3C16ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+560.05 грн
10+299.66 грн
100+253.61 грн
1000+236.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6535KNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6535KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.098 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+486.08 грн
10+302.38 грн
100+280.43 грн
500+243.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6535KNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+321.07 грн
25+281.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6535KNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6535KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.115 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+740.50 грн
5+647.84 грн
10+536.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6535KNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: 650V 35A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+521.24 грн
10+430.23 грн
100+358.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6535KNZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+332.45 грн
10+309.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6535KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.01 грн
30+266.56 грн
120+132.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6535KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+763.10 грн
25+727.87 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6535KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6540ROCKWEL04+ DIP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6541ROCKWEL04+ DIP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6545ROCKWELL00+ DIP
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6545-1APROCKWELLDIP
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6545-1PROCKWELLDIP
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6545APROCKWELL
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6545EAPROCKWELLDIP
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6545PROCKWELLDIP
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6547ENZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+776.78 грн
25+740.91 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6547ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+712.30 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6547ENZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 47A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+623.45 грн
25+394.21 грн
100+326.76 грн
250+326.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6547ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+617.60 грн
24+589.31 грн
50+503.27 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6547ENZ4C13Rohm SemiconductorDescription: 650V 47A TO-247, LOW-NOISE POWER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247G
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.72mA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+708.57 грн
30+398.40 грн
120+350.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6547KNZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+776.78 грн
25+740.91 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6547KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1201.25 грн
25+1103.31 грн
50+1038.62 грн
100+1000.64 грн
250+839.89 грн
600+688.28 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6547KNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6547KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6547KNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 47A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+658.40 грн
10+628.97 грн
100+521.15 грн
600+520.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6547KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1201.25 грн
25+1103.31 грн
50+1038.62 грн
100+1000.64 грн
250+839.89 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6547KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+458.49 грн
50+453.77 грн
100+436.43 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6549ROCKWELL00+ DIP40
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6549PROCKWELLDIP
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6550-00Harwin Inc.Description: 3.2MM CABLE CLAMP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6551ROCKWELL01+ DIP
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6551-00Harwin Inc.Description: 4.8MM CABLE CLAMP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6551-11
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6551-13
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6551-17ROCKWELDIP
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6551-22ROCKWELDIP
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6551APROCKWELDIP
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6551APEROCKWELDIP
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6551PROCKWELDIP
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6551P(R6551-11)ROCKWELL02+ DIP
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6552-00Harwin Inc.Description: 6.35MM CABLE CLAMP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6553-00Harwin Inc.Description: 7.9MM CABLE CLAMP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6554-00Harwin Inc.Description: 9.5MM CABLE CLAMP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]