Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+139.29 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+376.67 грн
10+240.89 грн
50+188.33 грн
100+160.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+160.56 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+236.82 грн
67+212.72 грн
68+210.64 грн
100+180.70 грн
250+160.99 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+184.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+188.06 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.82 грн
10+212.72 грн
25+210.64 грн
100+180.70 грн
250+160.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+143.04 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+205.59 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+139.29 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNexperiaMOSFETs TO263 100V 120A N-CH MOSFET
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+397.06 грн
10+256.43 грн
100+146.35 грн
500+120.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+244.76 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100PSEQNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+467.78 грн
100+444.15 грн
500+420.52 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100PSEQNexperiaMOSFET PSMN4R8-100PSE/SOT78/SIL3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100PSEQNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+467.78 грн
100+444.15 грн
500+420.52 грн
1000+383.86 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100PSEQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100YSEXNexperia USA Inc.Description: PSMN4R8-100YSE/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 50 V
на замовлення 7289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.51 грн
10+160.19 грн
100+111.64 грн
500+85.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+115.84 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100YSEXNexperiaMOSFETs SOT1023 100V 120A N-CH
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.81 грн
10+154.81 грн
100+100.10 грн
500+89.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100YSEXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 115A; Idm: 653A; 294W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 653A
Power dissipation: 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100YSEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN4R8-100YSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3600 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100YSEXNexperia USA Inc.Description: PSMN4R8-100YSE/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+89.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+115.64 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100YSEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN4R8-100YSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3600 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+190.41 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-100ESNXP USA Inc.Description: ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-100ES,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-100ES,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+251.61 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-100ES,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+251.61 грн
500+238.61 грн
1000+224.44 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-100ES,127NexperiaMOSFET N-Ch 100V 5 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-100ES127Nexperia USA Inc.Description: 120A, 100V, 0.005OHM, N CHANNE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+373.28 грн
100+354.38 грн
500+335.48 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+373.28 грн
100+354.38 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-100PS,127NexperiaMOSFET PSMN5R0-100PS/SOT78/SIL3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-100PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 5274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.78 грн
10+242.68 грн
100+196.30 грн
500+163.75 грн
1000+140.21 грн
2000+132.03 грн
5000+124.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+373.28 грн
100+354.38 грн
500+335.48 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-100PS,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+373.28 грн
100+354.38 грн
500+335.48 грн
1000+306.41 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-100XS,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 67.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 63.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-30YLNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 91A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+71.15 грн
554+64.03 грн
1000+59.05 грн
10000+50.77 грн
Мінімальне замовлення: 499 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 91A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 12 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
10+49.28 грн
100+32.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 91A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-30YL,115NexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 91A
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.45 грн
10+59.38 грн
100+34.10 грн
500+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 91A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-30YL,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN5R0-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 84 A, 3630 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 61W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3630µohm
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.14 грн
12+73.05 грн
100+48.16 грн
500+36.94 грн
1000+31.76 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 91A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-40MLHXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 40V 85A
на замовлення 12361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.45 грн
10+80.18 грн
100+45.70 грн
500+35.90 грн
1000+26.44 грн
1500+26.37 грн
3000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-40MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2649 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.93 грн
10+74.56 грн
100+49.97 грн
500+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-40MLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-40MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2649 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-40MSHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-40MSHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-40MSHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-40MSHXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 40V 85A
на замовлення 2067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.89 грн
10+81.77 грн
50+52.67 грн
100+46.87 грн
1500+31.62 грн
3000+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-40MSHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6793 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.00 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-80BS,118NexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 5.2 mohm logic level MOSFET in LFPAK56
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.38 грн
10+144.49 грн
100+94.58 грн
500+84.91 грн
800+71.80 грн
2400+70.41 грн
4800+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6793 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.31 грн
10+135.44 грн
100+101.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-80BS118Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN5R0-80BS - POWE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-80PS
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 33950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+297.68 грн
500+282.32 грн
1000+265.78 грн
10000+241.48 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 74780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+297.68 грн
500+282.32 грн
1000+265.78 грн
10000+241.48 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-80PS,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN5R0-80PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0037 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+210.21 грн
10+154.64 грн
100+130.47 грн
500+112.18 грн
1000+94.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 27461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+297.68 грн
500+282.32 грн
1000+265.78 грн
10000+241.48 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+297.68 грн
500+282.32 грн
1000+265.78 грн
10000+241.48 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-80PS,127NexperiaMOSFET PSMN5R0-80PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.20 грн
10+238.17 грн
100+169.13 грн
500+143.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-80PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6793 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 23033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.22 грн
10+182.26 грн
100+147.43 грн
500+122.98 грн
1000+105.31 грн
2000+99.16 грн
5000+93.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-80PS,127 PSMN5R0-80PSNexperiaMOSFET N-CH 80V 100A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R2-60YLNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R2-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R2-60YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN5R2-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 195W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 4734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+210.21 грн
10+134.50 грн
50+114.37 грн
200+77.78 грн
500+59.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R2-60YLXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 60V 100A
на замовлення 34385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.75 грн
10+89.71 грн
100+52.26 грн
500+41.35 грн
1000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R2-60YLXNexperiaMOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R2-60YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6319 pF @ 25 V
на замовлення 2568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.80 грн
10+81.74 грн
100+55.04 грн
500+40.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R2-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+39.77 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R2-60YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6319 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+39.48 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R2-60YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN5R2-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.65 грн
200+79.27 грн
500+63.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R2-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R3-25MLD,115NexperiaPSMN5R3-25MLD,115
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.65 грн
500+152.38 грн
1000+144.11 грн
10000+129.85 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R3-25MLD,115Nexperia USA Inc.Description: PSMN5R3-25MLD - N-CHANNEL 25V, L
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
407+59.90 грн
Мінімальне замовлення: 407 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R3-25MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R3-25MLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN5R3-25MLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 70 A, 0.00525 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00525ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.87 грн
25+33.18 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R3-25MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 858 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R3-25MLDXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 25V 70A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R3-25MLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN5R3-25MLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 70 A, 0.00525 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00525ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R3-25MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 858 pF @ 12 V
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.34 грн
10+40.68 грн
100+26.47 грн
500+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R4-25YLD,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN5R4-25YLD,115 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+68.46 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R4-25YLD,115Nexperia USA Inc.Description: PSMN5R4-25YLD - N-CHANNEL 25V, L
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
407+59.90 грн
Мінімальне замовлення: 407 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R4-25YLD,115NexperiaPSMN5R4-25YLD,115
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.65 грн
500+152.38 грн
1000+144.11 грн
10000+129.85 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R4-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.69mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 858 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R4-25YLDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 25V 70A
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.22 грн
10+35.41 грн
100+20.16 грн
500+18.09 грн
1000+12.84 грн
1500+12.36 грн
3000+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R4-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R4-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+68.85 грн
13+62.36 грн
100+50.20 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R4-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.69mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 858 pF @ 12 V
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.01 грн
10+39.34 грн
100+25.64 грн
500+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R4-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-100YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN5R5-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 115 A, 4500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 238W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+310.88 грн
10+203.77 грн
100+154.64 грн
500+119.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 115A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-100YSFXNexperia USA Inc.Description: PSMN5R5-100YSF/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6238 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]