Продукція > MJD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MJD210RLonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLAptina ImagingTrans GP BJT PNP 25V 10A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1810+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 1810 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210RL - MJD210RL, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLMOT
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 1480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1589+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 1589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.45 грн
10+45.09 грн
100+25.61 грн
500+19.74 грн
1000+15.53 грн
1800+14.22 грн
3600+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGON Semiconductor
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 13785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1589+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 1589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.91 грн
25+33.34 грн
100+24.56 грн
500+16.23 грн
1000+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+18.30 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1589+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 1589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.77 грн
500+19.37 грн
1000+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.79 грн
10+39.94 грн
100+26.06 грн
500+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGAptina ImagingTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4onsemiDescription: TRANS PWR PNP 5A 25V DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4Aptina ImagingTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
855+41.47 грн
1000+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 855 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4STM07+ TO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4Aptina ImagingTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
855+41.47 грн
1000+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 855 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210T4 - TRANSISTOR, PNP D-PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+34.71 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4/J210
на замовлення 13700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON07+;
на замовлення 9675 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 110047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 1711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.69 грн
5000+13.88 грн
7500+13.26 грн
12500+11.78 грн
17500+11.39 грн
25000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.68 грн
22+34.60 грн
25+34.47 грн
100+25.84 грн
250+23.69 грн
500+19.37 грн
1000+17.40 грн
3000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.13 грн
500+18.47 грн
1000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 1711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
412+34.47 грн
529+26.80 грн
535+26.54 грн
628+21.79 грн
1000+18.12 грн
3000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 412 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 1711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.44 грн
50+33.83 грн
100+24.16 грн
500+18.40 грн
1000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G
Код товару: 132802
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 1711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 28872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.91 грн
10+37.84 грн
100+24.61 грн
500+17.76 грн
1000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
на замовлення 3548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.26 грн
10+42.71 грн
100+24.16 грн
500+18.57 грн
1000+16.78 грн
2500+13.94 грн
5000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 1711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G*************
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TF
на замовлення 3014 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TFFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 1025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TFonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TFAptina ImagingTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1254+28.28 грн
Мінімальне замовлення: 1254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TFonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 1025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TFonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243
Код товару: 20318
Додати до обраних Обраний товар

8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243onsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.98 грн
10+62.32 грн
75+23.54 грн
525+20.92 грн
1050+18.57 грн
2550+17.74 грн
4950+16.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 14656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.20 грн
75+39.04 грн
150+34.80 грн
525+26.97 грн
1050+24.50 грн
2025+22.53 грн
5025+19.95 грн
10050+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.65 грн
15+54.85 грн
100+33.02 грн
500+28.42 грн
1000+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243GOn SemiconductorNPN, Uкэ=100V, Iк=4A (8 имп.), h21=15...180, 12.5Вт, 40МГц, DPAK-3/369C (SMD) (компл. MJD253) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+45.59 грн
525+37.73 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 11850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+45.59 грн
Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243G
Код товару: 133000
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+45.59 грн
525+37.73 грн
Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1254+28.28 грн
Мінімальне замовлення: 1254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4onsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Power - Max: 12.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4ON
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.06 грн
5000+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GOn SemiconductorNPN, Uкэ=100V, Iк=4A (8 имп.), h21=15...180, 12.5Вт, 40МГц, DPAK-3/369C (SMD) (компл. MJD253T4) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G
Код товару: 172041
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.40 грн
30+25.38 грн
31+25.14 грн
100+22.92 грн
250+21.01 грн
500+19.95 грн
1000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 177500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.00 грн
5000+16.87 грн
7500+16.14 грн
12500+14.38 грн
17500+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.53 грн
50+47.36 грн
100+32.54 грн
500+24.68 грн
1000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.80 грн
5000+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.28 грн
10+41.12 грн
100+24.78 грн
500+19.81 грн
1000+18.22 грн
2500+16.64 грн
5000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.54 грн
500+24.68 грн
1000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
564+25.14 грн
597+23.77 грн
603+23.53 грн
610+22.44 грн
1000+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 564 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 177575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.56 грн
10+44.72 грн
100+29.35 грн
500+21.34 грн
1000+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G*************
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2474T4
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253onsemi BIP DPAK PNP 4A 100V SL F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253
Код товару: 20319
Додати до обраних Обраний товар

8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-001
на замовлення 2913 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-001onsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1599+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 1599 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1GOn SemiconductorPNP, Uкэ=100V, Iк=4A (8 имп.), h21=15...180, 12.5Вт, 40МГц, IPAK (длинные выв.) (компл. MJD243-1) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.44 грн
75+32.62 грн
150+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1599+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 1599 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1599+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 1599 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1G
Код товару: 133001
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1599+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 1599 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.92 грн
10+40.25 грн
75+27.13 грн
1050+20.99 грн
2550+14.64 грн
11550+12.77 грн
26400+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253GOn SemiconductorPNP, Uкэ=100V, Iк=4A (8 имп.), h21=15...180, 12.5Вт, 40МГц, DPAK-3/369C (SMD) (компл. MJD243) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4onsemiDescription: TRANS PWR PNP 4A 100V DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Power - Max: 12.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.37 грн
500+18.55 грн
1000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G
Код товару: 172039
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
на замовлення 13303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.69 грн
10+32.87 грн
100+20.30 грн
500+15.53 грн
1000+14.01 грн
2500+12.29 грн
5000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
542+26.18 грн
589+24.10 грн
1000+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 542 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GOn SemiconductorPNP, Uкэ=100V, Iк=4A (8 имп.), h21=15...180, 12.5Вт, 40МГц, DPAK-3/369C (SMD) (компл. MJD243T4) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]