Продукція > FDM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 16 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMC0222Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 2049 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0223Fairchild SemiconductorDescription: RF MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 6940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 1665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0225ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC0225 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 200580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2465+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 2465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0225Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
на замовлення 200580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 2049 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0228Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 2049 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0228ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC0228 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2465+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 2465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0310ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0310ASON Semiconductor / FairchildMOSFET PT8 NCH 30V/20V S ML
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0310ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0310ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0310AS-F127ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; Idm: 100A; 36W; MLP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 36W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 100A
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0310AS-F127onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 32742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.66 грн
10+50.41 грн
100+35.05 грн
500+26.41 грн
1000+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0310AS-F127onsemi / FairchildMOSFETs Computing MOSFET
на замовлення 2163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.35 грн
10+54.30 грн
100+35.83 грн
500+28.65 грн
1000+26.09 грн
3000+22.30 грн
6000+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0310AS-F127onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.85 грн
6000+22.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0310AS-F127onsemiMOSFETs Computing MOSFET
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.73 грн
10+67.56 грн
100+39.07 грн
500+30.58 грн
1000+27.06 грн
3000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0310AS-F127-L701onsemiDescription: PT8 NCH 30V/20V S ML
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.23 грн
10+57.06 грн
100+44.37 грн
500+35.30 грн
1000+28.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0310AS-F127-L701onsemiDescription: PT8 NCH 30V/20V S ML
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC035N10X1onsemiDescription: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC15N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 2.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+109.14 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC15N06onsemi / FairchildMOSFET UltraFET 55V, 15A
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.75 грн
10+126.23 грн
25+103.55 грн
100+88.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC15N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC15N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
459+85.37 грн
Мінімальне замовлення: 459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC15N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC15N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 2.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+109.14 грн
500+98.22 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC15N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2512SDCON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel Dual CoolTM 33 PowerTrench SyncFETTM 25V, 40A, 2.0m
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2512SDConsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 32A 8PQFN
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2514SDConsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2514SDCON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V NChan Dual Cool PowerTrench SyncFET
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2514SDConsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/40A DLCOOL33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523POn SemiconductorMOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ Транзистори
на замовлення 945 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+368.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 3127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.00 грн
10+94.23 грн
100+64.17 грн
500+48.15 грн
1000+46.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523PON-SemiconductorP-MOSFET 150V 3A FDMC2523P TFDMC2523P
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+44.51 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC2523P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 1.5 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.32 грн
500+58.93 грн
1000+52.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523Ponsemi / FairchildMOSFETs -150V P-Channel QFET
на замовлення 13921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.65 грн
10+77.17 грн
100+52.95 грн
500+47.08 грн
1000+46.39 грн
3000+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523PFairchild/ON SemiconductorP-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 3 А, Ptot, Вт = 42, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 25, Qg, нКл = 9 @ 10 В, Rds = 1,5 Ом @ 1,5 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: PowerVDFN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+29.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC2523P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 1.5 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.41 грн
10+103.09 грн
100+77.32 грн
500+58.93 грн
1000+52.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523PonsemiMOSFETs -150V P-Channel QFET
на замовлення 4476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.05 грн
10+100.03 грн
100+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1.8A; 42W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 42W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.28 грн
5+87.25 грн
10+79.77 грн
50+66.48 грн
100+61.49 грн
250+58.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523PON-SemiconductorP-MOSFET 150V 3A FDMC2523P TFDMC2523P
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+44.51 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2610onsemiMOSFETs 200V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.04 грн
10+155.60 грн
100+93.89 грн
500+78.70 грн
1000+72.49 грн
3000+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2610ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 200V 2.2A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2610onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
на замовлення 42540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.61 грн
10+127.29 грн
100+91.64 грн
500+74.10 грн
1000+69.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2610ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 42W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 42W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 397mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2610ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 200V 2.2A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2610onsemi / FairchildMOSFETs 200V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 14153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.88 грн
