Продукція > BUK

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 40 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
BUK9V13-40HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9V13-40HX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 0.01135 ohm, LFPAK56D, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 42
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 46
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9V13-40HXNexperiaMOSFETs BUK9V13-40H/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 4022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.59 грн
10+76.21 грн
100+50.26 грн
500+40.87 грн
1000+40.80 грн
1500+31.89 грн
3000+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9V13-40HXNXPTransistor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 10V; 13mOhm; 42A; 46W; -55°C~175°C; Substitute: BUK9V13-40H; BUK9V13-40HX; BUK9V13-40HX TBUK9V13-40HX
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+101.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9V13-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 46W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9V13-40HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9V13-40HX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.01135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.76 грн
10+82.15 грн
100+59.60 грн
500+44.95 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9V13-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 42A Automotive 8-Pin LFPAK-D
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y07-30B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK56
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y07-30B,115NexperiaMOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.98 грн
10+76.93 грн
100+52.12 грн
500+43.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y07-30B115NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK9Y07-30B - POWER
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 885 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y09-40BNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y09-40B,115NexperiaMOSFETs BUK9Y09-40B/SOT669/LFPAK
на замовлення 3624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.45 грн
10+79.23 грн
100+45.98 грн
500+36.24 грн
1000+31.55 грн
1500+30.72 грн
3000+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y09-40B,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 53A; Idm: 300A; 105.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 105.3W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y09-40B,115
Код товару: 144565
Додати до обраних Обраний товар
NexperiaТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-669
Uds,V: 40 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0069 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2150/30
Монтаж: SMD
у наявності: 58 шт
  • 44 шт - склад
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+185.00 грн
10+172.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y09-40B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK56
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 105.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.36 грн
10+82.64 грн
100+55.57 грн
500+41.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y09-40B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y09-40B,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y09-40B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.008 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105.3W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y09-40B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK56
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 105.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y104-100BNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y104-100B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 14.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y104-100B,115NexperiaMOSFETs BUK9Y104-100B/SOT669/LFPAK
на замовлення 15891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.39 грн
10+49.62 грн
100+29.89 грн
500+24.99 грн
1500+20.92 грн
3000+18.29 грн
9000+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y104-100B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 14.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+30.10 грн
3000+25.97 грн
9000+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y104-100B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 14.8A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1139 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.22 грн
10+48.09 грн
100+31.52 грн
500+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y104-100B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 14.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+30.10 грн
3000+25.97 грн
9000+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y104-100B,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10.48A; Idm: 59A; 59W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 59W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 59A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.48A
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.27Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y104-100B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 14.8A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1139 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.75 грн
3000+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y107-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 11.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y107-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 706 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y107-80EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y107-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 11.8 A, 0.0824 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0824ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.50 грн
18+47.28 грн
100+33.26 грн
500+25.73 грн
1000+22.02 грн
5000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y107-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 11.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y107-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 11.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y107-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK56
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 706 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.04 грн
10+37.62 грн
100+26.03 грн
500+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y107-80EXNexperiaMOSFETs BUK9Y107-80E/SOT669/LFPAK
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.47 грн
10+39.77 грн
100+24.02 грн
500+19.74 грн
1000+18.71 грн
1500+15.74 грн
3000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y107-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 11.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y11-30B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 59A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1614 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y11-30B,115NexperiaMOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 59A 5-Pin(4+Tab)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y11-30B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 59A LFPAK56
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1614 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y11-80EXNexperiaMOSFETs N-channel 100 V, 113 mohm logic level MOSFET in LFPAK56
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.62 грн
10+88.92 грн
100+59.58 грн
500+51.43 грн
1500+47.50 грн
3000+36.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y11-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.33 грн
10+95.43 грн
100+64.76 грн
500+48.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y11-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 84A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y11-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.98 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y113-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK56
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.42 грн
10+55.64 грн
50+41.15 грн
100+34.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y113-100E,115NexperiaMOSFETs BUK9Y113-100E/SOT669/LFPAK
на замовлення 86566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.19 грн
10+45.81 грн
100+26.16 грн
500+20.50 грн
1000+17.60 грн
1500+15.88 грн
