Продукція > FDM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMC0310AS-F127ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0310AS-F127-L701onsemiDescription: PT8 NCH 30V/20V S ML
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V
на замовлення 2569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.00 грн
10+70.65 грн
100+47.14 грн
500+34.76 грн
1000+31.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0310AS-F127-L701ON SemiconductorFDMC0310AS-F127-L701
на замовлення 5307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
655+54.04 грн
1000+49.83 грн
Мінімальне замовлення: 655 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0310AS-F127-L701onsemiDescription: PT8 NCH 30V/20V S ML
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC035N10X1onsemiDescription: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC15N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC15N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 2.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+108.90 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC15N06onsemiMOSFETs UltraFET 55V, 15A
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC15N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 2.4A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+108.90 грн
500+98.01 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC15N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC15N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2512SDCON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel Dual CoolTM 33 PowerTrench SyncFETTM 25V, 40A, 2.0m
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2512SDConsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 32A 8PQFN
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2514SDConsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2514SDConsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2514SDCON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V NChan Dual Cool PowerTrench SyncFET
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC2523P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 1.5 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523Ponsemi / FairchildMOSFETs -150V P-Channel QFET
на замовлення 13921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523PFairchild/ON SemiconductorP-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 3 А, Ptot, Вт = 42, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 25, Qg, нКл = 9 @ 10 В, Rds = 1,5 Ом @ 1,5 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: PowerVDFN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+29.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 64886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.87 грн
10+105.67 грн
100+71.96 грн
500+54.00 грн
1000+49.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC2523P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 1.5 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523PonsemiMOSFETs -150V P-Channel QFET
на замовлення 4476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523PON-SemiconductorP-MOSFET 150V 3A FDMC2523P TFDMC2523P
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+44.41 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1.8A; 42W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 42W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+142.70 грн
5+96.44 грн
10+88.90 грн
50+72.12 грн
100+65.41 грн
250+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523POn SemiconductorMOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ Транзистори
на замовлення 945 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
3+367.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.63 грн
6000+42.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523PON-SemiconductorP-MOSFET 150V 3A FDMC2523P TFDMC2523P
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+44.41 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2610ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 42W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 42W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 397mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2610onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
на замовлення 42540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.39 грн
10+128.46 грн
100+92.48 грн
500+74.78 грн
1000+70.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2610ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 200V 2.2A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2610onsemiMOSFETs 200V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2610onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+74.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2610ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 200V 2.2A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2674onsemiDescription: MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.42 грн
6000+62.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2674ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 220V 1A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2674ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC2674 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 220 V, 7 A, 0.305 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 220V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: UltraFET Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2674onsemi / FairchildMOSFET LOW VOLTAGE
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2674ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC2674 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 220 V, 7 A, 0.305 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 220V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: UltraFET Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2674onsemiDescription: MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP
на замовлення 25839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.36 грн
10+127.48 грн
100+102.44 грн
500+78.99 грн
1000+65.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2D8N025SonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 124A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2D8N025SON Semiconductor / FairchildMOSFET N-ChannelPowerTrench MOSFET,PwrClip 33Sin
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2D8N025SonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 124A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 13 V
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.17 грн
10+85.06 грн
100+66.15 грн
500+52.62 грн
1000+42.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3020DConsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3020DConsemi / FairchildStandard Clock Oscillators XLL3 5032 HCMOS XO LOW JITTER
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3020DConsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3020DCFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3020DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 100A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3020DC-PonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3300NZAONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC3300NZA - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3300NZAFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8PWR33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 9169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+56.90 грн
Мінімальне замовлення: 349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.27 грн
10+56.53 грн
50+42.06 грн
100+35.06 грн
500+27.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
891+39.72 грн
1000+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 891 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612ONS/FAIMOSFET N-CH 100V 8-MLP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+72.99 грн
500+67.00 грн
1000+66.89 грн
3000+61.29 грн
6000+55.27 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.19 грн
11+72.29 грн
25+72.00 грн
100+61.14 грн
250+56.48 грн
500+43.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.092 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 35W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 35W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.74 грн
6000+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 8657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
891+39.72 грн
1000+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 891 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612onsemi / FairchildMOSFETs 100V PowerTrench MOSFET
на замовлення 9426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 11336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
891+39.72 грн
1000+36.63 грн
10000+32.66 грн
Мінімальне замовлення: 891 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
196+72.29 грн
197+72.00 грн
224+63.40 грн
250+61.00 грн
500+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612onsemiMOSFETs 100V PowerTrench MOSFET
на замовлення 13499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 15A; 35W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 35W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 15722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
668+52.95 грн
1000+48.83 грн
10000+43.54 грн
Мінімальне замовлення: 668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701onsemiMOSFETs FET 100V 110.0 MOHM MLP33
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701onsemiDescription: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.87 грн
10+54.12 грн
100+37.63 грн
500+28.38 грн
1000+26.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1098000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
668+52.95 грн
1000+48.83 грн
Мінімальне замовлення: 668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 16961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
668+52.95 грн
1000+48.83 грн
10000+43.54 грн
Мінімальне замовлення: 668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701onsemiDescription: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
668+52.95 грн
1000+48.83 грн
Мінімальне замовлення: 668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 49022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
668+52.95 грн
1000+48.83 грн
10000+43.54 грн
Мінімальне замовлення: 668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC3612-L701ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+118.18 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
622+56.89 грн
1000+52.46 грн
Мінімальне замовлення: 622 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ
Код товару: 52237
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V
на замовлення 18221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.79 грн
10+71.25 грн
50+53.39 грн
100+44.69 грн
500+35.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 63359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Power dissipation: 31W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+113.80 грн
6+79.67 грн
10+69.27 грн
50+50.15 грн
100+44.03 грн
500+38.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZonsemiMOSFETs -30V P-Channel PowerTrench
на замовлення 35265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.18 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.22 грн
6000+27.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 26946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
622+56.89 грн
1000+52.46 грн
10000+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 622 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 63359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ-F126onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ-F126ON Semiconductor / FairchildMOSFET -30V P-CH PwrTrench
на замовлення 23810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ-F126ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1133+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 1133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ-F127ON SemiconductorFDMC4435BZ-F127
на замовлення 791049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+70.93 грн
554+63.83 грн
1000+58.87 грн
10000+50.61 грн
100000+39.27 грн
Мінімальне замовлення: 499 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ-F127ON SemiconductorFDMC4435BZ-F127
на замовлення 18596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+70.93 грн
554+63.83 грн
1000+58.87 грн
10000+50.61 грн
Мінімальне замовлення: 499 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ-F127onsemiDescription: P-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET -3
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.2x3.2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ-F127onsemi / FairchildMOSFETs -30V P-CH PwrTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ-F127-L701ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 5731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+71.09 грн
553+63.99 грн
1000+59.02 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC4435BZ-F127-L701onsemiDescription: SINGLE ST3 P Z MLP3.3X3.3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.