Продукція > SQJ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQJ407EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+64.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ407EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0036 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
на замовлення 11895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.62 грн
10+92.62 грн
100+68.06 грн
500+53.55 грн
1000+37.97 грн
5000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO SQJ407EP-T1_GE3 Vishay Siliconix TSQJ407ep
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+77.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.28 грн
10+80.84 грн
100+57.56 грн
500+42.92 грн
1000+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ407EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+53.81 грн
6000+51.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T1-BE3VishayMOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.84 грн
10+87.95 грн
100+68.40 грн
500+54.41 грн
1000+44.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T1_BE3VishayMOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 6279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.31 грн
10+86.53 грн
100+58.68 грн
500+49.77 грн
1000+40.52 грн
2500+39.21 грн
5000+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
на замовлення 73364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.92 грн
10+87.33 грн
100+58.68 грн
500+49.77 грн
1000+40.52 грн
3000+38.11 грн
6000+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 83000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+56.78 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 83000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+133.05 грн
10+108.14 грн
100+83.75 грн
500+67.97 грн
1000+50.91 грн
3000+45.23 грн
6000+42.78 грн
9000+41.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.68 грн
10+88.47 грн
100+59.81 грн
500+44.61 грн
1000+40.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+89.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ409EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 7000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 9128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.45 грн
500+49.06 грн
1500+41.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.08 грн
6000+51.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+64.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ409EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 7000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 7027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.14 грн
50+98.26 грн
100+66.45 грн
500+49.06 грн
1500+41.56 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T2/GE3VishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T2_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 36911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.61 грн
10+95.27 грн
100+55.85 грн
500+44.39 грн
1000+40.73 грн
3000+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.68 грн
10+88.47 грн
100+59.81 грн
500+44.61 грн
1000+40.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T2_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.07 грн
6000+36.06 грн
9000+34.78 грн
15000+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ409EP-T2_GE3Vishay SiliconixP-CH 40 V 60A SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ410EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 32A POWERPAKSO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ410EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 32A POWERPAKSO-8
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ410EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 25878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.81 грн
10+154.02 грн
100+92.51 грн
500+77.32 грн
1000+73.18 грн
3000+68.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ411EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ411EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ411EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds -60A Id AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.25 грн
10+82.56 грн
100+49.77 грн
500+39.49 грн
1000+35.97 грн
3000+32.79 грн
6000+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ411EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ411EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 6 V
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.64 грн
10+71.95 грн
100+55.93 грн
500+44.49 грн
1000+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ412EP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ412EP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ412EP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ412EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.88 грн
6000+71.25 грн
9000+68.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ412EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 24798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.86 грн
10+136.41 грн
100+108.55 грн
500+86.20 грн
1000+73.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ412EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 40V 32A 83W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 5758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.38 грн
10+143.69 грн
100+100.10 грн
250+92.51 грн
500+83.53 грн
1000+71.80 грн
3000+67.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ412EP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ412EP-T2_GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQJ422EP-T1_GE3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ414EP-T1_BE3VishayMOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.14 грн
10+58.99 грн
100+35.00 грн
500+29.20 грн
1000+23.47 грн
3000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ414EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.20 грн
10+56.69 грн
100+37.54 грн
500+27.48 грн
1000+24.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ414EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ414EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ414EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.012 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.51 грн
13+65.64 грн
100+42.77 грн
500+28.12 грн
1000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ414EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ414EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ414EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ414EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ414EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.012 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.77 грн
500+28.12 грн
1000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ414EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ414EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET Dual N-Ch 30V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.14 грн
10+58.03 грн
100+35.00 грн
500+29.20 грн
1000+24.92 грн
3000+22.09 грн
6000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ414EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ415EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ415EP-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PowerPAK SO-8L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ415EP-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 30A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ415EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.34 грн
10+53.85 грн
100+41.90 грн
500+33.33 грн
1000+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ415EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.95 грн
10+65.59 грн
100+43.68 грн
500+32.17 грн
1000+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ415EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ415EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ415EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.014 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.73 грн
12+68.54 грн
100+45.67 грн
500+33.28 грн
1000+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ415EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.47 грн
6000+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ415EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+35.85 грн
398+35.68 грн
400+35.52 грн
401+34.09 грн
500+31.41 грн
1000+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ415EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ415EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.014 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.67 грн
500+33.28 грн
1000+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ415EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 6483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.76 грн
10+70.97 грн
100+40.04 грн
500+31.69 грн
1000+27.96 грн
3000+25.61 грн
9000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ415EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.01 грн
22+35.85 грн
25+35.68 грн
100+34.25 грн
250+31.56 грн
500+30.16 грн
1000+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ416EP-T1-BE3VishayMOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ416EP-T1_BE3VishayMOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ416EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ416EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ416EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 27A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ416EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ416EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 27A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ416EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 119238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.02 грн
3000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ416EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 27A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ416EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ418EP-T1
Код товару: 147924
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ418EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.39 грн
6000+30.62 грн
9000+29.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ418EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.77 грн
10+63.57 грн
100+49.47 грн
500+39.35 грн
1000+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ418EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ418EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 48
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 68
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ418EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 48A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ418EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 48576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.37 грн
10+68.67 грн
100+46.46 грн
500+39.42 грн
1000+32.10 грн
3000+30.17 грн
6000+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ418EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ418EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 48
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 68
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ418EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 48A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ418EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 48A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.77 грн
10+63.57 грн
100+49.47 грн
500+39.35 грн
1000+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ418EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 48A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ418EP-T2_GE3VishayN-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ418EP-T2_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ420EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.58 грн
10+47.34 грн
100+36.84 грн
500+29.30 грн
1000+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ420EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ420EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.58 грн
10+47.34 грн
100+36.84 грн
500+29.30 грн
1000+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ420EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 27891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.41 грн
10+52.48 грн
100+31.82 грн
500+27.61 грн
1000+23.61 грн
3000+21.75 грн
6000+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ420EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ422EP-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 9360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.86 грн
10+96.06 грн
100+58.33 грн
500+46.53 грн
1000+44.18 грн
3000+38.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ422EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.27 грн
10+92.29 грн
100+71.77 грн
500+57.09 грн
1000+46.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ422EP-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 75A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ422EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.44 грн
6000+44.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ422EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.65 грн
6000+48.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ422EP-T1_GE3Vishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 74 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5000 @ 20, Qg, нКл = 100, Rds = 3,4 мОм, Ugs(th) = 2,5, Р, Вт = 83, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerPak-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]