Продукція > IRL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRLS3036TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+385.63 грн
39+369.06 грн
50+354.99 грн
100+330.70 грн
250+296.92 грн
500+277.29 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+376.94 грн
66+216.62 грн
100+190.11 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+114.60 грн
2400+99.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+376.94 грн
10+216.62 грн
100+190.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+138.79 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3813Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3813PBFInfineon / IRMOSFET 30V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3813PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 148A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3813TRLPBFInfineon / IRMOSFET 30V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 7730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3813TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 247A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+250.77 грн
10+212.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3813TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 148A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3813TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 247A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030
Код товару: 99541
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 190 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,2 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 11490/93
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+93.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030-7P
Код товару: 99542
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK-7 (TO-263-7)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 190 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,2 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 11490/93
Примітка: Управління логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+96.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030-7PPBFInfineon / IRMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 3.9mOhms 93nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030-7PPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11490 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030PBFInternational RectifierIRLS 4030 PBF TO263 IRF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030PBF
Код товару: 130902
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030PBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 4.3mOhms 87nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C~175°C; Substitute: IRLS4030; IRLS4030TRL; IRLS4030-GURT; IRLS4030TRL obsolete; IRLS4030 TIRLS4030
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+185.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+232.19 грн
Мінімальне замовлення: 153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRLS4030TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRL7PPInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 190A 3.9mOhm 93nC-7
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+232.19 грн
Мінімальне замовлення: 153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11490 pF @ 50 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRLS4030TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+258.35 грн
56+255.53 грн
100+206.50 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11490 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+349.35 грн
60+239.05 грн
61+234.54 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+131.95 грн
2400+115.80 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+140.11 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLS4030TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+206.26 грн
500+195.65 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+140.11 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLS4030TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
на замовлення 5086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.07 грн
10+226.74 грн
50+177.21 грн
100+151.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+349.35 грн
10+239.05 грн
50+234.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS510AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 2.25A, 5V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS540AON SemiconductorIRLS540A
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+98.11 грн
500+88.30 грн
1000+81.43 грн
10000+70.01 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS540AONSEMIDescription: ONSEMI - IRLS540A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 509 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS540AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 8.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 25 V
на замовлення 12350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+71.45 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS620AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.05A, 5V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1494+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 1494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS630AonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 6.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.25A, 5V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS640AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS640AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.14 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS640AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS640AONSEMIDescription: ONSEMI - IRLS640A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.8 A, 0.18 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS640AonsemiMOSFETs 200V N-Channel a-FET Logic Level
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS640AonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 4.9A, 5V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1705 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS640AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+70.14 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL3034PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL3034PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL3036Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL3036PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLSL3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.0019 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 195
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 380
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 380
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL3036PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL3036PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL3036PBF транзистор
Код товару: 56838
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL4030Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL4030PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+208.62 грн
500+196.83 грн
1000+186.22 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL4030PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL4030PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL4030PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+208.62 грн
500+196.83 грн
1000+186.22 грн
10000+169.34 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL4030PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLSL4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0034 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 370
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 370
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 34588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
383+36.94 грн
609+23.26 грн
787+17.97 грн
1000+15.48 грн
3000+11.33 грн
6000+10.00 грн
9000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.71 грн
6000+8.53 грн
9000+8.12 грн
15000+7.18 грн
21000+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 34588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.79 грн
21+36.69 грн
100+23.10 грн
500+17.21 грн
1000+14.24 грн
3000+10.81 грн
6000+9.93 грн
9000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLTS2242TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBFMOSFET 20V 6.9A (55A pulse), P Channel TSOP-6
на замовлення 62 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
16+45.44 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 474000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.13 грн
6000+12.06 грн
9000+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBFInfineonMOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP Транзистори
на замовлення 300 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
26+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 474000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.96 грн
6000+11.91 грн
9000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBF
Код товару: 106324
Додати до обраних Обраний товар
International RectifierТранзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 10 V
на замовлення 22448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.33 грн
12+25.29 грн
100+16.17 грн
500+11.48 грн
1000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs P-CHANNEL -20V -6.9A 32mOhm -2.5V capabl
на замовлення 5536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+28.67 грн
512+27.64 грн
1000+26.73 грн
2500+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.9A; 2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.16 грн
14+31.70 грн
16+27.17 грн
100+15.68 грн
500+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBFON SemiconductorP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 905 @ 10, Qg, нКл = 12, Rds = 32 мОм, Ugs(th) = 1,1, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBFIRLTS6342TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 110 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
472+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 472 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.20 грн
9000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3049+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 3049 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.88 грн
9000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.35 грн
22+19.37 грн
25+17.19 грн
50+15.68 грн
100+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLTS6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.014 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.04 грн
9000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
705+20.08 грн
1250+11.31 грн
1328+10.65 грн
3000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 705 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.61 грн
23+32.91 грн
26+29.97 грн
100+21.18 грн
250+18.36 грн
500+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 25 V
на замовлення 20508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.68 грн
12+26.64 грн
50+19.35 грн
100+15.96 грн
500+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLTS6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.