Продукція > SQJ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQJ422EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.65 грн
6000+48.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ422EP-T1_GE3Vishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 74 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5000 @ 20, Qg, нКл = 100, Rds = 3,4 мОм, Ugs(th) = 2,5, Р, Вт = 83, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerPak-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ422EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ422EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 3400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.77 грн
500+54.89 грн
1000+49.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ422EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+76.83 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ422EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.18 грн
10+111.13 грн
100+75.85 грн
500+57.01 грн
1000+52.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ422EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ422EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 3400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.33 грн
10+108.73 грн
100+73.77 грн
500+54.89 грн
1000+49.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ423EP-T1_BE3VishayMOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.14 грн
10+65.02 грн
100+43.97 грн
500+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ423EP-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 55A T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ423EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 55A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.66 грн
10+60.88 грн
100+47.36 грн
500+37.67 грн
1000+30.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ423EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 111632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.54 грн
10+65.10 грн
100+44.04 грн
500+37.35 грн
1000+30.44 грн
3000+28.65 грн
6000+27.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ423EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 55A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.97 грн
6000+29.32 грн
9000+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1"BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ431AEP-T1"BE3 - P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFET 87AJ3497
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.39 грн
10+95.04 грн
100+67.57 грн
500+51.08 грн
1000+43.35 грн
2500+42.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1-BE3VishayMOSFET P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.43 грн
10+98.05 грн
100+66.84 грн
500+50.19 грн
1000+49.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PowerPAK SO-8L
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.30 грн
10+105.59 грн
100+64.68 грн
500+52.60 грн
1000+48.39 грн
3000+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ431AEP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 9.4 A, 0.305 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.43 грн
10+98.05 грн
100+66.84 грн
500+50.19 грн
1000+49.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ431AEP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 9.4 A, 0.305 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+78.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T2-GE3VishayVishay MOSFET 200V PCH 175C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431EP-T1"GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ431EP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, 200V, 12A, POWERPAKSO
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.213ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.57 грн
25+149.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431EP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT SQJ431EP-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.40 грн
6000+60.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ431EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 12 A, 0.213 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.213ohm
на замовлення 27261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.48 грн
500+76.28 грн
1500+68.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+121.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ431EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 12 A, 0.213 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.213ohm
на замовлення 27261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+219.87 грн
50+137.72 грн
100+101.48 грн
500+76.28 грн
1500+68.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+100.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.46 грн
10+135.74 грн
100+93.91 грн
500+71.34 грн
1000+69.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431EP-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -12A; Idm: -40A; 27W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Pulsed drain current: -40A
Drain current: -12A
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 527mΩ
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
на замовлення 702 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+181.66 грн
5+137.94 грн
10+122.98 грн
25+105.53 грн
50+94.73 грн
100+85.59 грн
500+69.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+78.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -200v -12A 83W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 35242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.32 грн
10+144.49 грн
100+86.98 грн
500+70.41 грн
1000+68.27 грн
3000+64.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431EP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431EP-T2_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQJ4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431EPT1-GE3
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ433EP-T1-BE3VishayMOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ433EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4877 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.30 грн
10+75.83 грн
100+58.95 грн
500+46.89 грн
1000+38.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ433EP-T1_BE3VishayMOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ433EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4877 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ433EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 75A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4877 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ433EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.48 грн
10+81.77 грн
100+55.37 грн
500+46.94 грн
1000+38.18 грн
3000+35.97 грн
6000+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ433EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ433EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 75A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4877 pF @ 15 V
Package / Case: PowerPAK® SO-8
на замовлення 4973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.57 грн
10+86.53 грн
100+58.40 грн
500+43.48 грн
1000+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ443AEP-T1-BE3VishayMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ443AEP-T1-GE3VishayMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ443AEP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.90 грн
10+62.80 грн
100+35.97 грн
500+28.30 грн
1000+24.23 грн
3000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ443EP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQJ443EP-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ443EP-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 26275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.97 грн
10+91.30 грн
100+53.36 грн
500+42.39 грн
1000+37.14 грн
3000+35.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ443EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ443EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.75 грн
10+74.49 грн
100+57.93 грн
500+46.08 грн
1000+37.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ443EP-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 40A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ443EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.75 грн
10+74.49 грн
100+57.93 грн
500+46.08 грн
1000+37.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ443EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+49.27 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ443EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ443EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ443EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.09 грн
13+59.14 грн
25+58.92 грн
100+51.97 грн
250+47.64 грн
500+43.98 грн
1000+42.23 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ443EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 58102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.21 грн
10+59.86 грн
100+45.01 грн
500+41.42 грн
1000+37.00 грн
3000+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ443EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ443EP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.94 грн
10+70.30 грн
100+46.97 грн
500+34.70 грн
1000+31.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ443EP-T2_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.41 грн
10+64.31 грн
100+43.56 грн
500+36.86 грн
1000+29.68 грн
3000+28.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ443EP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.71 грн
6000+28.16 грн
9000+26.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ443EP-T2_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ444EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.87 грн
10+71.35 грн
100+55.50 грн
500+44.15 грн
1000+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ444EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.46 грн
6000+34.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ444EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Package / Case: PowerPAK® SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ444EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.20 грн
11+75.24 грн
25+74.43 грн
50+71.24 грн
100+57.61 грн
250+54.76 грн
500+49.38 грн
1000+42.52 грн
3000+39.76 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ444EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ444EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0026 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.18 грн
500+45.10 грн
1000+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ444EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 47713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.35 грн
10+67.00 грн
100+46.74 грн
500+40.87 грн
1000+35.00 грн
3000+32.93 грн
6000+31.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ444EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+54.02 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ444EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 3878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.87 грн
10+71.35 грн
100+55.50 грн
500+44.15 грн
1000+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ444EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ444EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0026 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.56 грн
11+79.73 грн
100+62.18 грн
500+45.10 грн
1000+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ444EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ446EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ446EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.19 грн
10+78.75 грн
100+61.24 грн
500+48.72 грн
1000+39.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ446EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ454EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ454EP-T1_BE3VishayN-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ454EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.26 грн
10+76.06 грн
100+51.18 грн
500+38.01 грн
1000+35.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ454EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.47 грн
10+80.10 грн
100+53.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ454EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 13A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
285+49.76 грн
Мінімальне замовлення: 285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ454EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 13A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.80 грн
14+55.24 грн
100+50.87 грн
500+46.00 грн
1000+38.96 грн
3000+36.36 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ454EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ454EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.68 грн
500+44.87 грн
1000+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ454EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ454EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 200V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
на замовлення 17707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.76 грн
10+85.74 грн
100+69.03 грн
24000+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ454EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 13A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ454EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ454EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.78 грн
10+82.96 грн
100+59.68 грн
500+44.87 грн
1000+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ456EP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJ456EP-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ456EP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ456EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ456EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3342 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+172.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ456EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V 32A 83W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+393.84 грн
10+303.27 грн
100+190.53 грн
500+188.46 грн
1000+169.82 грн
3000+159.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ456EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3342 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.70 грн
10+287.26 грн
100+232.39 грн
500+193.85 грн
1000+165.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]