Продукція > BUK

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 40 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BUK9Y09-40BNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y09-40B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK56
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 105.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.63 грн
10+76.23 грн
50+57.17 грн
100+47.88 грн
500+37.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y09-40B,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y09-40B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.008 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105.3W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y09-40B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y09-40B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK56
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 105.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y09-40B,115NexperiaMOSFETs BUK9Y09-40B/SOT669/LFPAK
на замовлення 3624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y09-40B,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 53A; Idm: 300A; 105.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 105.3W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y09-40B,115
Код товару: 144565
Додати до обраних Обраний товар
NexperiaТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-669
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 75 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0069 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2150/30
Монтаж: SMD
у наявності: 58 шт
  • 44 шт - склад
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+185.00 грн
10+172.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y104-100BNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y104-100B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 14.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y104-100B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 14.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+30.03 грн
3000+25.91 грн
9000+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y104-100B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 14.8A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1139 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.52 грн
10+49.29 грн
50+36.47 грн
100+30.34 грн
500+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y104-100B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 14.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+30.03 грн
3000+25.91 грн
9000+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y104-100B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 14.8A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1139 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.30 грн
4500+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y104-100B,115NexperiaMOSFETs BUK9Y104-100B/SOT669/LFPAK
на замовлення 15891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y107-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 11.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y107-80EXNexperiaMOSFETs BUK9Y107-80E/SOT669/LFPAK
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y107-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 11.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y107-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK56
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 706 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
10+37.97 грн
100+26.27 грн
500+20.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y107-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 11.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y107-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 11.8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y107-80EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y107-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 11.8 A, 0.0824 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0824ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y107-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 706 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y11-30B,115NexperiaMOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 59A 5-Pin(4+Tab)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y11-30B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 59A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1614 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y11-30B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 59A LFPAK56
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1614 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y11-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 84A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y11-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y11-80EXNexperiaMOSFETs N-channel 100 V, 113 mohm logic level MOSFET in LFPAK56
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y11-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.11 грн
10+98.12 грн
100+66.56 грн
500+49.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y113-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK56
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.68 грн
10+44.31 грн
50+32.68 грн
100+27.14 грн
500+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y113-100E,115NexperiaMOSFETs BUK9Y113-100E/SOT669/LFPAK
на замовлення 86382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y113-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.80 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y113-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y113-100E115NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK9Y113-100E 12A,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-100ENexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 85A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-100E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y12-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0091 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 85A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+80.09 грн
3000+76.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7973 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+54.78 грн
3000+49.11 грн
4500+47.25 грн
7500+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-100E,115NexperiaMOSFETs BUK9Y12-100E/SOT669/LFPAK
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 85A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-100E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y12-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0091 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 85A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+79.27 грн
3000+75.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7973 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.14 грн
10+109.75 грн
100+74.90 грн
500+56.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK56
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115NexperiaMOSFET N-CH 40V LFPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y12-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52 A, 8800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.03 грн
13+59.74 грн
25+58.99 грн
100+40.24 грн
250+36.88 грн
500+29.98 грн
1000+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115NexperiaMOSFETs BUK9Y12-40E/SOT669/LFPAK
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-40E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+59.74 грн
240+58.99 грн
339+41.73 грн
343+39.83 грн
500+31.23 грн
1000+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-55BNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-55B,115NexperiaMOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-55B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 61.8A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-55B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 61.8A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-55B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-55B/C3XNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Power Dissipation (Max): 106W (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-80E,115NexperiaMOSFET BUK9Y12-80E/LFPAK/REEL 7" Q1/T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y12-80E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V LFPAK56 PWR-SO8
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y13-60ELXNexperia USA Inc.Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 7.9 MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.65 грн
10+91.25 грн
100+72.63 грн
500+57.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y13-60ELXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 60V 90A
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y13-60ELXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y13-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 6300 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.78V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y13-60ELXNexperia USA Inc.Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 7.9 MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+54.15 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y13-60ELXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y13-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 6300 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 147W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.78V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0063ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-40BNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-40B,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y14-40B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 9000 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-40B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.68 грн
10+62.57 грн
100+41.51 грн
500+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-40B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-40B,115NexperiaMOSFETs BUK9Y14-40B/SOT669/LFPAK
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-40B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-40B,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y14-40B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 9000 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-40B,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.14 грн
3000+25.84 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-40B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-40B,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 56A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-80ENexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-80E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 62A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-80E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.84 грн
10+63.40 грн
100+45.66 грн
500+36.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-80E,115NexperiaMOSFETs BUK9Y14-80E/SOT669/LFPAK
на замовлення 10731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-80E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 62A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-80E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y14-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y14-80E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y15-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK56
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6139 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.16 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y15-100E,115NexperiaMOSFETs SOT669 100V 69A
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y15-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 69A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y15-100E,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9Y15-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 69 A, 0.0147 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 69
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y15-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 69A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+53.76 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y15-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6139 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.76 грн
10+83.03 грн
100+58.68 грн
500+44.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y15-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 69A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+53.91 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y15-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y15-60E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2603 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y15-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
272+52.10 грн
310+45.77 грн
311+43.90 грн
500+36.78 грн
1000+29.46 грн
Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y15-60E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 53A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.99 грн
15+52.19 грн
25+52.10 грн
100+44.13 грн
250+40.65 грн
500+35.31 грн
1000+29.46 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y15-60E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2603 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.06 грн
10+56.91 грн
100+37.63 грн
500+27.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y15-60E,115NexperiaMOSFETs BUK9Y15-60E/SOT669/LFPAK
на замовлення 7526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y153-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.87 грн
10+32.91 грн
100+21.29 грн
500+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y153-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1904+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 1904 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y153-100E,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.71 грн
3000+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y153-100E,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+14.36 грн
3000+12.60 грн
4500+11.97 грн
7500+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 40 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54  [ Наступна Сторінка >> ]