Продукція > IRL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRLS3034TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+383.21 грн
53+266.95 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 380A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.42 грн
10+200.55 грн
25+182.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRLS3034TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+191.72 грн
250+175.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.74 грн
500+99.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC
на замовлення 3406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.22 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.74 грн
10+178.66 грн
100+124.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
у наявності 512 шт:
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+267.43 грн
10+175.57 грн
100+122.74 грн
500+99.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+315.83 грн
47+302.27 грн
50+290.75 грн
100+270.85 грн
250+243.18 грн
500+227.10 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+100.30 грн
1600+90.01 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+284.43 грн
69+205.53 грн
100+146.43 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036
Код товару: 99539
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 240 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 2,2 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 11270/110
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+139.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036-7P
Код товару: 99540
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK-7 (TO-263-7)
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 240 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 1,5 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 11270/110
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+139.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036-7PPBFInfineon TechnologiesMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 1.9mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036-7PPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLS3036-7PPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 180
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 380
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036-7PPBFInfineonMOSFET N-CH 60V 240A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036-7PPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+330.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLInternational RectifierN-MOSFET 240A 60V 380W 0.0019Ω IRLS3036 TIRLS3036
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+114.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+102.31 грн
1600+91.99 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+136.22 грн
1600+128.04 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+364.97 грн
10+242.23 грн
100+171.51 грн
500+147.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V
на замовлення 1909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.31 грн
10+180.09 грн
100+126.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+135.16 грн
1600+127.03 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+171.51 грн
500+147.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PPInfineon TechnologiesMOSFETs 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+389.95 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+110.58 грн
1600+99.55 грн
2400+96.01 грн
4000+88.81 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+337.33 грн
10+222.72 грн
50+190.21 грн
100+145.67 грн
250+131.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
на замовлення 5599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+415.62 грн
36+397.76 грн
50+382.61 грн
100+356.43 грн
250+320.01 грн
500+298.86 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+139.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
на замовлення 5081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.90 грн
10+193.15 грн
100+136.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+138.31 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+145.67 грн
250+131.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3813Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3813PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 148A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3813PBFInfineon / IRMOSFET 30V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3813TRLPBFInfineon / IRMOSFET 30V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 7730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3813TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 247A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3813TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263AB)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 148A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3813TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 247A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+250.77 грн
10+212.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030
Код товару: 99541
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Idd, A: 190 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 3,2 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 11490/93
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+93.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030Infineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030-7P
Код товару: 99542
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK-7 (TO-263-7)
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Idd, A: 190 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 3,2 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 11490/93
Примітка: Управління логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+96.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11490 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030-7PPBFInfineon / IRMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 3.9mOhms 93nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030-7PPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030PBFInternational RectifierIRLS 4030 PBF TO263 IRF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030PBF
Код товару: 130902
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030PBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 4.3mOhms 87nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C~175°C; Substitute: IRLS4030; IRLS4030TRL; IRLS4030-GURT; IRLS4030TRL obsolete; IRLS4030 TIRLS4030
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+185.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11490 pF @ 50 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+332.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRLS4030TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+212.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+232.19 грн
Мінімальне замовлення: 153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRL7PPInfineon
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11490 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRL7PPInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 190A 3.9mOhm 93nC-7
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRLS4030TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+352.77 грн
10+261.74 грн
100+212.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+258.35 грн
56+255.53 грн
100+206.50 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+232.19 грн
Мінімальне замовлення: 153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+313.99 грн
70+204.61 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.82 грн
10+157.83 грн
100+110.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLS4030TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+135.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLS4030TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0043 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+258.48 грн
10+188.58 грн
100+132.49 грн
500+117.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS510AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 2.25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS540AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 8.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 25 V
на замовлення 12350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
347+58.49 грн
Мінімальне замовлення: 347 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS540AON SemiconductorIRLS540A
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+98.11 грн
500+88.30 грн
1000+81.43 грн
10000+70.01 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS540AONSEMIDescription: ONSEMI - IRLS540A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
509+61.37 грн
Мінімальне замовлення: 509 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS620AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.05A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1494+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 1494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS630AonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 6.5A TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS640AonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1705 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 4.9A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS640AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.93 грн
40+18.98 грн
100+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS640AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.86 грн
100+51.50 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS640AONSEMIDescription: ONSEMI - IRLS640A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.8 A, 0.18 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.55 грн
10+89.41 грн
100+73.89 грн
500+58.04 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS640Aonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS640AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS640AFAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL3034PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL3034PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL3036Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL3036PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLSL3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.0019 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 195
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 380
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 380
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL3036PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL3036PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL3036PBF транзистор
Код товару: 56838
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL4030Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL4030PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48  [ Наступна Сторінка >> ]