Продукція > IPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP040N06N | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N06N | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP040N06N3 G | Infineon | на замовлення 147000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPP040N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP040N06N3G | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP040N06N3G | Infineon technologies | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPP040N06N3GHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP040N06N3GXK | Infineon technologies | на замовлення 424 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 741731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 456 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP040N06N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 90A Power dissipation: 188W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 192 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N06N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 188W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm | на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP040N06N3GXKSA1 транзистор Код товару: 202066
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPP040N06NAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N06NAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 20A/80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP040N06NAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP040N06NAKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Power dissipation: 107W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP040N06NAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N06NAKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP040N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 107W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP040N06NAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N06NAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP040N06NAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N06NAKSA1 : IPP040N06N | Infineon | MOSFET N-CH 60V 20A/80A TO220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP040N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 9300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP040N06NF2SAKMA1 Код товару: 202353
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPP040N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP040N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V | на замовлення 920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP040N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N06NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Power dissipation: 107W Case: TO220-3 On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 38nC | на замовлення 132 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N06NF2SAKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP040N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 3500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 109A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 107W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm | на замовлення 652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP040N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 9300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N06NXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP040N06NXKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V | на замовлення 463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N06NXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP040N06NXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 97222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N06NXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 69A Power dissipation: 36W Case: TO220-3 On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 38nC | на замовлення 88 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N06NXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP040N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 107W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP040N06NXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N06NXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP040N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 115 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm | на замовлення 969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 148000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 91400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 115A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V | на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET > 60-80V | на замовлення 6337 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP040N08NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 115A; 150W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 115A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 54nC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP041N04N G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP041N04NG | Infineon technologies | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPP041N04NGHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP041N04NGHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Packaging: Tube Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V | на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 764000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP041N04NGXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3 Power dissipation: 94W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 80A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 On-state resistance: 4.1mΩ Mounting: THT | на замовлення 156 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP041N04NGXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 94W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP041N12N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP041N12N3G | Infineon technologies | на замовлення 9 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPP041N12N3GXK | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3 Mounting: THT Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 120A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 120V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 On-state resistance: 4.1mΩ | на замовлення 48 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm | на замовлення 1461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP041N12N3GXKSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP041N12N3GXKSA1; PGP12N030H; IPP041N12N3G TIPP041n12n3g кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IPP042N03L G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 11433 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP042N03L G | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 553 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP042N03LG | Infineon Technologies | Description: IPP042N03 - 12V-300V N-CHANNEL P | на замовлення 71180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 695 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP042N03LGHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPP042N03LGHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 70A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