3000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y113-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y113-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y113-100E115NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK9Y113-100E 12A,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-100ENexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 85A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7973 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.08 грн
10+105.45 грн
100+71.96 грн
500+54.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 85A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+80.27 грн
3000+76.26 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 85A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7973 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+52.63 грн
3000+47.18 грн
4500+45.40 грн
7500+40.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-100E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y12-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0091 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 85A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+79.45 грн
3000+75.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-100E,115NexperiaMOSFETs BUK9Y12-100E/SOT669/LFPAK
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.80 грн
10+113.53 грн
100+67.65 грн
500+53.85 грн
1000+47.36 грн
1500+46.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-100E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y12-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0091 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+202.15 грн
10+132.89 грн
100+92.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y12-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52 A, 8800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.70 грн
14+61.85 грн
100+40.43 грн
500+29.17 грн
1000+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK56
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115NexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 52A
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.91 грн
11+29.69 грн
100+19.33 грн
500+17.26 грн
1000+15.26 грн
1500+14.70 грн
3000+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.18 грн
13+59.88 грн
25+59.12 грн
100+40.33 грн
250+36.96 грн
500+30.05 грн
1000+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115NexperiaMOSFET N-CH 40V LFPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+59.88 грн
240+59.12 грн
339+41.83 грн
343+39.92 грн
500+31.30 грн
1000+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-55BNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-55B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 61.8A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-55B,115NexperiaMOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.62 грн
10+83.36 грн
100+55.78 грн
500+46.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-55B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 61.8A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-55B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-55B/C3XNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Power Dissipation (Max): 106W (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-80E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V LFPAK56 PWR-SO8
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-80E,115NexperiaMOSFET BUK9Y12-80E/LFPAK/REEL 7" Q1/T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y13-60ELXNexperia USA Inc.Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 7.9 MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.61 грн
10+90.42 грн
100+71.96 грн
500+57.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y13-60ELXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y13-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 6300 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 147W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.78V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0063ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y13-60ELXNexperia USA Inc.Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 7.9 MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+53.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y13-60ELXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y13-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 6300 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.78V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+275.45 грн
10+177.19 грн
100+109.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y13-60ELXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 60V 90A
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.62 грн
10+75.82 грн
100+43.97 грн
500+36.04 грн
1000+31.62 грн
1500+31.27 грн
3000+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-40BNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-40B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-40B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.19 грн
10+60.58 грн
100+40.21 грн
500+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-40B,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y14-40B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 9000 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-40B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-40B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-40B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.22 грн
3000+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-40B,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y14-40B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 9000 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.11 грн
10+85.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-40B,115NexperiaMOSFETs BUK9Y14-40B/SOT669/LFPAK
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.14 грн
10+68.12 грн
100+38.59 грн
500+29.68 грн
1000+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-40B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-80ENexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-80E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+30.16 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-80E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y14-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.97 грн
10+100.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-80E,115NexperiaMOSFETs BUK9Y14-80E/SOT669/LFPAK
на замовлення 10735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.09 грн
10+81.77 грн
100+46.81 грн
500+37.14 грн
1000+33.00 грн
1500+30.10 грн
3000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-80E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 62A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-80E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.97 грн
10+62.82 грн
100+45.25 грн
500+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-80E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 62A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y15-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK56
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6139 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+43.76 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y15-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 69A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y15-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 69A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+53.88 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y15-100E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y15-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 69 A, 0.0147 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 69
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y15-100E,115NexperiaMOSFETs SOT669 100V 69A
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.97 грн
10+90.50 грн
100+54.74 грн
500+45.15 грн
1000+36.86 грн
1500+35.76 грн
3000+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y15-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6139 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.59 грн
10+82.27 грн
100+58.15 грн
500+44.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y15-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 69A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+54.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 40 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54  [ Наступна Сторінка >> ]