Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN7R0-100ES,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R0-100ES,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+84.57 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-100PSNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-100PS
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-100PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 269W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6686 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+297.68 грн
500+282.32 грн
1000+265.78 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-100PS,127NexperiaMOSFET PSMN7R0-100PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.84 грн
10+216.73 грн
100+153.95 грн
500+131.16 грн
1000+110.45 грн
2500+104.93 грн
5000+101.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+297.68 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-100PS127NXP SemiconductorsDescription: NOW NEXPERIA PSMN7R0-100PS - POW
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-100XS,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6686 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 57.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30MLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R0-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 67 A, 6050 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6050µohm
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.70 грн
14+58.47 грн
100+38.10 грн
500+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30MLC,115NexperiaMOSFETs PSMN7R0-30MLC/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 4639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.65 грн
10+48.19 грн
50+30.72 грн
100+27.13 грн
1500+18.43 грн
3000+16.08 грн
4500+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1076 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.92 грн
10+35.08 грн
100+24.00 грн
500+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1076 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.59 грн
3000+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YL
Код товару: 115636
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YLNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 76A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 12 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.51 грн
3000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+34.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.10 грн
3000+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YL,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 76A; Idm: 260A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 51W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.97mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.11 грн
13+33.32 грн
25+27.01 грн
100+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YL,115NexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 61A
на замовлення 3072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.95 грн
10+37.23 грн
100+22.85 грн
500+19.19 грн
9000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YL,115
Код товару: 143103
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 76A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 12 V
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.33 грн
10+45.32 грн
100+29.72 грн
500+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.07 грн
3000+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YL,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R0-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 7000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 51W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.95 грн
13+65.64 грн
100+43.41 грн
500+31.71 грн
1000+26.16 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YL115/BKNNXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 48W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.80 грн
10+43.46 грн
100+27.42 грн
250+26.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YLC,115NexperiaMOSFETs PSMN7R0-30YLC/SOT669/LFPAK
на замовлення 12942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.92 грн
10+47.55 грн
100+26.99 грн
500+20.85 грн
1000+20.30 грн
1500+15.88 грн
3000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YLC,115
Код товару: 143525
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.96 грн
3000+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1057 pF @ 15 V
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.56 грн
10+44.80 грн
100+29.29 грн
500+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1057 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
661+53.63 грн
1000+49.46 грн
10000+44.09 грн
Мінімальне замовлення: 661 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-40LS,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8DFN
Supplier Device Package: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1286 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YSNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 89A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R0-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.00495 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00495ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.51 грн
500+43.75 грн
1000+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 89A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 89A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 30 V
на замовлення 33419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.47 грн
10+79.80 грн
100+53.67 грн
500+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 89A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115NexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 60V 89A
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.66 грн
10+75.10 грн
100+58.13 грн
1500+44.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 89A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R0-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 4950 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 117W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4950µohm
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+192.49 грн
10+124.03 грн
100+78.37 грн
500+59.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+136.92 грн
10+94.73 грн
25+85.59 грн
100+79.77 грн
250+76.45 грн
500+68.14 грн
1000+64.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 89A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 30 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.43 грн
3000+34.27 грн
4500+32.87 грн
7500+29.37 грн
10500+28.50 грн
15000+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 89A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 89A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R2-100YSFXNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 50 V
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.82 грн
10+123.25 грн
50+93.89 грн
100+79.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R2-100YSFXNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R2-100YSFXNexperiaMOSFETs SOT669 100V 111A N-C H MOSFET
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.97 грн
10+109.56 грн
100+65.31 грн
500+55.09 грн
1000+48.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-25YLC,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 56A LFPAK56
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 921 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-25YLC,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 56A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 921 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-30MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 57A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-30MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-30MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 57A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.32 грн
3000+17.29 грн
4500+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-30MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 57A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-30MLDXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 30V 57A
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.34 грн
10+46.68 грн
100+25.89 грн
500+18.85 грн
1000+15.88 грн
1500+14.15 грн
3000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-30MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 57A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.34 грн
3000+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-30MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 57A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-30MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
10+49.14 грн
100+32.16 грн
500+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-30MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 57A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.39 грн
3000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-30YLD115NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+24.82 грн
3000+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-30YLDXNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 7.5 mohm logic level MOSFET in LFPAK56
на замовлення 7294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.32 грн
11+30.41 грн
100+19.74 грн
250+18.98 грн
500+18.71 грн
1000+16.08 грн
1500+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
529+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 529 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-30YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; Idm: 202A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 202A
Power dissipation: 34W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK56
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 15 V
на замовлення 14818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.87 грн
10+54.52 грн
50+40.43 грн
100+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 51A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 86A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+105.31 грн
500+94.77 грн
1000+87.40 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R5-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 86 A, 6000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 60V 86A
на замовлення 4306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.48 грн
10+68.20 грн
100+41.83 грн
500+33.07 грн
1000+29.82 грн
1500+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 86A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+43.77 грн
3000+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 86A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+69.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R5-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 86 A, 6000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.68 грн
10+111.95 грн
100+74.34 грн
500+54.30 грн
1000+46.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 86A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+43.67 грн
3000+42.83 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 86A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.29 грн
10+62.75 грн
100+41.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 346A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 19.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+88.59 грн
10+69.80 грн
25+62.32 грн
100+58.17 грн
250+54.84 грн
500+49.86 грн
1000+49.03 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 86A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.78 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7110 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 296W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.36 грн
10+180.91 грн
100+127.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+142.25 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+193.88 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+130.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7110 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 296W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+96.86 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R6-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 296W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.62 грн
10+165.91 грн
100+129.67 грн
500+105.45 грн
1000+76.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1600+233.49 грн
Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]