Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.78 грн
6000+5.68 грн
9000+3.82 грн
15000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2004VK-7B - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.55 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.27 грн
16000+3.75 грн
24000+3.57 грн
40000+3.15 грн
56000+3.04 грн
80000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R 8.0K
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2004VK-7B - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.55 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 125912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
22+14.11 грн
100+8.87 грн
500+6.17 грн
1000+5.48 грн
2000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
13+23.25 грн
25+19.29 грн
50+15.80 грн
100+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 4578000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7
Код товару: 183759
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-323
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Idd, А: 0,54 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,7 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 150/
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.46 грн
6000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1418 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1418+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 1418 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Channel
на замовлення 42970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.51 грн
6000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7-50Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 27660000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.70 грн
6000+4.97 грн
9000+4.70 грн
15000+4.13 грн
21000+3.96 грн
30000+3.80 грн
75000+3.39 грн
150000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WKQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2004WKQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WKQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 14937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27651000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 27661395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
19+16.08 грн
100+10.16 грн
500+7.10 грн
1000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WKQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2004WKQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005DLP4K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6DFN
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 400mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.95 грн
10+30.49 грн
100+19.58 грн
500+13.96 грн
1000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005DLP4K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005DLP4K-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 1.5 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005DLP4K-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Channel
на замовлення 18618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005DLP4K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 6-Pin DFN T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005DLP4K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6DFN
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 400mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005DLP4K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005DLP4K-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 1.5 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005DLP4K-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 350mA; 400mW; X2-DFN1310-6
Power dissipation: 0.4W
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1310-6
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005DLP4K-7-01DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar
Transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005K
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.67 грн
34+22.24 грн
35+22.05 грн
100+12.29 грн
250+11.26 грн
500+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 200mA, 2.7V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 8125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
14+23.02 грн
100+14.65 грн
500+10.33 грн
1000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
642+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 642 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 200mA, 2.7V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.67 грн
6000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005K-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Channel
на замовлення 15440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005K-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.3A; Idm: 0.6A; 0.35W; SOT23
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V 300mA
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 350mA; 400mW; X2-DFN1006-3
Power dissipation: 0.4W
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1006-3
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
16+19.40 грн
100+12.26 грн
500+8.62 грн
1000+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.98 грн
6000+6.10 грн
9000+5.79 грн
15000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7BDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7BDiodesMOSFET N-CH 20V 300mA X2-DFN1006-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LPK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 45849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
19+16.45 грн
100+11.10 грн
500+8.06 грн
1000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LPK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
618+22.92 грн
1036+13.66 грн
1064+13.29 грн
1142+11.95 грн
1977+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 618 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LPK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005LPK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 440 mA, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LPK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.44A; 0.45W; X1-DFN1006-3
Case: X1-DFN1006-3
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 3.5Ω
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 0.44A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
60+7.59 грн
73+5.79 грн
100+5.12 грн
500+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LPK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.92 грн
6000+6.11 грн
9000+5.83 грн
15000+5.17 грн
21000+4.99 грн
30000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LPK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005LPK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 440 mA, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LPK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.94 грн
30+25.56 грн
33+22.92 грн
100+13.17 грн
250+11.87 грн
500+10.62 грн
1000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LPK-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V 200mA
на замовлення 5907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LPK-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFGDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 522000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; Idm: 130A; 1.05W
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 1.05W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 527721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
11+28.30 грн
100+20.59 грн
500+17.90 грн
1000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 4000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 525000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.53 грн
6000+13.63 грн
9000+13.42 грн
15000+12.37 грн
21000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 4000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.16 грн
4000+14.26 грн
6000+13.60 грн
10000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 4000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1656+8.54 грн
1906+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 1656 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.06 грн
10+38.95 грн
100+25.37 грн
500+18.31 грн
1000+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 4000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh FET 6495pF 66.8nC
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 2.27W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
609+7.32 грн
1000+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 609 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7
Код товару: 201744
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.62 грн
6000+24.71 грн
9000+24.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFGQ-13Diodes Zetex20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 Automotive AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFGQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 2.27W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.09 грн
4000+25.91 грн
6000+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFGQ-7Diodes Zetex20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5337 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 7375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.14 грн
10+47.85 грн
100+37.26 грн
500+29.63 грн
1000+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13Diodes Zetex20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.89 грн
24+31.62 грн
100+28.84 грн
500+26.38 грн
1000+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 15A; Idm: 150A; 2.5W
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 2.5W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 142nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 4600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5337 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.15 грн
5000+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13Diodes Zetex20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13Diodes Zetex20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 4600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]