Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 19831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.73 грн
500+8.30 грн
1500+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7110+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 7110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V 540mA
на замовлення 19713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.91 грн
16+20.32 грн
100+11.25 грн
500+8.35 грн
1000+8.28 грн
3000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
на замовлення 11085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.74 грн
18+17.13 грн
100+10.81 грн
500+7.56 грн
1000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 19831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+28.99 грн
50+17.80 грн
100+12.73 грн
500+8.30 грн
1500+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7 NABDIODES/ZETEXN-MOSFET 20V 630mA 550mΩ 350mW DMN2004K-7 Diodes TDMN2004k
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7-F10+ROHS SOT-23
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7-WDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7-WDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7-WDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004L
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004TK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
на замовлення 373162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.60 грн
11+27.90 грн
100+17.87 грн
500+12.71 грн
1000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004TK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
на замовлення 372000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.77 грн
6000+9.48 грн
9000+9.02 грн
15000+7.99 грн
21000+7.70 грн
30000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004TK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2004TK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004TK-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-CHANNEL
на замовлення 185744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.98 грн
16+20.24 грн
100+9.94 грн
500+8.70 грн
1000+8.15 грн
3000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004TK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2004TK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 69830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
14+22.81 грн
100+14.54 грн
500+10.29 грн
1000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V 540mA
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.14 грн
10+36.84 грн
100+17.19 грн
500+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1120+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 1120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.40 грн
6000+7.37 грн
9000+7.00 грн
15000+6.19 грн
21000+5.96 грн
30000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.79 грн
6000+5.69 грн
9000+3.83 грн
15000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.79 грн
6000+5.69 грн
9000+3.83 грн
15000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2004VK-7B - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.55 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.50 грн
500+6.50 грн
1000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 125912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.30 грн
22+13.99 грн
100+8.79 грн
500+6.12 грн
1000+5.43 грн
2000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2004VK-7B - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.55 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+24.24 грн
54+15.06 грн
100+9.50 грн
500+6.50 грн
1000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.23 грн
16000+3.72 грн
24000+3.53 грн
40000+3.12 грн
56000+3.01 грн
80000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R 8.0K
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.43 грн
19+16.99 грн
100+9.25 грн
500+6.83 грн
1000+5.73 грн
2500+4.90 грн
5000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.84 грн
6000+6.86 грн
9000+6.51 грн
15000+5.74 грн
21000+5.52 грн
30000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 4578000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7
Код товару: 183759
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-323
Напруга сток-витік Uds, V: 20 V
Струм стоку Idd, A: 0,54 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,7 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 150/
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.47 грн
6000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Channel
на замовлення 42970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.17 грн
17+18.89 грн
100+10.42 грн
500+7.80 грн
1000+6.83 грн
3000+4.69 грн
6000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 164319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.95 грн
15+21.02 грн
100+13.32 грн
500+9.38 грн
1000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1418 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1418+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 1418 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.52 грн
6000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7-50Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WKQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 14937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.43 грн
19+17.23 грн
100+9.53 грн
500+7.11 грн
1000+6.35 грн
3000+5.32 грн
6000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WKQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2004WKQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.32 грн
500+8.30 грн
1000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 27661395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
19+15.93 грн
100+10.07 грн
500+7.03 грн
1000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27651000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 27660000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.65 грн
6000+4.92 грн
9000+4.66 грн
15000+4.09 грн
21000+3.93 грн
30000+3.77 грн
75000+3.36 грн
150000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WKQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2004WKQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.65 грн
42+19.49 грн
100+12.32 грн
500+8.30 грн
1000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005DLP4K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005DLP4K-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 1.5 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.22 грн
26+31.97 грн
100+20.54 грн
500+14.51 грн
1000+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005DLP4K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 6-Pin DFN T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005DLP4K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005DLP4K-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 1.5 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.54 грн
500+14.51 грн
1000+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005DLP4K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6DFN
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 400mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 25733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.71 грн
12+25.58 грн
100+11.88 грн
500+10.06 грн
1000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005DLP4K-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Channel
на замовлення 18618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.85 грн
12+28.74 грн
100+17.12 грн
500+13.39 грн
1000+12.01 грн
3000+9.04 грн
6000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005DLP4K-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 350mA; 400mW; X2-DFN1310-6
Power dissipation: 0.4W
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1310-6
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005DLP4K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6DFN
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 400mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.89 грн
6000+7.44 грн
9000+7.41 грн
15000+6.92 грн
21000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005DLP4K-7-01DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005K
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.74 грн
34+22.29 грн
35+22.10 грн
100+12.32 грн
250+11.29 грн
500+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 200mA, 2.7V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 7680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.39 грн
6000+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005K-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Channel
на замовлення 15440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.24 грн
10+39.54 грн
100+21.81 грн
500+14.29 грн
1000+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
642+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 642 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 200mA, 2.7V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 8898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
14+22.29 грн
100+14.19 грн
500+10.01 грн
1000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005K-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.3A; Idm: 0.6A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.92 грн
6000+6.05 грн
9000+5.74 грн
15000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 350mA; 400mW; X2-DFN1006-3
Power dissipation: 0.4W
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1006-3
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V 300mA
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.97 грн
10+41.28 грн
100+22.71 грн
500+14.08 грн
1000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
16+19.22 грн
100+12.15 грн
500+8.54 грн
1000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7BDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7BDiodesMOSFET N-CH 20V 300mA X2-DFN1006-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LPK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.86 грн
6000+6.06 грн
9000+5.77 грн
15000+5.12 грн
21000+4.94 грн
30000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LPK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
618+22.97 грн
1036+13.69 грн
1064+13.32 грн
1142+11.97 грн
1977+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 618 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LPK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005LPK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 440 mA, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.67 грн
46+17.88 грн
100+8.22 грн
500+7.02 грн
1000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LPK-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V 200mA
на замовлення 5907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.46 грн
14+23.98 грн
100+13.32 грн
500+9.94 грн
1000+8.97 грн
3000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LPK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.44A; 0.45W; X1-DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.44A
Power dissipation: 0.45W
Case: X1-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1119 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
60+7.52 грн
73+5.73 грн
100+5.07 грн
500+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LPK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 45849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.85 грн
19+16.30 грн
100+10.99 грн
500+7.98 грн
1000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LPK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005LPK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 440 mA, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.22 грн
500+7.02 грн
1000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LPK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.02 грн
30+25.62 грн
33+22.97 грн
100+13.20 грн
250+11.90 грн
500+10.64 грн
1000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LPK-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFGDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 522000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; Idm: 130A; 1.05W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 1.05W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 525000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.39 грн
6000+13.51 грн
9000+13.30 грн
15000+12.25 грн
21000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 4000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.15 грн
29+28.35 грн
100+20.62 грн
500+16.30 грн
1000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.28 грн
10+47.08 грн
100+28.99 грн
500+23.54 грн
1000+21.33 грн
3000+17.05 грн
9000+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]