Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF6724MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6724MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6724MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6724MTRPBFInfineon
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6724MTRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 30V 27A/150A DIRECT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+106.04 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6724MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 33nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6725MTR1PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6725MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6725MTR1PBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6725MTRPBFInfineon
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6725MTRPBF
Код товару: 124996
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6725MTRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6725MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6726MTR1PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6726MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6726MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6726MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 9501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+151.94 грн
96+148.36 грн
97+146.86 грн
98+140.25 грн
101+125.92 грн
250+119.67 грн
500+115.40 грн
1000+114.27 грн
3000+113.06 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6726MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6726MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6726MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 9501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+151.94 грн
10+148.36 грн
25+146.86 грн
50+140.25 грн
100+125.92 грн
250+119.67 грн
500+115.40 грн
1000+114.27 грн
3000+113.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6726MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6726MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+113.05 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6726MTRPBFTRInternational RectifierDescription: IRF6726 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+119.96 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 15 V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTR1PBFInfineon
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms 49nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6727MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 A, 1700 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF
Код товару: 204365
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 9069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+139.94 грн
500+125.83 грн
1000+116.15 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 15 V
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.61 грн
10+119.29 грн
100+82.22 грн
500+63.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+81.22 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 180A; 89W; DirectFET
Kind of package: reel
Case: DirectFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 89W
Drain current: 180A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+81.22 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6727MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 A, 1700 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms 49nC
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 80400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+139.94 грн
500+125.83 грн
1000+116.15 грн
10000+99.86 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+84.04 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+83.66 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6728L2PBFIOR2007
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6728MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6728MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6728MTRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 28nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6728MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6729MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6729MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6729MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6030 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 190A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6729MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6729MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6030 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 190A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6740S2TRPBFIOR2007
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
322+109.80 грн
500+98.82 грн
1000+91.14 грн
Мінімальне замовлення: 322 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.056 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 150V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 9312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+167.51 грн
120+117.84 грн
121+116.66 грн
123+111.37 грн
153+82.55 грн
250+78.45 грн
500+67.87 грн
1000+63.63 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
322+109.80 грн
500+98.82 грн
1000+91.14 грн
Мінімальне замовлення: 322 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.056 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
322+109.80 грн
500+98.82 грн
Мінімальне замовлення: 322 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 9312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.51 грн
10+117.84 грн
25+116.66 грн
50+111.37 грн
100+82.55 грн
250+78.45 грн
500+67.87 грн
1000+63.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 28A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 28A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBFXTMA1Infineon Technologies IR FET >60-400V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 11932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+124.66 грн
500+119.95 грн
1000+112.95 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+106.56 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 81600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+73.96 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 8705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.66 грн
10+87.74 грн
100+76.60 грн
500+67.33 грн
1000+64.14 грн
2000+61.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 6606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+124.66 грн
500+119.95 грн
1000+112.95 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: -Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 200V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 81600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+73.96 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 14165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.16 грн
127+111.60 грн
128+106.51 грн
250+98.12 грн
500+93.70 грн
1000+93.22 грн
3000+92.74 грн
6000+92.24 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+67.70 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+124.66 грн
500+119.95 грн
1000+112.95 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 14165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.16 грн
10+111.60 грн
25+111.03 грн
100+106.51 грн
250+98.12 грн
500+93.70 грн
1000+93.22 грн
3000+92.74 грн
6000+92.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: -Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 37191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+124.66 грн
500+119.95 грн
1000+112.95 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6785MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6794MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 13 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.79 грн
10+194.90 грн
100+138.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6794MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTR1PBFInfineon / IRMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 35nC
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTR1PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTR1PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTR1PBFInfineon
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTR1PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+21.53 грн
36+21.18 грн
37+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 4299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+62.49 грн
229+61.88 грн
231+61.26 грн
233+58.48 грн
250+53.60 грн
500+50.93 грн
1000+50.41 грн
3000+49.88 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+119.95 грн
500+114.31 грн
1000+107.96 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+84.78 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 4299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.29 грн
13+61.88 грн
25+59.08 грн
100+54.15 грн
250+51.46 грн
500+50.93 грн
1000+50.41 грн
3000+49.88 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTRPBFInternational RectifierDescription: IRF6795 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 13 V
на замовлення 36656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+80.57 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6795MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 160 A, 0.0014 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 75W
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTRPBFInfineon TechnologiesIRF6795MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+119.95 грн
500+114.31 грн
1000+107.96 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]