Продукція > IPD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 35 36 37 38 39 40 41 42  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPDD60R190G7XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 76W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Pulsed drain current: 36A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R190G7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 10-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R190G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 210µA
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.89 грн
10+146.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R190G7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDD60R190G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.164 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDH4N03LAinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDH4N03LA-Ginfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDH4N03LAGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDH4N03LAGinfineonto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDH4N03LAGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.32 грн
10+65.06 грн
100+57.70 грн
500+51.31 грн
1000+50.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDH5N03LAinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDH5N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDH5N03LAGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDH6N03LAINFINEON06/07+
на замовлення 3152 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDH6N03LAGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDH6N03LAGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.46 грн
10+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDH9N03LAGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R007CM8Infineon Technologies HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R007CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R007CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 288 A, 7000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 288A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 1.249kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1580.19 грн
50+1368.60 грн
100+1171.51 грн
250+1148.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R007CM8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 288A 22-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R007CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPDQ60R007CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 288A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.249kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 3.24mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 370 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16385 pF @ 400 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+744.78 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R007CM8XTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1767.04 грн
10+1260.70 грн
100+1027.92 грн
500+1007.21 грн
750+959.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R007CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R007CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 288 A, 7000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 288A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 1.249kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1974.84 грн
5+1777.51 грн
10+1580.19 грн
50+1368.60 грн
100+1171.51 грн
250+1148.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R007CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPDQ60R007CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 288A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.249kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 3.24mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 370 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16385 pF @ 400 V
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1317.95 грн
10+909.04 грн
100+877.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R007CM8XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Transistors - Unclassified
Description: IPDQ60R007CM8XTMA1
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
750+1482.83 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R010S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 318 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11987 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1364.55 грн
10+1049.78 грн
25+983.84 грн
100+855.28 грн
250+822.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R010S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 318 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11987 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+878.11 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R010S7AXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1441.66 грн
10+1064.61 грн
100+824.96 грн
500+808.39 грн
750+771.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R010S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 9000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 694W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1207.29 грн
50+1067.21 грн
100+934.72 грн
250+916.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R010S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 318 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11987 pF @ 300 V
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1322.61 грн
10+1016.43 грн
25+952.19 грн
100+827.37 грн
250+795.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R010S7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1439.25 грн
10+1209.89 грн
100+909.87 грн
500+831.17 грн
750+742.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R010S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 9000 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1613.21 грн
5+1410.25 грн
10+1207.29 грн
50+1067.21 грн
100+934.72 грн
250+916.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R010S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 318 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11987 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R015CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1397.37 грн
10+1036.82 грн
100+780.78 грн
500+779.39 грн
750+680.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R015CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R015CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 149 A, 0.012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 657W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1108.23 грн
50+931.85 грн
100+769.73 грн
250+754.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R015CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 657W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R015CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R015CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 149 A, 0.012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 657W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1534.28 грн
5+1321.66 грн
10+1108.23 грн
50+931.85 грн
100+769.73 грн
250+754.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R015CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 657W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R016CM8XTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+817.48 грн
10+711.33 грн
25+617.16 грн
100+552.96 грн
750+468.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R017S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.89mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7370 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R017S7AXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+888.35 грн
10+769.28 грн
100+578.51 грн
250+560.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R017S7AXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+830.37 грн
50+718.70 грн
100+615.09 грн
250+602.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R017S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.89mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7370 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+958.37 грн
10+781.52 грн
100+676.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R017S7AXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1111.45 грн
5+971.31 грн
10+830.37 грн
50+718.70 грн
100+615.09 грн
250+602.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R017S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1068.76 грн
5+933.46 грн
10+798.15 грн
50+691.03 грн
100+591.62 грн
250+579.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R017S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.89mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7370 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R017S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+798.15 грн
50+691.03 грн
100+591.62 грн
250+579.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R017S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.89mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7370 pF @ 300 V
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+924.97 грн
10+751.76 грн
100+649.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R017S7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+855.33 грн
10+739.91 грн
100+556.41 грн
250+539.16 грн
750+537.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R020CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.12mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7395 pF @ 400 V
