Продукція > BUK

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
BUK9880-55A/CUXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 7A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9880-55A/CUXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 7A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK988055NXP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK988055A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9907-40ATC
на замовлення 526 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9907-40ATC,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220-5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-5
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5836 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9907-55ATE,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5836 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-5
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK990740ATC
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK990755ATE
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9C07-65BIT,118Nexperia USA Inc.Description: TRANS D2PAK-7
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK-7
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9C10-55BIT/A,11Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4667 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9C10-65BITNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9C10-65BIT,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 65V 75A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9C1R3-40EJNXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 190A D2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK-7
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 90A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9C1R3-40EJNexperiaMOSFET BUK9C1R3-40E/D2PAK/REEL13
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9C2R2-60EJNexperiaMOSFET BUK9C2R2-60E/D2PAK/REEL 13" Q1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9C2R2-60EJNXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V D2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK-7
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9C3R8-80EJNXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V D2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK-7
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9C3R8-80EJNexperiaMOSFET BUK9C3R8-80E/D2PAK/REEL 13" Q1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9C5R3-100EJNXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V D2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK-7
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9C5R3-100EJNexperiaMOSFET BUK9C5R3-100E/D2PAK/REEL 13" Q
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9D120-60PXNexperia USA Inc.Description: BUK9D120-60P/SOT1220/SOT1220
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 713 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8A (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9D23-40E,115Nexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9D23-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9D23-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.018 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.59 грн
50+19.49 грн
100+15.54 грн
500+11.14 грн
1500+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9D23-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9D23-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.71 грн
40+19.28 грн
100+16.00 грн
500+13.68 грн
1000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9D23-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 754 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9D23-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 8A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9D23-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9D23-40EXNexperiaMOSFET N-CH 40V 8A DFN2020MD-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9D23-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9D23-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9D23-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.018 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.54 грн
500+11.14 грн
1500+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9D23-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
625+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9D23-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 8A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9D23-40EXNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 40V 8A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9D23-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
754+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 754 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E04-30BNexperiaMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E04-30B,127NexperiaMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E04-30B,127NXP USA Inc.Description: PFET, 75A I(D), 30V, 0.0044OHM,
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+88.32 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E04-30B,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E04-40A,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E04-40A,127NexperiaMOSFET Trans MOSFET N-CH 40V 198A 3Pin(3+Tab)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E0430B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E0440A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E06-55ANexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E06-55A,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E06-55A,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 154A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E06-55A,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E06-55A,127NexperiaMOSFET Trans MOSFET N-CH 55V 154A 3Pin(3+Tab)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E06-55BNXP SemiconductorsMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E06-55B,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 258W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7565 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E06-55B,127NexperiaMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E0655A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E0655A (транзистор)
Код товару: 66851
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E0655B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E08-55B,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9E08-55B,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.0062 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 110
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 203
Bauform - Transistor: TO-262
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0062
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E08-55B,127NXPТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E08-55B,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E08-55B,127NexperiaMOSFET Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3Pin(3+Tab)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E08-55B,127-NXPRochester Electronics, LLCDescription: PFET, 75A I(D), 55V, 0.0093OHM,
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 491 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E0855B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E15-60E,127NexperiaMOSFET BUK9E15-60E/I2PAK/STANDARD MAR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E15-60E,127Rochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E15-60E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E1R6-30E,127NexperiaMOSFET BUK9E1R6-30E/I2PAK/STANDARD MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E1R6-30E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E1R8-40E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E1R9-40ENXP USA Inc.Description: BUK9E1R9-40E - I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E1R9-40E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E1R9-40E,127NexperiaMOSFET BUK9E1R9-40E/I2PAK/STANDARD MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E1R9-40E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V I2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 4974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+70.26 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E2R3-40E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+73.66 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E2R3-40E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E2R3-40E,127NexperiaMOSFET BUK9E2R3-40E/I2PAK/STANDARD MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E2R8-60E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17450 pF @ 25 V
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+96.86 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E2R8-60E,127NexperiaMOSFET BUK9E2R8-60E/I2PAK/STANDARD MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E3R2-40B,127NexperiaMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E3R2-40B,127Rochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+108.12 грн
Мінімальне замовлення: 211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E3R2-40B,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E3R2-40E,127Rochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E3R2-40E,127NexperiaMOSFET BUK9E3R2-40E/I2PAK/STANDARD MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E3R2-40E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E3R240B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E3R7-60E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E3R7-60E,127NexperiaMOSFET BUK9E3R7-60E/I2PAK/STANDARD MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E4R4-40B,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7124 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E4R4-40B,127NexperiaMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E4R4-80E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17130 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E4R4-80E,127NexperiaMOSFET BUK9E4R4-80E/I2PAK/STANDARD MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E4R440B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E4R9-60E,127NexperiaMOSFET BUK9E4R9-60E/I2PAK/STANDARD MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E4R9-60E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9710 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E6R1-100E,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17.46 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+112.66 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E6R1-100E,127NexperiaMOSFET BUK9E6R1-100E/I2PAK/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E8R5-40E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E8R5-40E,127NexperiaMOSFET BUK9E8R5-40E/I2PAK/STANDARD MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9E8R5-40E,127Rochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9GTHP-55PJTR,51NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 55V 28SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9J0R9-40HXNexperia USA Inc.Description: BUK9J0R9-40H/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Grade: Automotive
Vgs (Max): +16V, -10V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9J0R9-40HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9J0R9-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 220 A, 760 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 220
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: SOT-1023
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 760
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.66
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]