Продукція > RJK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RJK03B9DPA-00#J53 | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Supplier Device Package: 8-WPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03B9DPA-00#J5A | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Supplier Device Package: 8-WPAK Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03B9DPA-00-J53 | на замовлення 2250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RJK03B9DPA-0T#J53 | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03B9DPA-HF-HS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RJK03B9DPA-OO#J53 | на замовлення 2530 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RJK03B9DPA-OO-J53 | на замовлення 2564 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RJK03B9DPA-WS#J53 | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 2465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03C0DPA-00#J53 | Renesas Electronics America Inc | Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8WPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Supplier Device Package: 8-WPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Bulk | на замовлення 463509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03C0DPA-00#J5A | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 70A WPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03C0DPA-WS#J53 | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03C0DPA-WS#J5A | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 2560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03C1 | на замовлення 2344 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RJK03C1DPB | на замовлення 5555 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RJK03C1DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03C1DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03C1DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03C1DPB-WS#J5 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH LFPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03C2DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03C5DPA-00#J5A | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 50A WPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03C9DNS-00#J5 | Renesas Electronics America Inc | Description: POWER MOSFET | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 503 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03D0DNS-00#J5 | Renesas Electronics America Inc | Description: POWER MOSFET | на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03D2DPA-00#J53 | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 1578000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03D3DPA-00#J53 | Renesas Electronics Corporation | Description: N CHANNEL 30V, 40A, POWER SWITCH Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03D3DPA-00-J5A | на замовлення 6200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RJK03E0DNS Код товару: 123691
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| RJK03E0DNS-00#J5 | Renesas | Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin HWSON T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03E0DNS-00#J5 | Renesas | Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin HWSON T/R | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03E0DNS-00#J5 | Renesas Electronics Corporation | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 10 V | на замовлення 140000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03E0DNS-00-J5 | RENESAS | QFN | на замовлення 4483 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03E0DNS-02#J5 | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 490000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03E0DNS-02#J5 | Renesas | RJK03E0DNS-02#J5 | на замовлення 490000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03E0DNS-WS#J5 | Renesas Electronics Corporation | Description: N CHANNEL 30V, 30A, POWER SWITCH Part Status: Active Packaging: Bulk | на замовлення 4870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03E0DNS-WS#J5 | Renesas | RJK03E0DNS-WS#J5 | на замовлення 4870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03E1DNS-00#J5 | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03E1DNS-00#J5 | Renesas Electronics Corporation | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 10 V | на замовлення 79482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03E1DNS-00#J5 | Renesas | Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin HWSON T/R | на замовлення 79482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03E2DNS-00#J5 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-HWSON | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03E2DNS-00#J5 | Renesas | Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin HWSON EP T/R | на замовлення 370000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03E2DNS-00#J5 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-HWSON | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03E2DNS-00#J5 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-HWSON | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03E3DNS-00#J5 | Renesas Electronics America Inc | Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8HWSON | на замовлення 4660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 586 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03E3DNS-WS#J5 | Renesas | RJK03E3DNS-WS#J5 | на замовлення 4450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03E3DNS-WS#J5 | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 4450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03E4DPA-00#J5A | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03E5DPA-00#J5A | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 40A WPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03E6DPA-00#J5A | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03E7DPA-00#J5A | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03E8DPA-00#J5A | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 40A WPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03E9DPA-00#J5A | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03F0DPA-00#J5A | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03H0DPA-00#J5A | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 729 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03H1 | на замовлення 4322 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RJK03H1DPA | на замовлення 2344 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RJK03H1DPA-00#J5A | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03J1DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 918000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03J3DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 550 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03J4DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1758 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03J5DNS-00#J5 | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET | на замовлення 140000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03J5DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET | на замовлення 363000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 704 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03J6DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03J7DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03J9DNS-00#J5 | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET Part Status: Active Packaging: Bulk | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03K0DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03K1DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03K2DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET Part Status: Active Packaging: Bulk | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03K3DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET Part Status: Active Packaging: Bulk | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03K5DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET | на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03K6DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03K7DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 503 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03L3DNS-WS#J5 | Renesas Electronics Corporation | Description: N CHANNEL POWER MOS FET Packaging: Bulk | на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03M0DPA-00#J5A | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 65A WPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03M1 | на замовлення 3789 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RJK03M1DPA | на замовлення 4784 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RJK03M1DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc | Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6) Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03M1DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc | Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6) Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03M1DPA-00#J5A | Renesas Electronics | MOSFETs BEAM2 Series FET 30V WPAK 2.5mOhm | на замовлення 4904 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03M2DPA-00#J5A | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8WPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Supplier Device Package: 8-WPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 10 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03M2DPA-00#J5A | Renesas Electronics | MOSFET POWER TRANSISTOR BEAM2 MOSFET 30V WPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03M2DPA-00#J5A | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8WPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Supplier Device Package: 8-WPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 10 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03M3DPA-00#J5A | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Supplier Device Package: 8-WPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3010 pF @ 10 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03M3DPA-00#J5A | Renesas Electronics | MOSFET BEAM2 Series FET, 30V, WPAK, 2.0mOhm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03M3DPA-00#J5A | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Supplier Device Package: 8-WPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3010 pF @ 10 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03M3DPA-00-J5A | RENESAS | QFN | на замовлення 135 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03M4DPA-00#J5A | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Supplier Device Package: 8-WPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 10 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03M4DPA-00#J5A | Renesas Electronics | MOSFET BEAM2 Series FET, 30V, WPAK, 2.0mOhm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03M4DPA-00#J5A | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Supplier Device Package: 8-WPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 10 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03M5DNS-00#J5 | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3) Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 12.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03M5DNS-00#J5 | Renesas Electronics | MOSFETs Nch Power MOSFET 30V 25A 6.3mohm SON-8 3.3x3.3 | на замовлення 4300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03M5DNS-00#J5 | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3) Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 12.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 9786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03M5DPA-00#J5A | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK | на замовлення 4958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03M5DPA-00#J5A | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03M5DPA-00#J5A | Renesas Electronics | MOSFET BEAM2 Series FET, 30V, WPAK, 7.2mOhm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03M6DNS-00#J5 | Renesas Electronics America Inc | Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8HWSON | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 652 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03M6DNS-WS#J5 | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 3610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1471 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03M6DPA-00#J5A | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03M6DPA-WS#J5A | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 1740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03M7DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc | Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK Packaging: Bulk Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Supplier Device Package: 8-WPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 10 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03M8DNS-00#J5 | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8HWSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 10 V | на замовлення 325000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| RJK03M8DNS-WS#J5 | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 4880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