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1049.23 грн
10+714.07 грн
100+655.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R020CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R020CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 112 A, 0.016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 543W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+947.15 грн
50+797.98 грн
100+702.77 грн
250+688.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R020CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.12mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7395 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R020CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+892.38 грн
10+724.82 грн
100+613.02 грн
500+557.80 грн
750+520.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R020CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R020CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 112 A, 0.016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 543W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1632.54 грн
5+1174.27 грн
10+947.15 грн
50+797.98 грн
100+702.77 грн
250+688.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R022S7AXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+817.48 грн
10+573.19 грн
100+427.32 грн
500+363.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R022S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1036.03 грн
10+695.22 грн
100+524.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R022S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R022S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5639 pF @ 300 V
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+863.62 грн
10+650.42 грн
25+605.12 грн
100+521.15 грн
250+498.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R022S7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+811.04 грн
10+704.18 грн
25+595.76 грн
50+562.63 грн
100+529.49 грн
250+512.92 грн
500+480.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R022S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5639 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R024CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+675.73 грн
10+504.92 грн
100+366.57 грн
500+326.53 грн
750+290.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R025CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R025CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.021 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+673.31 грн
50+572.12 грн
100+479.10 грн
250+469.43 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R025CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R025CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.021 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+926.21 грн
5+799.76 грн
10+673.31 грн
50+572.12 грн
100+479.10 грн
250+469.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R025CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 32.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5626 pF @ 400 V
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+983.99 грн
10+663.66 грн
100+503.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R025CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+902.85 грн
10+647.82 грн
100+485.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R025CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 32.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5626 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R035CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+405.31 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R035CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R035CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 68 A, 0.028 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 367W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+606.46 грн
5+546.87 грн
10+486.46 грн
50+415.07 грн
100+366.57 грн
250+350.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R035CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+872.25 грн
10+737.53 грн
25+581.96 грн
100+534.32 грн
250+502.57 грн
500+466.67 грн
750+423.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R035CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R035CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 68 A, 0.028 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 367W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+486.46 грн
50+415.07 грн
100+366.57 грн
250+350.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R035CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+670.23 грн
10+501.45 грн
25+465.53 грн
100+399.88 грн
250+382.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R037CM8XTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+531.56 грн
10+448.55 грн
25+354.14 грн
100+325.15 грн
250+306.51 грн
500+287.18 грн
750+257.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R037CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R037CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 65 A, 0.037 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+389.01 грн
100+335.05 грн
500+282.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R037CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R037CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 65 A, 0.037 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+519.48 грн
10+389.01 грн
100+335.05 грн
500+282.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R040S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R040S7AXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+650.76 грн
10+438.23 грн
100+283.73 грн
500+281.66 грн
750+266.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R040S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+643.83 грн
10+424.04 грн
100+313.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R040S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 300 V
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+483.07 грн
10+358.83 грн
25+332.14 грн
100+284.22 грн
250+275.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R040S7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+467.13 грн
10+326.29 грн
100+251.28 грн
750+250.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R040S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R045CFD7Infineon Technologies HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R045CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.038 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 297W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+392.23 грн
50+347.76 грн
100+285.11 грн
250+279.59 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 52A 22-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+585.43 грн
29+494.42 грн
36+403.89 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+533.55 грн
10+396.37 грн
25+366.99 грн
100+314.13 грн
250+299.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+726.47 грн
10+489.83 грн
100+350.69 грн
500+312.72 грн
750+292.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 52A 22-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 52A 22-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+485.49 грн
100+460.69 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R045CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.038 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 297W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+523.51 грн
5+458.27 грн
10+392.23 грн
50+347.76 грн
100+285.11 грн
250+279.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+284.08 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 52A 22-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+585.43 грн
10+494.42 грн
25+403.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R055CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+503.37 грн
10+369.95 грн
100+260.95 грн
500+201.58 грн
750+196.06 грн
2250+193.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R055CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R065S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+321.53 грн
10+235.43 грн
25+216.94 грн
100+184.52 грн
250+175.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R065S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R065S7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+320.55 грн
10+221.50 грн
100+165.68 грн
500+158.09 грн
750+154.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R070CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+382.56 грн
10+250.87 грн
100+155.33 грн
500+129.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R075CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.33 грн
10+279.85 грн
25+258.07 грн
100+219.73 грн
250+209.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R075CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+195.62 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R075CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+410.75 грн
10+309.62 грн
25+248.52 грн
100+225.74 грн
250+214.70 грн
500+213.32 грн
750+199.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T010S7AXTMA1Infineon TechnologiesPower Device MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T010S7AXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60T010S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 174 A, 0.01 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2272.83 грн
5+1837.92 грн
10+1569.72 грн
50+1372.34 грн
100+1179.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 35 36 37 38 39 40 41 42  [ Наступна Сторінка >> ]