Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF6623TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6623TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 55 A, 5700 µohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET ST
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 4103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6626Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6626IOR2006
на замовлення 491 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6626TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6626TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6626TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6626TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6626TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6628TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6628TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6629TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6629TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6629TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6629TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6629TRPBF
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6629TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6629TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6631IOR2006
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6631TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6631TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6631TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6631TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633APBFIOR2007
на замовлення 14843 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633ATR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633ATR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633ATR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633ATRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MU
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633BPBFIOR2007
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633CPBFIOR2007
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633DPBFIOR2007
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633EPBFIOR2007
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6633TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6635IOR2005
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6635Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6635International RectifierMFET N-CH 30V 32A DirectFETtm Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6635MDF2IOR2007
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6635PBFIOR2007
на замовлення 3679 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6635PBF-FREEZEIOR2007
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6635TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6635TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6635TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5970 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6635TR1PBFIR0812+ DirectFET-MN?
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6635TR1PBF
Код товару: 81465
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6635TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5970 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6635TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5970 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6635TRPBFIOR2008
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6636Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 81A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6636TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 81A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6636TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6636TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6636TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6636TRPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET (ST)
на замовлення 4375 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6636TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6637RECTLFIEY09+
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6637Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6637TR1IR
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6637TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6637TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6637TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6637TR1PBFIR0702
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6637TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6637TRPBFIOR2007
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6637TRPBFInfineon TechnologiesDescription: IRF6637 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 15 V
на замовлення 4686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+64.33 грн
Мінімальне замовлення: 332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6637TRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/59A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 15 V
на замовлення 26574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+64.33 грн
Мінімальне замовлення: 332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6638TR1PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный combines the latest HEXFET® Power MOSFET... Транзистори Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6638TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6638TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6638TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6638TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6641IOR2006
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6641TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59.9mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6641TR1PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6641TRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6641TRPBF - IRF6641 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6641TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 4.6A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6641TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59.9mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+143.32 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6641TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 59.9mOhms 34nC
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6641TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 4.6A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6641TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59.9mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TR1PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 150V 35A 35mOhm 39nC Qg
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.79 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+105.33 грн
500+100.85 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+111.09 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+105.33 грн
500+100.85 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6643TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 9833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+105.33 грн
500+100.85 грн
1000+95.26 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]