Продукція > BSC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 16 20 24 28 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC019N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 100A; Idm: 100A; 136W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TDSON-8 FL
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Polarisation: N
Technology: MOSFET
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5000+66.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+168.33 грн
120+118.53 грн
122+116.79 грн
143+95.39 грн
250+87.25 грн
500+80.36 грн
1000+76.88 грн
2500+74.14 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5250 @ 30, Qg, нКл = 77 @ 10 В, Rds = 1,95 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 3,3 В @ 74 мкА, Р, Вт = 136, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 FL Очікується: 4 О
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5000+256.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 4055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+83.76 грн
10000+82.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 74µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 30 V
на замовлення 16587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.65 грн
10+80.46 грн
25+73.06 грн
100+60.98 грн
250+57.36 грн
500+55.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 237A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.61 грн
10+235.04 грн
100+167.60 грн
500+130.28 грн
1000+125.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 237 A, 0.0016 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+179.64 грн
500+138.13 грн
1000+123.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 237A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 237 A, 0.0016 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+338.14 грн
10+251.98 грн
100+179.64 грн
500+138.13 грн
1000+123.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A/100A TDSON
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N025SGINF09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSINF09+
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LS GInfineon
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGINF09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 24300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+69.66 грн
214+66.24 грн
257+55.16 грн
267+51.26 грн
500+47.04 грн
1000+42.83 грн
5000+35.56 грн
Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.49 грн
10000+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.49 грн
10000+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+51.24 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.46 грн
11+69.76 грн
25+69.06 грн
100+53.24 грн
250+48.81 грн
500+45.88 грн
1000+44.90 грн
3000+43.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC020N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 4724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.17 грн
12+70.64 грн
100+46.82 грн
500+34.12 грн
1000+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
на замовлення 13783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.03 грн
10+63.70 грн
100+42.45 грн
500+31.27 грн
1000+28.52 грн
2000+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA2Infineon TechnologiesDescription: LV POWER MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03MSGinfineon08+
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03MSGATMA1InfineonMOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 3335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 31111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.71 грн
10+73.89 грн
100+49.69 грн
500+36.89 грн
1000+33.76 грн
2000+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC021N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC021N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+256.86 грн
500+211.34 грн
1000+190.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET TRENCH 80V TSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC021N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC021N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+537.29 грн
10+359.28 грн
100+256.86 грн
500+211.34 грн
1000+190.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET TRENCH 80V TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.99 грн
10+210.43 грн
100+149.69 грн
500+132.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N03Sinfineon06+ TDSON
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N03SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N03SInfineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N03S GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 28A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N03SGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N03SGINF09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N03SGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSInfineon technologies
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSInfineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2600 @ 20, Qg, нКл = 37 @ 10 В, Rds = 1,8 мОм, Ugs(th) = 1,2 В, Р, Вт = 2,5, 69, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TDSON-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 798 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5000+82.56 грн
Мінімальне замовлення: 798 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSInfineonTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+157.03 грн
94+151.04 грн
100+145.92 грн
250+136.44 грн
500+122.90 грн
1000+115.10 грн
2500+112.56 грн
5000+110.31 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 14195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC022N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 79W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 4056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+111.36 грн
250+74.94 грн
1000+52.99 грн
3000+47.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+136.72 грн
137+103.72 грн
150+94.29 грн
200+73.56 грн
500+63.65 грн
1000+54.80 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC022N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 4056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.63 грн
50+111.36 грн
250+74.94 грн
1000+52.99 грн
3000+47.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 6990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.33 грн
10+79.71 грн
100+53.79 грн
500+40.05 грн
1000+37.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP OptiMOS 6 BSC022N04LS6ATMA1 BSC022N04LS6 TBSC022n04ls6
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+158.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 19843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+89.58 грн
500+80.62 грн
1000+74.35 грн
10000+63.92 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+89.58 грн
500+80.62 грн
1000+74.35 грн
10000+63.92 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.07 грн
25+53.39 грн
100+48.86 грн
250+42.54 грн
500+40.60 грн
1000+38.76 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+74.87 грн
212+66.95 грн
233+60.91 грн
500+56.92 грн
1000+49.25 грн
2000+44.69 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.28 грн
250+62.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 13626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+89.58 грн
500+80.62 грн
1000+74.35 грн
10000+63.92 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1
Код товару: 131683
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
262+54.07 грн
265+53.39 грн
280+50.67 грн
297+45.94 грн
500+42.29 грн
1000+38.76 грн
Мінімальне замовлення: 262 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.42 грн
50+81.28 грн
250+62.26 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC023N08NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC023N08NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 202 A, 0.0023 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+357.65 грн
10+238.98 грн
100+171.51 грн
500+132.84 грн
1000+117.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC023N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC023N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.99 грн
10+266.51 грн
100+189.86 грн
500+147.47 грн
1000+137.61 грн
2000+135.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC023N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+135.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC023N08NS5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC023N08NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 202 A, 0.0023 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+171.51 грн
500+132.84 грн
1000+117.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC023N08NS5SCATMA2Infineon Technologies IFX FET > 60-80V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 27A/100A TDSON
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024N025SG
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSInfineonMOSFET N-CH 25V 25A TDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 1537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSInfineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 110, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 12, Qg, нКл = 23 @ 10, Rds = 2,4 @ 30, 10, Ugs(th) = 2 @ 250, Р, Вт = 48, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5000+66.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.14 грн
10+57.51 грн
100+41.27 грн
500+32.68 грн
1000+27.92 грн
2000+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
421+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LS INFINEON TBSC024ne2ls
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1
Код товару: 116188
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 16 20 24 28 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]