Продукція > FQP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQP47P06UMWDescription: MOSFET P-CH 60V 47A TO220
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.71 грн
10+73.67 грн
50+55.22 грн
100+46.25 грн
500+36.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+199.71 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06ONSEMICategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+227.27 грн
5+184.50 грн
10+159.34 грн
25+141.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06ON-SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 26mOhm; 47A; 160W; -55°C ~ 175°C; FQP47P06 TFQP47p06
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+137.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.77 грн
10+210.81 грн
50+164.39 грн
100+140.26 грн
500+115.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06-NW82049Fairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06_NW82049onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06_SW82049onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N20onsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.6A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N20LFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 27874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+48.52 грн
1000+44.74 грн
10000+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N20LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N20LONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.4A; Idm: 15.2A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 15.2A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N20LFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+48.52 грн
1000+44.74 грн
10000+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N20LonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N20LFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+48.52 грн
1000+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N20LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N20Lonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N20LFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+48.52 грн
1000+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N20LFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+48.52 грн
1000+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N20LFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
525+42.04 грн
Мінімальне замовлення: 525 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N20LFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 200V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+48.52 грн
1000+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N25Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 3.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
699+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 699 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N25FAIRCHILDFQP4N25
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+36.43 грн
1053+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 3.6A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 3.4A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N60onsemiMOSFETs 600V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N60FSC
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N60_NLonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N80
Код товару: 162318
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N80onsemiMOSFETs 800V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N80_Qonsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 4.2A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N90ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 4.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.47 грн
500+153.22 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N90ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 4.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.47 грн
500+153.22 грн
1000+143.79 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N90onsemiMOSFETs 900V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N90CONS/FAIMOSFET N-CH 900V 4A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N90ConsemiMOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N90ConsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N90CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.40 грн
500+109.73 грн
1000+101.20 грн
10000+87.00 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N90C
Код товару: 60621
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 900 В
Струм стоку Idd, А: 2,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 740/15
Монтаж: THT
у наявності: 6 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 80 шт
  • 80 шт - очікується
1+70.00 грн
10+66.50 грн
100+62.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N90CONSEMIDescription: ONSEMI - FQP4N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4 A, 3.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 140
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N90_NLonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4P25onsemiDescription: MOSFET P-CH 250V 4A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4P40ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 400V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+220.16 грн
2000+217.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4P40
Код товару: 77220
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4P40onsemiMOSFETs 400V P-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4P40onsemiDescription: MOSFET P-CH 400V 3.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4P40onsemi / FairchildMOSFET 400V P-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FQP50N06 Onsemi; FQP50N06 JSMICRO TFQP50n06 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP50N06 - MOSFET, N TO-220 TUBE 50
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06
Код товару: 193976
Додати до обраних Обраний товар
JSMicroТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 50 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,022 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1180/31
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+38.00 грн
10+34.20 грн
100+30.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06onsemiMOSFETs TO-220 N-CH 60V 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06ON-SemiconductorN-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+72.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06
Код товару: 31258
1 Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 50 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,022 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1180/31
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+44.00 грн
10+39.60 грн
100+35.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06C
Код товару: 205802
1 Додати до обраних Обраний товар
JSMSemiТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 50 А
Монтаж: THT
у наявності: 149 шт
  • 105 шт - склад
  • 44 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 20 шт
  • 20 шт - очікується
на замовлення: 6 шт
  • 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+33.00 грн
10+29.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06FS-NDONS/FAIMOSFET N-CH 60V 50A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 52.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 26.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06LonsemiMOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 52.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06LON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+128.55 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06L
Код товару: 180806
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06LONSEMIDescription: ONSEMI - FQP50N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 52.4 A, 0.017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 121W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06L-EPKE0003onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 26.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06LEPKE0003Fairchild
на замовлення 77150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06L_Qonsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06_NL/FSCFSC08+;
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N06ON SemiconductorFQP55N06
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
500+136.72 грн
1000+129.65 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N06Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+108.04 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N06onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N10
Код товару: 88644
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N10ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 155W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
266+133.18 грн
500+127.29 грн
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N10ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; Idm: 220A; 155W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 220A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N10onsemiMOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP58N08Fairchild
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP58N08onsemi / FairchildMOSFET 80V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP58N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 57.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 28.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP5N20Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 4.5A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP5N20LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
699+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 699 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP5N30Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 610 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP5N40onsemiMOSFETs 400V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP5N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP5N40
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP5N50onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP5N50CFAIRCHILDFQP5N50C
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
601+58.85 грн
1000+54.27 грн
Мінімальне замовлення: 601 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP5N50CFAIRCHILDFQP5N50C
на замовлення 34200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
601+58.85 грн
1000+54.27 грн
10000+48.40 грн
Мінімальне замовлення: 601 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP5N50Consemi / FairchildMOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP5N50CFAIRCHILDFQP5N50C
на замовлення 2572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
601+58.85 грн
1000+54.27 грн
Мінімальне замовлення: 601 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP5N50ConsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP5N50CFAIRCHILDFQP5N50C
на замовлення 7206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
601+58.85 грн
1000+54.27 грн
Мінімальне замовлення: 601 шт
В кошику  од. на суму  грн.