Продукція > IPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP040N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | на замовлення 2157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP040N06NXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 69A Power dissipation: 36W Case: TO220-3 On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of channel: enhancement | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP040N06NXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP040N06NXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 97950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP040N06NXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP040N06NXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP040N06NXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP040N06NXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP040N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 107W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP040N06NXKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V | на замовлення 477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP040N06NXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET > 60-80V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 91400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP040N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 115 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm | на замовлення 969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 115A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 115A; 150W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 115A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 148000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 115A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V | на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP041N04N G | Infineon | на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP041N04N G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP041N04NG | Infineon technologies | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP041N04NGHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP041N04NGHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Packaging: Tube Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP041N04NGXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TO220-3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 4.1mΩ Power dissipation: 94W Drain current: 80A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V | на замовлення 176 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP041N04NGXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 764000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP041N12N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP041N12N3G | Infineon technologies | на замовлення 9 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP041N12N3GXK | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP041N12N3GXKSA1; PGP12N030H; IPP041N12N3G TIPP041n12n3g кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 120A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.1mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP042N03L G | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 553 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP042N03L G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 11433 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP042N03LG | INFINEON | TO-220 0741+ | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP042N03LG | Infineon Technologies | Description: IPP042N03 - 12V-300V N-CHANNEL P | на замовлення 71180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 695 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP042N03LGHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP042N03LGHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 70A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP042N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP042N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP042N03LGXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP042N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP042N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP042N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP042N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP042N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP044N03LF2SAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 2789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP044N03LF2SAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP045N10N3 G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP045N10N3 G | Infineon | на замовлення 86450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP045N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 1193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP045N10N3 G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP045N10N3G | Infineon technologies | на замовлення 254 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP045N10N3G | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220 Packaging: Tube | на замовлення 969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP045N10N3GHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 3795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 9890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP045N10N3GXKSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3G TIPP045n10n3g кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 5807 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP045N10N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3 Case: PG-TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar On-state resistance: 4.5mΩ Drain current: 100A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 214W Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhancement | на замовлення 40 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V | на замовлення 1694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 9890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP045N10N3GXKSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP045N10N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 6237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP048N04N G Код товару: 83952
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. |

