Продукція > BSM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSM200GA120DN2S | EUPEC | MODULE | на замовлення 265 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GA120DN2S7HOSA1 | Infineon Technologies | BSM200GA120DN2S7HOSA1 | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM200GA120DN2S7HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Switch Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 300 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1.55 W Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GA120DN2S7HOSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM200GA120DN2S7HOSA1 - BSM200GA120DN2 - IGBT POWER MODULE 62MM tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false productTraceability: No usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM200GA120DN2SE3256 | SIEMENS | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GA120DN2SE325HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GA120DNS | EUPEC | MODULE | на замовлення 236 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GA120DNSE3256 | EUPEC | MODULE | на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GA160DN11S | EUPEC | A4-2 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GA160DN1S | EUPEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM200GA170DLC | EUPEC | MODULE | на замовлення 143 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GA170DLC | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.7KV 400A | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GA170DLCHOSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM200GA170DLCHOSA1 - BSM200GA170 INSULATED GATE BIPOLAR TRAN euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM200GA170DLCHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 400A 1920W MOD Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA Power - Max: 1920 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector (Ic) (Max): 400 A Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 200A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Configuration: Single Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GA170DLCHOSA1 | Infineon Technologies | BSM200GA170DLCHOSA1 | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM200GA170DLCHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 400A 1920W MOD Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA Power - Max: 1920 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector (Ic) (Max): 400 A Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 200A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Configuration: Single Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM200GA170DN2 | EUPEC | MODULE | на замовлення 292 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GA170DN2(DLC) | SIEMENS | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GA170DN2S | EUPEC | MODULE | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GA170DN2SE325HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GA4120DN2 | EUPEC | MODULE | на замовлення 87 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GAL120D | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM200GAL120DLC | EUPEC | MODULE | на замовлення 173 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GAL120DLCK | EUPEC | MODULE | на замовлення 44 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GAL120DN2 | Eupec | Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GAL120DN2 | SIEMENS | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GAR1200DN2 | EUPEC | MODULE | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GAR120D | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM200GAR120DN2 | SIEMENS | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GB120DL | EUPEC | MODULE | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GB120DLC | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GB120DLC | Eupec | IGBT, 1200V, 200A Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GB120DLC | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM200GB120DLC (BSM200GB120DLCE3256) Код товару: 74083
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM200GB120DLCE3256HDLA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM200GB120DLCE3256HDLA1 - BSM200GB120DLC IGBT MOD 1.2KV 420A 1.55 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM200GB120DLCE3256HDLA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MMHB Current - Collector (Ic) (Max): 420 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1550 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GB120DLCE3256HOSA1 | Infineon Technologies | Description: BSM200GB120DLC - IGBT Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 1550 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 420 A Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GB120DLCE3256HOSA1 | Infineon | IGBT Module Half Bridge 1200 V 420 A 1550 W Chassis Mount Module Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GB120DLCE3256HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 420 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1550 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GB120DLCHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 420A 1550W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 420 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1550 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GB120DN2 Код товару: 210141
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM200GB120DN2 | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM200GB120DN2 Код товару: 34676
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
|
| |||||||
| BSM200GB120DN2 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 200A DUAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GB120DN2 | Eupec | IGBT Module Half Bridge 1200 V 290 A 1400 W Chassis Mount Module Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GB120DN2(DLC) | SIEMENS | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GB120DN2, | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BSM200GB120DN2E3256 | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BSM200GB120DN2HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 290A 1400W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 290 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1400 W Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GB120DN2HOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GB120DN2HOSA1 | Infineon Technologies | BSM200GB120DN2HOSA1 | на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM200GB120DN2S7HOSA1 | Infineon Technologies | Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GB120LC | EUPEC | MODULE | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GB123DN2 | EUPEC | MODULE | на замовлення 63 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GB124D | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BSM200GB170DL | EUPEC | MODULE | на замовлення 72 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GB170DL Код товару: 46348
