Продукція > DMG
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMG3401LSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3401LSN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3401LSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 189000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3401LSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 189000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3401LSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3401LSN-7 | Diodes | P-Channel 30 V 3A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount SC-59-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3401LSN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V | на замовлення 150433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3401LSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 104 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3401LSN-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59 Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 1.2W Gate charge: 25.1nC Polarisation: unipolar Drain current: -2.9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SC59 On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3401LSNQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3401LSNQ-13 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3401LSNQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SC59 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3401LSNQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SC59 T&R 3K | на замовлення 2620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3401LSNQ-7 | Diodes Zetex | MOSFET 31V to 40V SC59 3K Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3401LSNQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59 Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 1.2W Gate charge: 25.1nC Polarisation: unipolar Drain current: -2.9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Application: automotive industry Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SC59 On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3401LSNQ-7 | Diodes Zetex | MOSFET 31V to 40V SC59 3K Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1002000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3402L | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3402L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3402L-7 | DIODES/ZETEX | Trans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMG3402L-7 TDMG3402L-7 Diodes кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2390 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3402L-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23 Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Drain current: 4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT23 On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3402L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3402L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3402L-7 | Diodes Inc./Zetex | Trans MOSFET Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3402L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs FET BVDSS 25V 30V N-Ch 305pF 8.2nC | на замовлення 6766 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3402L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG3402L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.4W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3402L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V | на замовлення 1748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3402L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3402L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3402L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG3402L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3402LQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 1169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3402LQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3402LQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23 Power dissipation: 1.4W Gate charge: 11.7nC Polarisation: unipolar Drain current: 4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 13 inch reel; tape Case: SOT23 On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3402LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3402LQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG3402LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 3305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3402LQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23 Power dissipation: 1.4W Gate charge: 11.7nC Polarisation: unipolar Drain current: 4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT23 On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3402LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3402LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 163499 шт: термін постачання 245-254 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3402LQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG3402LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 3305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3402LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3404L | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3404L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3404L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3404L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3404L-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 641pF 13.2nC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3404L-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 30A; 1.33W; SOT23 Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 1.33W Gate charge: 13.2nC Polarisation: unipolar Drain current: 4.9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Case: SOT23 On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3404L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3404L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3404L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG3404L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 780mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm | на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3404L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3404L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 641pF 13.2nC | на замовлення 1566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3404L-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23 Power dissipation: 1.33W Polarisation: unipolar Drain current: 4.8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT23 On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3404L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3404L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 255000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3404L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3404L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG3404L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 780mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm | на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3404L-7-ML | MOSLEADER | Description: N 30V 5.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3406L | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3406L-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23 Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Drain current: 2.8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Case: SOT23 On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3406L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3406L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3406L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3406L-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 50mOhm 10V 3.6A | на замовлення 74912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3406L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 15 V | на замовлення 7319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3406L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3406L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG3406L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 770mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 770mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DMG3406L productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3406L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 768000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3406L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1675 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3406L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 50mOhm 10V 3.6A | на замовлення 6223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3406L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3406L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3406L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3406L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG3406L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 770mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DMG3406L productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3406L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3406L-7 | Diodes | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 Транзистори | на замовлення 15 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3406L-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23 Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Drain current: 2.8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT23 On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD | на замовлення 1407 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3406L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 768000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3406L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3406L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3406L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 | на замовлення 608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3406L-7-ML | MOSLEADER | Description: N 30V 3.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3407SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3407SSN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 4A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3407SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3407SSN-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -30A; 1.1W; SC59 Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 1.1W Gate charge: 16nC Polarisation: unipolar Drain current: -3.6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SC59 On-state resistance: 72mΩ Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3407SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3407SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3407SSN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 4A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V | на замовлення 1544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3407SSN-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS | на замовлення 6832 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3407SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3413L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 717000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3413L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG3413L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.073 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 3090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3413L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857 pF @ 10 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3413L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS | на замовлення 1382 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3413L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 723000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3413L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMG3413L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.073 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 3090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3413L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 705000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3413L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3413L-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -20A; 1.3W; SOT23 Mounting: SMD Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.3W Gate charge: 9nC Polarisation: unipolar Drain current: -2.9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT23 On-state resistance: 0.19Ω | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMG3413L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857 pF @ 10 V | на замовлення 12649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMG3414U | DIODES/ZETEX | N-MOSFET 20V 4.2A 25mΩ 780mW DMG3414U Diodes TDMG3414u кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|