10+130.20 грн
100+82.15 грн
500+72.49 грн
1000+68.90 грн
3000+61.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2610onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+73.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2674ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC2674 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 220 V, 7 A, 0.305 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 220V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: UltraFET Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.80 грн
10+120.81 грн
100+93.43 грн
500+69.55 грн
3000+51.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2674onsemiDescription: MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+66.81 грн
6000+61.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2674onsemi / FairchildMOSFET LOW VOLTAGE
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.25 грн
10+111.14 грн
100+83.53 грн
250+77.32 грн
500+69.72 грн
1000+61.72 грн
3000+49.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2674ON Semiconductor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2674ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC2674 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 220 V, 7 A, 0.305 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 220V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: UltraFET Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.43 грн
500+69.55 грн
3000+51.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2674onsemiDescription: MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP
на замовлення 25839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.01 грн
10+126.32 грн
100+101.50 грн
500+78.26 грн
1000+64.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2674ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 220V 1A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2D8N025SonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 124A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2D8N025SonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 124A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.18 грн
10+84.28 грн
100+65.54 грн
500+52.14 грн
1000+42.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2D8N025SON Semiconductor / FairchildMOSFET N-ChannelPowerTrench MOSFET,PwrClip 33Sin
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3020DConsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3020DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 100A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3020DConsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3020DConsemi / FairchildStandard Clock Oscillators XLL3 5032 HCMOS XO LOW JITTER
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.05 грн
10+165.13 грн
25+136.00 грн
100+115.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3020DCFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3020DC-PonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3300NZAONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC3300NZA - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+64.43 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3300NZAFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8PWR33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 9169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+56.38 грн
Мінімальне замовлення: 349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+73.15 грн
500+67.15 грн
1000+67.04 грн
3000+61.43 грн
6000+55.39 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.36 грн
11+72.45 грн
25+72.16 грн
100+61.27 грн
250+56.61 грн
500+43.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612onsemiMOSFETs 100V PowerTrench MOSFET
на замовлення 13499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.82 грн
10+56.53 грн
100+32.45 грн
500+25.75 грн
1000+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612ONS/FAIMOSFET N-CH 100V 8-MLP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 8657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
891+39.81 грн
1000+36.71 грн
Мінімальне замовлення: 891 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.46 грн
6000+18.22 грн
9000+17.47 грн
15000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 11336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
891+39.81 грн
1000+36.71 грн
10000+32.73 грн
Мінімальне замовлення: 891 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
196+72.45 грн
197+72.16 грн
224+63.54 грн
250+61.14 грн
500+45.18 грн
Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612onsemi / FairchildMOSFETs 100V PowerTrench MOSFET
на замовлення 9426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.69 грн
10+44.93 грн
25+39.00 грн
100+29.68 грн
250+29.55 грн
500+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 35W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 35W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.092 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.84 грн
14+60.00 грн
100+39.06 грн
500+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
891+39.81 грн
1000+36.71 грн
Мінімальне замовлення: 891 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
на замовлення 15393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.77 грн
10+48.76 грн
100+32.09 грн
500+23.40 грн
1000+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701onsemiDescription: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.10 грн
10+53.62 грн
100+37.29 грн
500+28.12 грн
1000+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
668+53.07 грн
1000+48.94 грн
Мінімальне замовлення: 668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 16961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
668+53.07 грн
1000+48.94 грн
10000+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701onsemiMOSFETs FET 100V 110.0 MOHM MLP33
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.37 грн
10+71.69 грн
100+41.35 грн
500+38.80 грн
1000+28.23 грн
3000+25.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 15A; 35W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 35W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
668+53.07 грн
1000+48.94 грн
Мінімальне замовлення: 668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701onsemiDescription: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 49022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
668+53.07 грн
1000+48.94 грн
10000+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 15722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
668+53.07 грн
1000+48.94 грн
10000+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1098000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 63859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.95 грн
500+32.23 грн
1500+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 26946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
622+57.02 грн
1000+52.58 грн
10000+46.88 грн
Мінімальне замовлення: 622 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.90 грн
6000+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.72 грн
10+70.67 грн
100+47.21 грн
500+34.87 грн
1000+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 63859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.56 грн
50+71.76 грн
100+46.95 грн
500+32.23 грн
1500+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 7550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
622+57.02 грн
1000+52.58 грн
Мінімальне замовлення: 622 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ
Код товару: 52237
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.98 грн
9000+25.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+119.61 грн
165+86.13 грн
231+61.38 грн
500+48.66 грн
1000+41.47 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 16 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]