Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RJK03B9DPA-00#J53Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
541+40.58 грн
Мінімальне замовлення: 541 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03B9DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-WPAK
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
541+40.58 грн
Мінімальне замовлення: 541 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03B9DPA-00-J53
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03B9DPA-0T#J53Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
541+38.28 грн
Мінімальне замовлення: 541 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03B9DPA-HF-HS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03B9DPA-OO#J53
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03B9DPA-OO-J53
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03B9DPA-WS#J53Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
541+38.28 грн
Мінімальне замовлення: 541 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03C0DPA-00#J53Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 30V 70A 8WPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-WPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 463509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+143.36 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03C0DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 70A WPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03C0DPA-WS#J53Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+124.86 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03C0DPA-WS#J5ARenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER SWITCHING
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+132.51 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03C1
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03C1DPB
на замовлення 5555 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03C1DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03C1DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03C1DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03C1DPB-WS#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03C2DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03C5DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 50A WPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03C9DNS-00#J5Renesas Electronics America IncDescription: POWER MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 503 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03D0DNS-00#J5Renesas Electronics America IncDescription: POWER MOSFET
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
926+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 926 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03D2DPA-00#J53Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1578000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+62.07 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03D3DPA-00#J53Renesas Electronics CorporationDescription: N CHANNEL 30V, 40A, POWER SWITCH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+66.75 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03D3DPA-00-J5A
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03E0DNS
Код товару: 123691
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03E0DNS-00#J5RenesasTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin HWSON T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+100.46 грн
500+96.18 грн
1000+90.84 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03E0DNS-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 10 V
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+69.73 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03E0DNS-00#J5RenesasTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin HWSON T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+100.46 грн
500+96.18 грн
1000+90.84 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03E0DNS-00-J5RENESASQFN
на замовлення 4483 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03E0DNS-02#J5Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 490000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
541+40.80 грн
Мінімальне замовлення: 541 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03E0DNS-02#J5RenesasRJK03E0DNS-02#J5
на замовлення 490000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
625+56.57 грн
1000+53.42 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03E0DNS-WS#J5Renesas Electronics CorporationDescription: N CHANNEL 30V, 30A, POWER SWITCH
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
541+40.80 грн
Мінімальне замовлення: 541 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03E0DNS-WS#J5RenesasRJK03E0DNS-WS#J5
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
625+56.57 грн
1000+53.42 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03E1DNS-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 10 V
на замовлення 79482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
275+80.86 грн
Мінімальне замовлення: 275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03E1DNS-00#J5RenesasTrans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin HWSON T/R
на замовлення 79482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+116.34 грн
500+111.38 грн
1000+105.19 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03E1DNS-00#J5Renesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03E2DNS-00#J5RenesasTrans MOSFET N-CH Si 30V 16A 8-Pin HWSON EP T/R
на замовлення 370000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+100.46 грн
500+96.18 грн
1000+90.84 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03E2DNS-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8-HWSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03E2DNS-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8-HWSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03E2DNS-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8-HWSON
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03E3DNS-00#J5Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8HWSON
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 586 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03E3DNS-WS#J5Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
541+40.80 грн
Мінімальне замовлення: 541 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03E3DNS-WS#J5RenesasRJK03E3DNS-WS#J5
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
625+56.57 грн
1000+53.42 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03E4DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03E5DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 40A WPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03E6DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03E7DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03E8DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 40A WPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03E9DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03F0DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03H0DPA-00#J5ARochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03H1
на замовлення 4322 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03H1DPA
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03H1DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03J1DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 918000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
419+55.79 грн
Мінімальне замовлення: 419 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03J3DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03J4DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1758 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03J5DNS-00#J5Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03J5DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
на замовлення 363000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 704 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03J6DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03J7DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
838+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 838 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03J9DNS-00#J5Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1099+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 1099 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03K0DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
383+60.44 грн
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03K1DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
451+48.92 грн
Мінімальне замовлення: 451 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03K2DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
476+48.82 грн
Мінімальне замовлення: 476 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03K3DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
586+39.52 грн
Мінімальне замовлення: 586 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03K5DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
409+53.30 грн
Мінімальне замовлення: 409 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03K6DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
489+44.54 грн
Мінімальне замовлення: 489 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03K7DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 503 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03L3DNS-WS#J5Renesas Electronics CorporationDescription: N CHANNEL POWER MOS FET
Packaging: Bulk
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+99.40 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M0DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 65A WPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M1
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M1DPA
на замовлення 4784 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M1DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+79.77 грн
6000+73.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M1DPA-00#J5ARenesas ElectronicsMOSFETs BEAM2 Series FET 30V WPAK 2.5mOhm
на замовлення 4904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M1DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.35 грн
10+139.39 грн
100+110.96 грн
500+88.11 грн
1000+74.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M2DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 45A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.45 грн
10+110.21 грн
100+75.52 грн
500+56.97 грн
1000+56.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M2DPA-00#J5ARenesas ElectronicsMOSFET POWER TRANSISTOR BEAM2 MOSFET 30V WPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M2DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 45A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M3DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3010 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.70 грн
10+104.99 грн
100+71.81 грн
500+54.06 грн
1000+53.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M3DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3010 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M3DPA-00#J5ARenesas ElectronicsMOSFET BEAM2 Series FET, 30V, WPAK, 2.0mOhm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M3DPA-00-J5ARENESASQFN
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M4DPA-00#J5ARenesas ElectronicsMOSFET BEAM2 Series FET, 30V, WPAK, 2.0mOhm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M4DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.15 грн
10+104.10 грн
100+70.99 грн
500+53.34 грн
1000+49.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M4DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.29 грн
6000+43.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M5DNS-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.08 грн
10+77.61 грн
100+52.06 грн
500+38.58 грн
1000+35.27 грн
2000+32.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M5DNS-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M5DNS-00#J5Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 30V 25A 6.3mohm SON-8 3.3x3.3
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M5DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M5DPA-00#J5ARenesas ElectronicsMOSFET BEAM2 Series FET, 30V, WPAK, 7.2mOhm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M5DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
на замовлення 4958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+154.98 грн
10+95.89 грн
100+65.11 грн
500+48.72 грн
1000+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M6DNS-00#J5Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8HWSON
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 652 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M6DNS-WS#J5Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 3610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1471 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M6DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M6DPA-WS#J5ARenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
879+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 879 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M7DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
649+35.65 грн
Мінімальне замовлення: 649 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M8DNS-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8HWSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 10 V
на замовлення 325000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
357+55.74 грн
Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M8DNS-WS#J5Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
568+38.70 грн
Мінімальне замовлення: 568 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  Наступна Сторінка >> ]