Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 50  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN4R6-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+84.31 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4426 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+74.18 грн
2400+63.66 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+151.70 грн
10+125.20 грн
25+114.80 грн
100+98.43 грн
250+88.96 грн
500+80.55 грн
1000+75.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+151.70 грн
113+125.20 грн
124+114.80 грн
139+98.43 грн
250+88.96 грн
500+80.55 грн
1000+75.70 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+80.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60PSNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4426 pF @ 30 V
на замовлення 7704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.04 грн
10+145.82 грн
100+105.72 грн
500+82.62 грн
1000+78.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60PS,127NexperiaMOSFET PSMN4R6-60PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSE,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 436000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+213.45 грн
217600+195.99 грн
326400+183.32 грн
435200+167.62 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSE,118Nexperia USA Inc.Description: N CHANNEL 100V 4.8 MOHM STANDAR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSE,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 50400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+213.45 грн
25600+195.99 грн
38400+183.32 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN4R8-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 405W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
на замовлення 7829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+196.71 грн
2400+186.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+205.14 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+138.98 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNexperiaMOSFETs PSMN4R8-100BSE/SOT404/D2PAK
на замовлення 22212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+244.21 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+188.58 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+138.46 грн
2400+121.71 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 405W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 405W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 278nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+222.63 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+197.09 грн
2400+187.13 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+160.20 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+236.29 грн
67+212.25 грн
68+210.17 грн
100+180.30 грн
250+160.63 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+183.83 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+187.65 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 14434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.15 грн
10+224.25 грн
50+175.28 грн
100+149.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.29 грн
10+212.25 грн
25+210.17 грн
100+180.30 грн
250+160.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100PSEQNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+466.74 грн
100+443.16 грн
500+419.59 грн
1000+383.01 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100PSEQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100PSEQNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+466.74 грн
100+443.16 грн
500+419.59 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100PSEQNexperiaMOSFET PSMN4R8-100PSE/SOT78/SIL3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100YSEXNexperia USA Inc.Description: PSMN4R8-100YSE/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100YSEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN4R8-100YSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3600 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100YSEXNexperiaMOSFETs PSMN4R8-100YSE/SOT1023/4 LEADS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100YSEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN4R8-100YSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3600 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100YSEXNexperia USA Inc.Description: PSMN4R8-100YSE/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100YSEXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 115A; Idm: 653A; 294W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 653A
Power dissipation: 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-100ESNXP USA Inc.Description: ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-100ES,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+251.05 грн
500+238.08 грн
1000+223.94 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-100ES,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-100ES,127NexperiaMOSFET N-Ch 100V 5 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-100ES,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+251.05 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-100ES127Nexperia USA Inc.Description: 120A, 100V, 0.005OHM, N CHANNE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-100PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+372.45 грн
100+353.59 грн
500+334.73 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-100PS,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+372.45 грн
100+353.59 грн
500+334.73 грн
1000+305.73 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-100PS,127NexperiaMOSFET PSMN5R0-100PS/SOT78/SIL3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+372.45 грн
100+353.59 грн
500+334.73 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+372.45 грн
100+353.59 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-100XS,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 67.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 63.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-30YLNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 91A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 91A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 91A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 91A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+70.99 грн
554+63.89 грн
1000+58.92 грн
10000+50.65 грн
Мінімальне замовлення: 499 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-30YL,115NexperiaMOSFETs PSMN5R0-30YL/SOT669/LFPAK
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-30YL,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN5R0-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 84 A, 3630 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 61W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3630µohm
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 91A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 12 V
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.92 грн
10+55.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-40MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2649 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.06 грн
10+75.25 грн
100+50.43 грн
500+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-40MLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-40MLHXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 40V 85A
на замовлення 12361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-40MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2649 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-40MSHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-40MSHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-40MSHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-40MSHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-40MSHXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 40V 85A
на замовлення 2067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6793 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.87 грн
10+136.69 грн
100+102.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-80BS,118NexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 5.2 mohm logic level MOSFET in LFPAK56
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6793 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-80BS118Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN5R0-80BS - POWE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-80PS
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 27461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+297.01 грн
500+281.69 грн
1000+265.19 грн
10000+240.94 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-80PS,127NexperiaMOSFET PSMN5R0-80PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+297.01 грн
500+281.69 грн
1000+265.19 грн
10000+240.94 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-80PS,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN5R0-80PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0037 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-80PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6793 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 23033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.31 грн
10+183.94 грн
100+148.80 грн
500+124.12 грн
1000+106.28 грн
2000+100.07 грн
5000+94.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 33950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+297.01 грн
500+281.69 грн
1000+265.19 грн
10000+240.94 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 74780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+297.01 грн
500+281.69 грн
1000+265.19 грн
10000+240.94 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-80PS,127NexperiaPSMN5R0-80PS,127 PSMN5R0-80PS MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R2-60YLNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R2-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R2-60YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6319 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R2-60YLXNexperiaMOSFETs PSMN5R2-60YL/SOT669/LFPAK
на замовлення 30575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R2-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.12 грн
10+88.50 грн
100+77.43 грн
500+57.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R2-60YLXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 479A; 195W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 479A
Power dissipation: 195W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R2-60YLXNexperiaMOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R2-60YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN5R2-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 195W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 4649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R2-60YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6319 pF @ 25 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.25 грн
10+81.52 грн
50+61.38 грн
100+51.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R2-60YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN5R2-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 195W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 4649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R3-25MLD,115Nexperia USA Inc.Description: PSMN5R3-25MLD - N-CHANNEL 25V, L
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
407+60.45 грн
Мінімальне замовлення: 407 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R3-25MLD,115NexperiaPSMN5R3-25MLD,115
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.29 грн
500+152.04 грн
1000+143.79 грн
10000+129.56 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R3-25MLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN5R3-25MLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 70 A, 0.00525 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00525ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R3-25MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 50  [ Наступна Сторінка >> ]