Продукція > IRL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 48  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRLR8113HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8113PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8113PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 94A 6mOhm 22nC Qg Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8113PBF
Код товару: 48240
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8113TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8113TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8113TRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8113TRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 94A 6mOhm 22nC Qg Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8113TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8113TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8113TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8113TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 22nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8113TRRInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8113TRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8113TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8113TRRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 22nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8203IRTO-252
на замовлення 127500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8203TRIRTO252 03+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8203TRLInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8203TRRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8203TRRIRTO-252
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8256Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8256PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8256PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR8256PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 63
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8256PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8256PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 25V 1 N-CH HEXFET 5.7mOhms 10nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8256TR
Код товару: 174885
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8256TRInternational RectifierN-MOSFET 25V 81A 63W 0.0057Ω IRLR8256 TIRLR8256
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8256TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 81A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+69.18 грн
220+64.47 грн
263+53.83 грн
284+48.06 грн
500+37.48 грн
1000+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8256TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR8256TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 81 A, 0.0042 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 81
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 63
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.41 грн
14+60.23 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8256TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8256TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 25V 81A 5.7mOhm 10nC Log Lvl
на замовлення 5302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8256TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 81A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.54 грн
11+71.64 грн
25+69.18 грн
50+62.16 грн
100+48.06 грн
250+42.72 грн
500+35.98 грн
1000+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8256TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR8256TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 81 A, 0.0042 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 63
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8256TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 81A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 81A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8259Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8259PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLR8259PBF - IRLR8259 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8259PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8259TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8259TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR8259TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 57 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8259TRPBFInfineon
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8259TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 13 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8259TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 25V 57A 8.7mOhm 6.8nC LogLvl
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8259TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 57A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8259TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR8259TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 57 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8503IR07+ TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8503Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8503PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8503PBF
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8503TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8503TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8503TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8503TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8503TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8503TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8503TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8713
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8713PBF
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8721Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8721PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8721PBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 8.5nC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8721TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0063
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8721TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 65A 8.5nC 8.4mOhm Qg log lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8721TRPBFInfineonMOSFET N-CH 30V 65A DPAK (TO-252-3) Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
5+62.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8721TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8721TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8721TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8721TRPBF-1Infineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8721TRPBF-IRInternational RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TECH PUBLICTransistor N-MOSFET; 30V; 20V; 7,5mOhm; 90A; 181W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8726; IRLR8726TRL; IRLR8726TR; SP001573950; SP0015528 IRLR8726 TO252 TIRLR8726 c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 9mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR8726; IRLR8726TRL; IRLR8726TR; SP001573950; SP001552846; SP001573108; IRLR8726 HXY MOSFET TIRLR8726 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726PBFInfineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 86 А, Ptot, Вт = 75, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2150 @ 15, Qg, нКл = 23 @ 4,5 В, Rds = 5,8 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,35 В @ 50 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
75+17.04 грн
150+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726PBF
Код товару: 106471
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, V: 30 V
Струм стоку Idd, A: 61 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 5,8 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2150/15
Примітка: Управління логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+9.40 грн
100+8.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726PBFInternational RectifierN-CH MOSFET 30V 86A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRInfineonTransistor N-MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRLR8726TRL; IRLR8726; IRLR8726TR; IRLR8726-GURT; IRLR8 IRLR8726TR TIRLR8726
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRUMWTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR8726; IRLR8726TRL; IRLR8726TR; SP001573950; SP001552846; SP001573108; IRLR8726TR UMW TIRLR8726 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 340 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRJGSEMITransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLR8726; IRLR8726TRL; IRLR8726TR; SP001573950; SP001552846; SP001573108; IRLR8726TR JGSEMI TIRLR8726 JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TR-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,4mOhm; 90A; 39W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR8726; IRLR8726TRL; IRLR8726TR; SP001573950; SP001552846; SP001573108; IRLR8726TR-CN CHIPNOBO TIRLR8726 CNB
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1528+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 1528 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRLPBFInternational RectifierN-CH MOSFET 30V 86A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRLPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLR8726TRLPBF - IRLR8726TRLPBF - TRENCH < 40V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1432+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 1432 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1528+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 1528 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRLPBFInfineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1528+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 1528 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 85A 5.8mOhm 30V 15nC Qg log lvl
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1528+23.15 грн
10000+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 1528 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1523+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 1523 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+30.91 грн
4000+27.55 грн
6000+26.41 грн
10000+23.60 грн
14000+22.89 грн
20000+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC
на замовлення 30771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 6630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.24 грн
250+26.17 грн
1000+17.89 грн
2000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 48  [ Наступна Сторінка >> ]