Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF7305IOR
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306
Код товару: 3760
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 4 А
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/25
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306IRSO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V DUAL N-CH HEXFET 100mOhms 16.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306PBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 3,6 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 440 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 1,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
95+38.33 грн
190+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.05 грн
10+87.29 грн
25+77.75 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306PBF/IRIR08+;
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306QPBFInfineon / IRMOSFET AUTO HEXFET SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306QTRPBFInfineon / IRMOSFET AUTO HEXFET SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306QTRPBFIOR
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRInternational Rectifier HiRel ProductsIRF7306TR
на замовлення 15218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
721+49.17 грн
1000+45.34 грн
10000+40.43 грн
Мінімальне замовлення: 721 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRInfineonTransistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 160mOhm; 3,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7306 (SPQ95); IRF7306TR (4K/REEL); IRF7306; IRF7306-GURT; IRF7306; IRF7306TR; IRF7306TR TIRF7306
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2152 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRJSMSEMITransistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 65mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7306; IRF7306TR; SP001564984; SP001554154; IRF7306TR JSMICRO TIRF7306 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+98.66 грн
10+66.32 грн
50+45.89 грн
100+39.34 грн
500+29.25 грн
1000+26.64 грн
2000+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+25.79 грн
8000+23.12 грн
12000+22.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A
на замовлення 3343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.94 грн
10+85.92 грн
100+49.16 грн
500+38.68 грн
1000+33.03 грн
2000+29.89 грн
4000+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.90 грн
8000+36.15 грн
12000+35.80 грн
20000+34.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.33 грн
250+52.87 грн
1000+35.02 грн
2000+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
745+47.57 грн
1000+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 745 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBFInternational Rectifier(HEXFET,DUAL,P-CH,LL,2W,-30V,4A,SO-8) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+111.89 грн
177+80.25 грн
246+57.84 грн
500+45.02 грн
1000+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.12 грн
10+61.95 грн
100+41.11 грн
500+30.19 грн
1000+27.49 грн
2000+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.78 грн
8000+36.03 грн
12000+35.68 грн
20000+34.06 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.68 грн
50+76.33 грн
250+52.87 грн
1000+35.02 грн
2000+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307
Код товару: 21981
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307PBFInternational Rectifier(HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,1.4W,20V,4A,SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307PBF
Код товару: 28597
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Idd,A: 5,7 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307PBFInternational Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 5,2 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15, Qg, нКл = 20 @ 4,5 В, Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА, td(on)+tr = 9, td(off)+tf = 32, Id2 = 4,
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
95+23.59 грн
190+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307PBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V DUAL N / P CH 12V VGS MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307QPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307QTRPBFIOR
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307TRUMW(HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,1.4W,20V,4A,SO-8) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307TRUMWDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 4.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V, 610pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 2.6A, 4.5V, 100mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 22nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307TRIOR
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307TRТранзистор польовий 2N, Udss, В = 20, Id = 5,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 660, 610, Qg, нКл = 20, 22, Rds = 53, 100 мОм, Ugs(th) = 700 мВ, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 5.7A/4.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+55.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307TRPBFInternational Rectifier(HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,1.4W,20V,4A,SO-8) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 20V 4.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 5.7A/4.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307TRPBF
Код товару: 40384
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Idd,A: 4,1 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 20 шт
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+48.00 грн
10+44.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7307TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный и P-канальный ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 660 пФ @ 15 В, Qg, нКл = 20 @ 4.5 В, Rds = 50 мОм @ 2.6 A, 4.5 В, Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4000+149.95 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309InfineonN/P-MOSFET 4A/-3,5A 30V/-30V 1,4W 0.05Ω IRF7309 TIRF7309
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
15+43.45 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309
Код товару: 19215
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309International Rectifier(SO-8) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309HRInternational RectifierTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12445 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309PBFInfineonTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309PBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309PBFInternational Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 4 А, Ptot, Вт = 1,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15, Qg, нКл = 25 @ 4,5 В, Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 3 A,... Транзистори Корпус: SOICN-8 О
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309PBF
Код товару: 36562
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4,7(3,5) A
Rds(on), Ohm: 0,05(0.1) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 123 шт
  • 82 шт - склад
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309QTRPBFIOR
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRUMWDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V, 440pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V, 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 43694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.62 грн
10+65.13 грн
100+42.97 грн
500+31.40 грн
1000+28.53 грн
2000+26.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.50 грн
14+59.23 грн
100+39.02 грн
500+28.22 грн
1000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBFInternational Rectifier/InfineonТранзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 4 А, Ptot, Вт = 1,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15, Qg, нКл = 25 @ 4,5 В, Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 3 A,... Транзистори Корпус: SOICN-8 О
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.90 грн
12+67.98 грн
100+51.89 грн
500+39.23 грн
1000+33.16 грн
2000+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.64 грн
8000+23.83 грн
12000+22.91 грн
20000+20.52 грн
28000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
на замовлення 6607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.57 грн
10+73.24 грн
100+42.18 грн
500+33.17 грн
1000+28.35 грн
2000+25.63 грн
4000+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+80.53 грн
267+53.14 грн
500+41.38 грн
1000+36.34 грн
2000+30.97 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.02 грн
500+28.22 грн
1000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/100mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+67.57 грн
275+51.57 грн
500+40.44 грн
1000+35.59 грн
2000+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF (Транзистори польові N-канал)
Код товару: 45192
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4 А
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+13.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF.Infineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF/IRIR08+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF730APBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730AIR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ALVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ALPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730APBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF730APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 16152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.33 грн
10+122.20 грн
100+94.50 грн
500+72.77 грн
1000+63.68 грн
5000+62.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.5A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.32 грн
50+89.76 грн
100+80.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730APBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 400V 5.5A N-CH MOSFET
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+185.74 грн
10+92.35 грн
100+66.06 грн
500+54.68 грн
1000+53.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730APBFMOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730APBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 400V 5.5A N-CH MOSFET
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.78 грн
10+93.95 грн
100+66.69 грн
500+57.26 грн
1000+53.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730APBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730APBF-BE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.5A; Idm: 22A; 74W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.5A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730APBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.32 грн
50+89.76 грн
100+80.75 грн
500+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASPBF
Код товару: 32240
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 400 V
Idd,A: 5,5 A
Rds(on), Ohm: 1 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 600/22
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]