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT УКТЗЕД: 8541 29 00 10 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM200GB170DLC | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700V 200A DUAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GB170DLCE3256HDLA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1700V 400A 1660W Packaging: Bulk | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM200GB170DLCE3256HDLA1 | Infineon Technologies | BSM200GB170DLCE3256HDLA1 | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM200GB170DLCE3256HDLA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM200GB170DLCE3256HDLA1 - IGBT MODULE 1700V 400A 1660W euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM200GB170DLCE3256HDLA1 | Infineon Technologies | BSM200GB170DLCE3256HDLA1 | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM200GB170DLCHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM200GB170DLCHOSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM200GB170DLCHOSA1 - BSM200GB170DL - IGBT MODULE euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM200GB170DLCHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM200GB170DLCHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 400A 1660W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 400 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1660 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GB170DN2 | EUPEC | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM200GB60DLC Код товару: 37779
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM200GB60DLC | Infineon Technologies | IGBT Modules 600V 200A DUAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GB60DLCHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 600V 230A 730W 7-Pin 34MM-1 Tray | на замовлення 286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM200GB60DLCHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 600V 230A 730W MOD Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 230 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 730 W Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GB60DLCHOSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM200GB60DLCHOSA1 - BSM200GB60 - IGBT MODULES tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GB60DLCHOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER 34MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GB60DLC | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BSM200GB60DN2 | EUPEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM200GD60DLC | SIEMENS | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GD60DLC | Infineon Technologies | IGBT Modules 600V 200A 3-PHASE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GD60DLCBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 600V 226A 700W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 226 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 700 W Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200GD60DLCBOSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM200GD60DLCBOSA1 - BSM200GD60DLC - IGBT MODULE euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM200GT120DN2 | SIEMENS | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM200S-18 | Astrodyne TDI | Description: AC/DC CONVERTER 18V 12V 5V 222W Current - Output 3: 2 A Current - Output 2: 1 A Current - Output 1: 11.1 A Standard Number: 60601-1 Number of Outputs: 3 Part Status: Active Voltage - Output 3: 5V Voltage - Output 2: 12V Voltage - Output 1: 18V Applications: Medical Operating Temperature: -20°C ~ 40°C Type: Open Frame Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC Features: Universal Input Power (Watts): 222W Packaging: Bulk | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM20GD60DLC | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM20GD60DLC - BSM20GD60 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSI tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM20GD60DLC | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA Power - Max: 125 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 32 A NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 20A Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: Full Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM20GD60DLC | SIEMENS | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM20GD60DLCE3224 | EUPEC | MODULE | на замовлення 244 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM20GD60DLCE3224 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM20GD60DLCE3224 - BSM20GD60 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSI tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM20GD60DLCE3224 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA Power - Max: 125 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 32 A Part Status: Active Supplier Device Package: AG-ECONO2A NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 20A Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: Full Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM20GD60DN1E | SIEMENS | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM20GD60DN2 | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM20GP120 | EUPEC | MODULE | на замовлення 59 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM20GP60 | Infineon Technologies | IGBT Modules 600V 20A PIM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM20GP60 | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM20GP60 Код товару: 25996
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > IGBT Корпус: EconoPIM2 Напруга колектор-емітер Vces, V: 600 V Напруга насичення Vce, V: 2,2 V Струм колектора Ic при 25°C, A: 35 A Струм колектора Ic при 100°C, A: 20 A Розсіювана потужність Pd при 25°C, W: 130 W Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°C, ns: 50/250 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM20GP60BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 600V 35A 130W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 10A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 130 W Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM20GP60BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BSM224A | SIEMENS | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM225A Код товару: 56154
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM225A | SIEMENS | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSM250D17P2E004 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULE Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 1800W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30000pF @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 66mA Supplier Device Package: Module Part Status: Active | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| BSM250D17P2E004 | ROHM | Description: ROHM - BSM250D17P2E004 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 250 A, 1.7 kV, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8kW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: - SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

