Продукція > IPD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD90P03P4L04ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.58 грн
500+110.32 грн
1000+101.74 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
на замовлення 4671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.26 грн
10+167.86 грн
50+133.33 грн
100+113.87 грн
500+83.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
на замовлення 5504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.95 грн
10+121.82 грн
50+92.99 грн
100+78.55 грн
500+63.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 15954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD90P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 137W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 1722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2Infineon TechnologiesP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 90 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25, Qg, нКл = 160 @ 10, Rds = 4,1 мОм @ 90 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 253 мкА, Р, Вт = 137 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Очікується: 520 Од. ви
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
2500+64.25 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+19110.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+241.26 грн
85+167.86 грн
107+133.33 грн
120+113.87 грн
500+83.97 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD90P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 137W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 1722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4-05Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.03 грн
10+119.26 грн
50+91.03 грн
100+76.85 грн
500+61.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.25 грн
10+106.38 грн
100+90.76 грн
500+79.84 грн
1000+68.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2InfineonMOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 4519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD90P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 13690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18590.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.01 грн
10+155.31 грн
100+116.80 грн
500+96.88 грн
1000+78.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.32 грн
7500+50.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+129.25 грн
133+106.38 грн
156+90.76 грн
500+79.84 грн
1000+68.05 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2
Код товару: 205599
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD90P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 13690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+235.01 грн
92+155.31 грн
122+116.80 грн
500+96.88 грн
1000+78.86 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+124.93 грн
500+112.44 грн
1000+103.70 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L-04INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -40V; -90A; Idm: -360A; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -360A
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+198.70 грн
30+151.80 грн
50+145.92 грн
100+140.89 грн
300+123.28 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L-04Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L-04Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+245.00 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L-04InfineonTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 16V; 6,6mOhm; 90A; 125W; -55°C ~ 175°C; IPD90P04P4L04ATMA1 IPD90P04P4L04 TIPD90p04p4l04
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+97.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+129.65 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA1InfineonMOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+19604.49 грн
5000+19416.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD90P04P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 4153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.75 грн
10+157.19 грн
100+115.60 грн
500+93.73 грн
1000+78.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+107.53 грн
150+94.61 грн
169+83.76 грн
500+74.64 грн
1000+65.89 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.31 грн
10+122.95 грн
50+93.93 грн
100+79.35 грн
500+63.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 7832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -90A; 125W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -90A
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Gate charge: 135nC
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD90P04P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 4153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+235.75 грн
90+157.19 грн
123+115.60 грн
500+93.73 грн
1000+78.70 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+130.83 грн
500+117.75 грн
1000+108.58 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.53 грн
10+94.61 грн
100+83.76 грн
500+74.64 грн
1000+65.89 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 900V 5.1A DPAK-2 CoolMOS C3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3InfineonN-MOSFET 900V 5.1A 83W 1.2Ω IPD90R1K2C3 INFINEON TIPD90r1k2c3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+54.18 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3InfineonТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+171.24 грн
86+164.72 грн
100+159.12 грн
250+148.79 грн
500+134.02 грн
1000+125.51 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
422+83.86 грн
500+80.29 грн
1000+75.84 грн
Мінімальне замовлення: 422 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 900V 5.1A DPAK-2
на замовлення 8427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD90R1K2C3ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.47 грн
10+99.56 грн
50+75.39 грн
100+63.43 грн
500+50.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD90R1K2C3ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3BTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3BTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD950P06NMSAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V TO252-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 6A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R1K2P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 3.7A; 52W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.57 грн
10+90.20 грн
50+68.13 грн
100+57.25 грн
500+45.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 117500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.67 грн
7500+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 12672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+138.40 грн
159+89.37 грн
160+88.47 грн
162+84.46 грн
212+59.57 грн
382+31.75 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.45 грн
10+88.76 грн
25+87.87 грн
50+83.89 грн
100+59.16 грн
250+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.84 грн
10+77.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 119007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.25 грн
10+81.44 грн
50+61.11 грн
100+51.20 грн
500+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7Infineon TechnologiesIPD95R450P7
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+219.13 грн
68+210.79 грн
100+203.63 грн
250+190.40 грн
500+171.50 грн
1000+160.61 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1InfineonMOSFET N-CH 950V 14A TO252 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+143.79 грн
500+129.65 грн
1000+119.04 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 400 V
на замовлення 5483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.90 грн
10+117.52 грн
100+80.94 грн
500+62.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+271.56 грн
81+176.32 грн
100+173.49 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD95R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.